公开(公告)号：CN103116242B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310081525.8

申请日：2013-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  林亮 ,  万为伟 ,  徐叶龙 ,  葛海雄 ,  袁长胜 ,  陈延峰

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种无需对准纳米压印制备不异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。

公开(公告)号：CN103197368A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310158611.4

申请日：2013-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  宋宝生 ,  林亮 ,  徐叶龙 ,  葛海雄 ,  陈延峰

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法。本发明的偏振器，由基板上的Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅构成，基板为在通讯波段透明的光学材料；Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅的结构参数为：线栅周期350-400纳米，线栅占空比60%-50%，线栅总厚度300-400纳米，第一层金属铝的厚度为80-170nm，SiO2的厚度为50-120nm，第二层金属铝的厚度为80-210nm。本发明方法步骤为：清洗基板、基板表面旋涂SU8胶、旋涂含Si的紫外压印胶、在含Si的紫外压印胶表面形成纳米线栅结构、刻蚀残余层、在SU8胶上刻出纳米线栅结构、沉积薄膜（Al、SiO2、Al）、超声举离，形成Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅。本发明宽带偏振器在1300-2000nm波段范围内不仅具有很高的TM波透射率，而且具有很高的消光比，且工艺简单、加工误差容忍度好。

公开(公告)号：CN103117339A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310081541.7

申请日：2013-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  林亮 ,  葛海雄 ,  余思远 ,  袁长胜 ,  陈延峰

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种基于复合软模板纳米压印技术制备图案化蓝宝石衬底的方法，包括以下步骤：（1）在蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅作为湿法腐蚀掩膜；（2）在二氧化硅层上旋涂一层紫外光固化胶，利用复合软模板纳米压印方法将结构转移到胶层上；（3）利用ICP刻蚀方法去除残余层暴露出二氧化硅表面，并继续刻蚀将结构转移到二氧化硅层；（4）以二氧化硅层为掩膜用硫酸和磷酸混合液湿法腐蚀蓝宝石，最后用氢氟酸将二氧化硅层去除得到图案化蓝宝石衬底。本发明的优点在于利用了复合软模板纳米压印技术，相较于传统光刻方法，可以低成本、大面积的制备小尺度的图案；解决了腐蚀掩膜不规则和干法刻蚀蓝宝石成本高的问题，提高了LED的出光效率。

公开(公告)号：CN103116242A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310081525.8

申请日：2013-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  林亮 ,  万为伟 ,  徐叶龙 ,  葛海雄 ,  袁长胜 ,  陈延峰

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。

公开(公告)号：CN103197368B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310158611.4

申请日：2013-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  宋宝生 ,  林亮 ,  徐叶龙 ,  葛海雄 ,  陈延峰

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法。本发明的偏振器，由基板上的Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅构成，基板为在通讯波段透明的光学材料；Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅的结构参数为：线栅周期350-400纳米，线栅占空比60%-50%，线栅总厚度300-400纳米，第一层金属铝的厚度为80-170nm，SiO2的厚度为50-120nm，第二层金属铝的厚度为80-210nm。本发明方法步骤为：清洗基板、基板表面旋涂SU8胶、旋涂含Si的紫外压印胶、在含Si的紫外压印胶表面形成纳米线栅结构、刻蚀残余层、在SU8胶上刻出纳米线栅结构、沉积薄膜（Al、SiO2、Al）、超声举离，形成Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅。本发明宽带偏振器在1300-2000nm波段范围内不仅具有很高的TM波透射率，而且具有很高的消光比，且工艺简单、加工误差容忍度好。