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公开(公告)号：CN103266991A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310117801.1
申请日：2013-04-07
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/723
Abstract: 风力发电机叶轮方向控制装置，属于风力发电机叶轮主动迎风装置，解决现有主动迎风装置存在的不能全方位迎风问题。本发明包括支杆、机架、水平电位器、竖直电位器、水平直流电机、竖直直流电机、水平风向传感器、竖直风向传感器和PLC控制器；机架安置在支杆上端，机架上固接有支架，支架上装配有导杆，导杆左端用于固接风力发电机；机架侧面固接安装座，水平直流电机和竖直直流电机分别装于安装座上，支杆上还固接横杆，横杆两端分别悬挂水平风向传感器和竖直风向传感器，PLC控制器固定于支杆下部。本发明灵敏度高、稳定性好、可实现水平和竖直方向的转动，对于提高中小型风力发电机的风能利用效率、延长风力发电机寿命具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103266991B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201310117801.1
申请日：2013-04-07
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/723
Abstract: 风力发电机叶轮方向控制装置，属于风力发电机叶轮主动迎风装置，解决现有主动迎风装置存在的不能全方位迎风问题。本发明包括支杆、机架、水平电位器、竖直电位器、水平直流电机、竖直直流电机、水平风向传感器、竖直风向传感器和PLC控制器；机架安置在支杆上端，机架上固接有支架，支架上装配有导杆，导杆左端用于固接风力发电机；机架侧面固接安装座，水平直流电机和竖直直流电机分别装于安装座上，支杆上还固接横杆，横杆两端分别悬挂水平风向传感器和竖直风向传感器，PLC控制器固定于支杆下部。本发明灵敏度高、稳定性好、可实现水平和竖直方向的转动，对于提高中小型风力发电机的风能利用效率、延长风力发电机寿命具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN103741208A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310743129.7
申请日：2013-12-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，包括内部中空而形成炉腔（5）的炉体，置于该炉腔（5）中心的坩埚（2），该坩埚（2）与一同轴置于炉腔（5）内的籽晶杆（4）相连，用于在坩埚（3）内生长晶体（3）；其特征在于，位于所述坩埚（2）上部的所述炉腔（2）内壁具有一定锥度，形成圆台筒体结构。本发明的生长炉可以有效控制提拉法炉腔中流动传热的三维效应，在晶体周围组织较好的温度环境，同时使得晶体生长过程中固液界面处在较好的温度梯度。这种新型的炉腔结构能够减小晶体生长过程中位错或者破裂的产生，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN104498904B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410844764.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于MOCVD设备的喷淋头，属于气体喷淋装置，解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题，同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本发明包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管，顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体；多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖，多根下层气管平行穿过下隔板和底盖，各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴；长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本发明通过对长、短喷嘴的分配方式，可以提高反应腔内气体均匀性，提高反应速率，抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104591103A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410844212.8
申请日：2014-12-30
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: C01B19/00
Abstract: 一种Bi2Te3-xSx热电材料及其制备方法，属于热电材料及其制备方法，目的在于提高本来用于低温区的Bi2Te3基热电材料在中温区内的相关热电性能，同时解决现有中温热电材料对环境造成不利影响的问题。本发明分别将准备好的高纯的铋粉(Bi)、碲粉(Te)、硫粉(S)按照预定原子比称重混合之后，放置于球磨罐中，在氩气保护的气氛下进行机械合金化处理，然后将所得到的粉料装于石墨模具中进行放电等离子烧结，既可得Bi2Te3-xSx的块体材料。本发明工艺简单，制备周期短，制备过程耗材少成本低，可操作性强，通过材料中S元素的引进，提高了本来用于低温区的Bi2Te3基热电材料在中温区内的相关热电性能，并对环境友好，解决了现有中温热电材料对环境造成不利影响的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576913A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410837309.6
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种半导体温差发电片，属于半导体温差发电器件，解决现有半导体温差发电片功率较低、厚度较大的问题，以便于夹紧和应用至微型电子器件中。本发明由上绝缘导热板、下绝缘导热板及其之间的2N个温差发电单元构成，各温差发电单元包括左、右温差电偶臂，上导流片和左、右导流片，左、右温差电偶臂均为矩形，面积为(0.1mm～10mm)×(0.1mm～10mm)，面长比为0.52mm～8.33mm，均采用多浓度梯度温差耦合材料制作。本发明厚度薄、功率大、能有效减小体积和投资成本，不仅能够在不同温度梯度和荷载条件下稳定运行，也能够提高所匹配负载的额定功率，尤其适用于热源品味小、使用空间狭窄、负载额定功率较大的工况条件。
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公开(公告)号：CN104498904A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410844764.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45565
Abstract: 一种用于MOCVD设备的喷淋头，属于气体喷淋装置，解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题，同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本发明包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管，顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体；多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖，多根下层气管平行穿过下隔板和底盖，各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴；长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本发明通过对长、短喷嘴的分配方式，可以提高反应腔内气体均匀性，提高反应速率，抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN204265887U
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201420669666.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种多晶硅铸锭炉热场结构，由固定隔热笼、底部隔热板和顶部隔热板所形成的中空炉腔；设置在炉腔中央，用于作为晶体生长的容器的坩埚，其底部通过石墨支撑支撑，石墨支撑底部设置有热交换块；以及中空夹层结构的隔热块，其同轴套装在热交换块的外周，其中隔热块的内壁与热交换块外周壁面具有间隙，外壁固定设置在固定隔热笼内壁上，该隔热块顶部低于热交换块顶部所在平面。本实用新型的热场结构优化了石墨支撑侧壁附近流场及温度场分布，不仅可以降低化料过程能耗，而且可以有效抑制形核初期坩埚底部侧壁附近晶粒的快速生长，可以获得微凸和较为平直的凝固界面，能够降低硅锭内部热应力，减少微观破裂的产生，从而提高定向凝固多晶硅锭质量。
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公开(公告)号：CN204401102U
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201420856066.6
申请日：2014-12-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种用于MOCVD设备的喷淋头，属于气体喷淋装置，解决现有喷淋头存在的原料气体不能均匀混合的问题，同时减少在喷淋头顶部出现沉积堵塞喷口的问题。本实用新型包括底座、下隔板、上隔板、顶盖和中心导管，顶盖和底盖之间被隔成上层气腔、中间气腔和底层腔体；多根上层气管平行穿过上隔板、下隔板和底盖，多根下层气管平行穿过下隔板和底盖，各上层气管和下层气管下端分别装设有长喷嘴和短喷嘴；长喷嘴和短喷嘴在底盖下表面交错均匀排列。本实用新型通过对长、短喷嘴的分配方式，可以提高反应腔内气体均匀性，提高反应速率，抑制反应物在顶部避免沉积造成喷口堵塞的情况，能够提高晶体生长质量，显著提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN203653745U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320881358.0
申请日：2013-12-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本实用新型公开了一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，包括内部中空而形成炉腔（5）的炉体，置于该炉腔（5）中心的坩埚（2），该坩埚（2）与一同轴置于炉腔（5）内的籽晶杆（4）相连，用于在坩埚（3）内生长晶体（3）；其特征在于，位于所述坩埚（2）上部的所述炉腔（2）内壁具有一定锥度，形成圆台筒体结构。本实用新型的生长炉可以有效控制提拉法炉腔中流动传热的三维效应，在晶体周围组织较好的温度环境，同时使得晶体生长过程中固液界面处在较好的温度梯度。这种新型的炉腔结构能够减小晶体生长过程中位错或者破裂的产生，提高晶体质量。
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