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公开(公告)号：CN120065630A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510256897.2
申请日：2025-03-05
Abstract: 本发明提供了一种空气桥微结构芯片的光刻掩模方法，通过控制所述第一光刻胶的旋涂和软烘条件，无需灰度曝光技术也可实现光刻后的梯形剖面；由于所述第一光刻胶和所述第二光刻胶工艺兼容，因此一次曝光和显影可以同时实现图形的精确转移、支撑层或剥离层的形成，工艺操作简单，工艺条件宽松；利用本申请提供的掩模进行金属沉积，可以在保证空气桥桥墩与所述衬底的粘附性的同时，避免拱形支撑层被金属膜全方位覆盖导致无法剥离。
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公开(公告)号：CN115939262B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310196281.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法，对钝化层和外延层依次进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造欧姆接触，其中外延层刻蚀通过湿法刻蚀掉工艺实现；对钝化层进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造肖特基接触点，其中钝化层刻蚀通过干法湿法相结合的刻蚀工艺实现；制备肖特基二极管的金属微桥和电极，其中平面肖特基二极管阴极通过生长在缓冲层上的欧姆接触引出，平面肖特基二极管阳极通过与肖特基接触的空气微桥引出；对钝化层、外延层、缓冲层以及基片衬底进行刻蚀，使金属微桥和基片衬底分离形成空气桥结构。本发明提高了器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN119947276A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510416799.0
申请日：2025-04-03
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹焦平面阵列探测器芯片及其制备方法，芯片包括肖特基二极管像元和Crossbar多路读出结构两部分，其中肖特基二极管像元包括欧姆接触和肖特基接触两部分；Crossbar多路读出结构包括横电极、纵电极，以及横电极与纵电极间的隔离层三部分，横电极与纵电极成交叉排列，横电极与纵电极间的隔离层，处在横电极与纵电极之间；肖特基二极管像元与Crossbar多路读出结构通过金属导线相连接。本发明解决了太赫兹焦平面阵列探测器芯片多路读出的难题，同时避免了横纵电极之间交叉造成的短路、断路问题。
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公开(公告)号：CN115939262A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310196281.1
申请日：2023-03-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
Abstract: 本发明提出了一种平面肖特基二极管太赫兹探测器芯片的制备方法，对钝化层和外延层依次进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造欧姆接触，其中外延层刻蚀通过湿法刻蚀掉工艺实现；对钝化层进行刻蚀，刻蚀工艺完成后采用电子束蒸发沉积金薄膜制造肖特基接触点，其中钝化层刻蚀通过干法湿法相结合的刻蚀工艺实现；制备肖特基二极管的金属微桥和电极，其中平面肖特基二极管阴极通过生长在缓冲层上的欧姆接触引出，平面肖特基二极管阳极通过与肖特基接触的空气微桥引出；对钝化层、外延层、缓冲层以及基片衬底进行刻蚀，使金属微桥和基片衬底分离形成空气桥结构。本发明提高了器件的性能和良率。
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