公开(公告)号：CN103197368A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310158611.4

申请日：2013-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  宋宝生 ,  林亮 ,  徐叶龙 ,  葛海雄 ,  陈延峰

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法。本发明的偏振器，由基板上的Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅构成，基板为在通讯波段透明的光学材料；Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅的结构参数为：线栅周期350-400纳米，线栅占空比60%-50%，线栅总厚度300-400纳米，第一层金属铝的厚度为80-170nm，SiO2的厚度为50-120nm，第二层金属铝的厚度为80-210nm。本发明方法步骤为：清洗基板、基板表面旋涂SU8胶、旋涂含Si的紫外压印胶、在含Si的紫外压印胶表面形成纳米线栅结构、刻蚀残余层、在SU8胶上刻出纳米线栅结构、沉积薄膜（Al、SiO2、Al）、超声举离，形成Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅。本发明宽带偏振器在1300-2000nm波段范围内不仅具有很高的TM波透射率，而且具有很高的消光比，且工艺简单、加工误差容忍度好。

公开(公告)号：CN103197368B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310158611.4

申请日：2013-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 卢明辉 ,  宋宝生 ,  林亮 ,  徐叶龙 ,  葛海雄 ,  陈延峰

IPC: G02B5/30

Abstract: 本发明公开了一种三明治结构线栅宽带偏振器及其制备方法。本发明的偏振器，由基板上的Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅构成，基板为在通讯波段透明的光学材料；Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅的结构参数为：线栅周期350-400纳米，线栅占空比60%-50%，线栅总厚度300-400纳米，第一层金属铝的厚度为80-170nm，SiO2的厚度为50-120nm，第二层金属铝的厚度为80-210nm。本发明方法步骤为：清洗基板、基板表面旋涂SU8胶、旋涂含Si的紫外压印胶、在含Si的紫外压印胶表面形成纳米线栅结构、刻蚀残余层、在SU8胶上刻出纳米线栅结构、沉积薄膜（Al、SiO2、Al）、超声举离，形成Al-SiO2-Al三明治结构纳米线栅。本发明宽带偏振器在1300-2000nm波段范围内不仅具有很高的TM波透射率，而且具有很高的消光比，且工艺简单、加工误差容忍度好。