公开(公告)号：CN108677114B

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201810400730.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  周振佳 ,  胡永

IPC: C22F1/00 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明公开了一种在NiMnGa多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法，先采用定向凝固的方法制备出具有取向织构的NiMnGa多晶；然后在奥氏体状态下对NiMnGa多晶沿定向凝固方向施加应力，使NiMnGa多晶发生马氏体相变，在多个温度点下加压力，反复训练循环多次，得到具有可回复大磁致伸缩效应的NiMnGa多晶。本发明通过超弹性训练，可以在定向凝固的NiMnGa多晶中获得一个大的磁致伸缩(应变)，在1T场下得到的应变量约为0.2％。

公开(公告)号：CN108677114A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810400730.9

申请日：2018-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  周振佳 ,  胡永

IPC: C22F1/00 ,  C22F1/10

Abstract: 本发明公开了一种在NiMnGa多晶中获得可回复大磁致伸缩效应的方法，先采用定向凝固的方法制备出具有取向织构的NiMnGa多晶；然后在奥氏体状态下对NiMnGa多晶沿定向凝固方向施加应力，使NiMnGa多晶发生马氏体相变，在多个温度点下加压力，反复训练循环多次，得到具有可回复大磁致伸缩效应的NiMnGa多晶。本发明通过超弹性训练，可以在定向凝固的NiMnGa多晶中获得一个大的磁致伸缩(应变)，在1T场下得到的应变量约为0.2％。

公开(公告)号：CN116926472A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210684258.2

申请日：2022-06-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 高力波 ,  周振佳 ,  徐洁 ,  付梓豪

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种叠层生长多层二维材料范德华异质结的方法，该方法通过精确控制反应温度以及每一步的反应产物，实现逐层生长，制备出晶圆级、多层数、多种类的高质量范德华异质结薄膜。此外，本发明从物理气相沉积制备金属薄膜，到化学气相沉积得到目标产物，不仅控制了参与反应的原料量，几乎没有浪费原料，与传统的方法相比，原料利用率大大提高，产物的晶体质量大大提高，同时产物具有极强的大气环境稳定性。本发明所制备出的范德华异质结薄膜尺寸可达晶圆级，并可实现图案化生长，对于规模化的生产应用具有重要意义，多种类范德华异质结薄膜材料的成功制备，为光电器件、自旋量子器件等领域的发展提供了材料制备技术支持。