一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103197368B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201310158611.4

    申请日:2013-04-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法。本发明的偏振器,由基板上的Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅构成,基板为在通讯波段透明的光学材料;Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅的结构参数为:线栅周期350-400纳米,线栅占空比60%-50%,线栅总厚度300-400纳米,第一层金属铝的厚度为80-170nm,SiO2的厚度为50-120nm,第二层金属铝的厚度为80-210nm。本发明方法步骤为:清洗基板、基板表面旋涂SU8胶、旋涂含Si的紫外压印胶、在含Si的紫外压印胶表面形成纳米线栅结构、刻蚀残余层、在SU8胶上刻出纳米线栅结构、沉积薄膜(Al、SiO2、Al)、超声举离,形成Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅。本发明宽带偏振器在1300-2000nm波段范围内不仅具有很高的TM波透射率,而且具有很高的消光比,且工艺简单、加工误差容忍度好。

    一种基于含时调制的声二极管

    公开(公告)号:CN103592019B

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201310579254.9

    申请日:2013-11-18

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: G10K11/04

    Abstract: 本发明提供了一种基于含时调制的声二极管,由声波导管中的椭圆柱与位于声波导管末端的滤波器构成。其中,椭圆柱位于滤波器的前面,声波导管为刚性材料,椭圆柱由电机带动旋转,滤波器由位于声波导管上、下两侧的赫姆霍兹共振腔组成。本发明的结构在工作波段,正向入射的声波经过旋转速度为65.5r/s的椭圆柱后部分频率跃迁了131Hz,可通过滤波器,而反向入射的声波先经过滤波器,直接被过滤掉,不能通过二极管。本发明不仅利用含时调制实现了声整流,而且可以通过改变结构参数和滤波器中心频率改变单向传播的工作频率,通过改变旋转速度和滤波器带宽可改变二极管带宽,是一种对角度不敏感、适应性强、结构简单、易实现、低成本的声二极管。

    一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法

    公开(公告)号:CN103116242B

    公开(公告)日:2014-10-01

    申请号:CN201310081525.8

    申请日:2013-03-15

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提供了一种无需对准纳米压印制备不异质结构的方法,步骤如下:(1)利用FIB制备不同深度结构的模板;(2)在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶,利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层;(3)ICP刻蚀掉胶层的残余层,然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1:1的刻蚀;(4)二次旋涂热塑性纳米压印胶,并使其表面平整;(5)ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护;(6)设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层,以胶层作为掩模,将较高结构刻蚀至平面;(7)在表面沉积另外一种材料,并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法,避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。

    一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103197368A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN201310158611.4

    申请日:2013-04-28

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法。本发明的偏振器,由基板上的Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅构成,基板为在通讯波段透明的光学材料;Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅的结构参数为:线栅周期350-400纳米,线栅占空比60%-50%,线栅总厚度300-400纳米,第一层金属铝的厚度为80-170nm,SiO2的厚度为50-120nm,第二层金属铝的厚度为80-210nm。本发明方法步骤为:清洗基板、基板表面旋涂SU8胶、旋涂含Si的紫外压印胶、在含Si的紫外压印胶表面形成纳米线栅结构、刻蚀残余层、在SU8胶上刻出纳米线栅结构、沉积薄膜(Al、SiO2、Al)、超声举离,形成Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅。本发明宽带偏振器在1300-2000nm波段范围内不仅具有很高的TM波透射率,而且具有很高的消光比,且工艺简单、加工误差容忍度好。

    一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法

    公开(公告)号:CN103116242A

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201310081525.8

    申请日:2013-03-15

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法,步骤如下:(1)利用FIB制备不同深度结构的模板;(2)在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶,利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层;(3)ICP刻蚀掉胶层的残余层,然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1:1的刻蚀;(4)二次旋涂热塑性纳米压印胶,并使其表面平整;(5)ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护;(6)设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层,以胶层作为掩模,将较高结构刻蚀至平面;(7)在表面沉积另外一种材料,并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法,避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。

    一种基于含时调制的声二极管

    公开(公告)号:CN103592019A

    公开(公告)日:2014-02-19

    申请号:CN201310579254.9

    申请日:2013-11-18

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: G10K11/04

    Abstract: 本发明提供了一种基于含时调制的声二极管,由声波导管中的椭圆柱与位于声波导管末端的滤波器构成。其中,椭圆柱位于滤波器的前面,声波导管为刚性材料,椭圆柱由电机带动旋转,滤波器由位于声波导管上、下两侧的赫姆霍兹共振腔组成。本发明的结构在工作波段,正向入射的声波经过旋转速度为65.5r/s的椭圆柱后部分频率跃迁了131Hz,可通过滤波器,而反向入射的声波先经过滤波器,直接被过滤掉,不能通过二极管。本发明不仅利用含时调制实现了声整流,而且可以通过改变结构参数和滤波器中心频率改变单向传播的工作频率,通过改变旋转速度和滤波器带宽可改变二极管带宽,是一种对角度不敏感、适应性强、结构简单、易实现、低成本的声二极管。

    一种微型高性能正交硅波导结构

    公开(公告)号:CN103760637B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201410046359.2

    申请日:2014-02-10

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提供了一种微型高性能正交硅波导结构,采用正交交叉的波导结构,波导的组成材料为硅。在波导结构的内部、四个正交交叉口处分别设有棱镜结构,棱镜结构的折射率低于组成波导的基底材料。进一步地,在波导结构的正交交叉点的四个外角处加设有修饰结构,其厚度与波导的厚度一致;所述修饰结构由两个形状相同的微结构拼接而成,两个微结构拼接后沿着正交交叉外角的对角线成镜面对称。当基模在波导内传播时,本发明的结构可以保持小于0.2dB的损耗,同时可以维持很低的串扰损耗和反射损耗,其值分别为小于-35dB和小于-30dB。本发明的另一个很重要的优点是结构的几何尺寸很小,整个设计的交叉结构尺寸仅约为1×1um2。

    一种微型高性能正交硅波导结构

    公开(公告)号:CN103760637A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410046359.2

    申请日:2014-02-10

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提供了一种微型高性能正交硅波导结构,采用正交交叉的波导结构,波导的组成材料为硅。在波导结构的内部、四个正交交叉口处分别设有棱镜结构,棱镜结构的折射率低于组成波导的基底材料。进一步地,在波导结构的正交交叉点的四个外角处加设有修饰结构,其厚度与波导的厚度一致;所述修饰结构由两个形状相同的微结构拼接而成,两个微结构拼接后沿着正交交叉外角的对角线成镜面对称。当基模在波导内传播时,本发明的结构可以保持小于0.2dB的损耗,同时可以维持很低的串扰损耗和反射损耗,其值分别为小于-35dB和小于-30dB。本发明的另一个很重要的优点是结构的几何尺寸很小,整个设计的交叉结构尺寸仅约为1×1um2。

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