公开(公告)号：CN103116242B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310081525.8

申请日：2013-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  林亮 ,  万为伟 ,  徐叶龙 ,  葛海雄 ,  袁长胜 ,  陈延峰

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种无需对准纳米压印制备不异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。

公开(公告)号：CN103116242A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201310081525.8

申请日：2013-03-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  林亮 ,  万为伟 ,  徐叶龙 ,  葛海雄 ,  袁长胜 ,  陈延峰

IPC: G03F7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。