公开(公告)号：CN111755187A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010575351.0

申请日：2020-06-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 张正明 ,  王敦辉 ,  陆海鸣 ,  都有为

IPC: H01F1/01 ,  H01F41/02 ,  C22C38/02 ,  B22F9/04 ,  B22F1/00

Abstract: 本发明提供一种用于拓宽镧铁硅合金磁制冷工作温区的制备方法，利用该制备方法能够拓宽镧铁硅合金的工作温区，并使镧铁硅合金具有高磁熵变和低驱动磁场。该制备方法包括以下步骤：(1)制备镧铁硅合金粉末：按比例配置LaFe13-xSix合金原料，将LaFe13-xSix合金原料进行熔炼形成合金铸锭，合金铸锭依次经过甩带、退火、淬火和研磨，制成镧铁硅合金粉末；(2)高压退火处理：对镧铁硅合金粉末进行高压退火处理，其中压力为0.5～1.5GPa，退火温度为500℃至700℃，退火时长为20min至35min。

公开(公告)号：CN108677114A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810400730.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  周振佳 ,  胡永

IPC: C22F1/00 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明公开了一种在NiMnGa多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法，先采用定向凝固的方法制备出具有取向织构的NiMnGa多晶；然后在奥氏体状态下对NiMnGa多晶沿定向凝固方向施加应力，使NiMnGa多晶发生马氏体相变，在多个温度点下加压力，反复训练循环多次，得到具有可回复大磁致伸缩效应的NiMnGa多晶。本发明通过超弹性训练，可以在定向凝固的NiMnGa多晶中获得一个大的磁致伸缩(应变)，在1T场下得到的应变量约为0.2％。

公开(公告)号：CN104167488A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410072124.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  龚元元 ,  都有为

IPC: H01L43/10

Abstract: 一种具备电场调控磁卡效应的Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，由Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成；压电材料为：Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMN-PT)；Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是：Ni-Co-Mn-In,Ni-Mn-In,Ni-Mn-Sn,Ni-Mn-Co-Sn；二种材料均是片状材料贴合成复合材料，铁磁形状记忆合金的厚度为20-50um的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材，压电体厚度为0.4-0.8mm。

公开(公告)号：CN101458008B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200910028654.4

申请日：2009-01-08

Applicant: 南京大学

Inventor： 方贵银 ,  刘旭 ,  张成亮 ,  王敦辉 ,  都有为

IPC: F25B21/00

CPC classification number: F25B21/00 ,  F25B2321/002 ,  Y02B30/66

Abstract: 本发明公开了一种磁制冷循环系统，包括磁体、磁制冷材料填料床、冷却介质循环泵、冷媒介质循环泵、冷量换热器、散热冷却器、电磁阀和连接管道；磁体固定设置；磁制冷材料填料床与传动机构连接并在磁体构成的空间内作往复运动；磁制冷材料填料床通过连接管道并联后与电磁阀连接；冷却介质循环泵通过散热冷却器分别与电磁阀连接；冷媒介质循环泵通过冷量换热器分别与电磁阀连接。本发明系统高效节能、对环境无破坏；它无需压缩机、系统运动部件少且转速缓慢，可大幅降低系统振动与噪声，系统稳定可靠、使用寿命长。

公开(公告)号：CN1258757A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：CN99120674.6

申请日：1999-12-30

Applicant: 南京大学

Inventor： 唐少龙 ,  都有为 ,  张世远 ,  王敦辉 ,  章建荣 ,  金志强

IPC: C22C38/10

Abstract: 一种高Pr稀土巨磁致伸缩材料,具有如下组成的合金Pr1-xTbx(Fe1-yCoy)2(0≤x≤0.4,0.2≤y≤0.5)。其制法是在磁控电弧炉高纯氩气氛中熔炼获得均匀的铸锭,快淬在快淬炉内进行,熔炼合金熔化后通过直径为0.5mm～1mm的小孔喷出,获得快淬条带,然后退火快淬条带获得(Pr,Tb)(Fe,Co)2立方Laves单相。

公开(公告)号：CN104167488B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410072124.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  龚元元 ,  都有为

IPC: H01L43/10

Abstract: 一种具备电场调控磁卡效应的Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，由Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成；压电材料为：Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMN-PT)；Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是：Ni-Co-Mn-In,Ni-Mn-In,Ni-Mn-Sn,Ni-Mn-Co-Sn；二种材料均是片状材料贴合成复合材料，铁磁形状记忆合金的厚度为20-50um的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材，压电体厚度为0.4-0.8mm。

公开(公告)号：CN101982893A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN201010504916.2

申请日：2010-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  陈水源 ,  轩海成 ,  都有为

IPC: H01L43/10 ,  H01L41/187

Abstract: Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料及磁电效应应用，所述复合材料为NiMnCoSn/压电材料，压电材料为：PZT和PMN-PT单晶。Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电层状复合材料的磁电效应应用，以NiMnCoSn/压电材料构成复合材料，首先将压电材料片的表面镀上金属电极，后将片状铁磁相NiMnCoSn形状记忆合金与压电片材料之间粘结构成复合材料，在外加磁场作用下，在复合材料中的压电片有电压输出；由外磁场驱动铁磁相形状记忆合金产生马氏体相变，此结构相变引起的应力作用在压电体上，并通过压电体的压电效应，在压电体上产生电压输出，从而获得正磁电效应。并可得到逆磁电效应的利用。

公开(公告)号：CN108677114B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201810400730.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  周振佳 ,  胡永

IPC: C22F1/00 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明公开了一种在NiMnGa多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法，先采用定向凝固的方法制备出具有取向织构的NiMnGa多晶；然后在奥氏体状态下对NiMnGa多晶沿定向凝固方向施加应力，使NiMnGa多晶发生马氏体相变，在多个温度点下加压力，反复训练循环多次，得到具有可回复大磁致伸缩效应的NiMnGa多晶。本发明通过超弹性训练，可以在定向凝固的NiMnGa多晶中获得一个大的磁致伸缩(应变)，在1T场下得到的应变量约为0.2％。

公开(公告)号：CN104498775B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201410721163.9

申请日：2014-12-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  龚元元

IPC: C22C19/07 ,  C22C30/00 ,  C22C1/02 ,  H01L41/20

Abstract: 一种具有室温巨磁致伸缩效应的合金材料，由钴(Co)，锰(Mn)，硅(Si)三种元素组成，分子式为CoMnSi1-x(x＝0-0.02)。样品致密没有裂纹；具有磁场诱导的变磁性相变；制备的合金具有平行于磁场的 方向取向织构；室温附近的变磁性相变无磁滞；室温下具有巨大的磁致伸缩效应，绝对值大于1000ppm。通过上述的制备方法，CoMnSi合金的变磁性临界场明显降低。

公开(公告)号：CN103824935A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410071849.8

申请日：2014-02-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  杨艳婷 ,  都有为

IPC: H01L43/10

Abstract: 一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料；压电材料为PMN-PT单晶；Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn，二种材料均是片状材料贴合成复合材料，铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材，压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合，通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。