公开(公告)号：CN103824935A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410071849.8

申请日：2014-02-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  杨艳婷 ,  都有为

IPC: H01L43/10

Abstract: 一种Ni-Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，Ni-Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料；压电材料为PMN-PT单晶；Ni-Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni-Mn-Sn，二种材料均是片状材料贴合成复合材料，铁磁形状记忆合金的厚度为20-50μm的快淬薄带叠合成1-2mm或为1-2mm的块材，压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni-Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合，通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。

公开(公告)号：CN103824935B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201410071849.8

申请日：2014-02-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 王敦辉 ,  杨艳婷 ,  都有为

IPC: H01L43/10

Abstract: 一种Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电材料构成复合材料；压电材料为PMN‑PT单晶；Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Mn‑Sn，二种材料均是片状材料贴合成复合材料，铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材，压电体厚度为0.5mm。本发明利用压电体产生的应力调节Ni‑Mn基记忆合金反铁磁和铁磁的界面耦合，通过电场调控的交换偏置效应在零偏置场实现了电场调控的自旋翻转。