基于双向填充的通孔互联结构制作方法及其产品

    公开(公告)号:CN103258788B

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201310133768.1

    申请日:2013-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于双向填充的通孔互联结构制作方法,包括:(a)在基片第一表面上加工制得第一盲孔;(b)在第一表面上淀积绝缘层、阻挡层和种子层;(c)在第二表面上套刻加工制得第二盲孔,且其深度止于露出第一盲孔中的绝缘层;(d)在第二表面上淀积绝缘层和阻挡层;(e)在第二表面的阻挡层上平铺贴合干膜并执行曝光显影;(f)以干膜作为掩膜,对绝缘层和阻挡层执行刻蚀处理仅保留下种子层;(g)执行填充操作。本发明中还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明,能够以便于操控、高效率的方式执行填充过程,并获得填充效果好的产品,同时可以突破现有成膜技术的瓶颈,拓宽其应用范围,并尤其适于满足超高深宽比的场合。

    一种基于铜纳米线的铜铜键合工艺

    公开(公告)号:CN104637831B

    公开(公告)日:2017-06-27

    申请号:CN201510075419.8

    申请日:2015-02-12

    CPC classification number: H01L2224/11

    Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次沉积粘附层和种子层;在种子层上制备一层光刻胶,并在光刻胶上制作圆孔;在圆孔中电镀铜,得到铜凸点;利用水热法在铜凸点表面生长Cu(OH)2纳米线;去除残余的光刻胶;对Cu(OH)2纳米线进行热分解,得到CuO纳米线;对CuO纳米线进行还原,得到铜纳米线;利用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线,通过热压方式对这两个基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线,直接应用于后续键合,避免了额外的去氧化层步骤,能在较低的温度和压力下得到致密的键合层,且制备工艺简单,无需复杂的设备,成本低,具有极大的应用价值。

    一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法及其产品

    公开(公告)号:CN103325700B

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201310168540.6

    申请日:2013-05-09

    Abstract: 本发明公开了一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法,包括:(a)在基片的一个表面上加工制得盲孔;(b)在加工盲孔的基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层;(c)向种子层表面上涂布光刻胶并填平盲孔,然后执行曝光及显影处理,以使光刻胶仅在盲孔底部的种子层表面上残留;(d)去除未覆盖光刻胶的种子层,而盲孔底部的种子层不受影响;(e)去除残留的光刻胶;(f)向盲孔中填充导电材料完成自底向上的生长;(g)减薄基片未加工盲孔的表面形成通孔,由此完成通孔互联过程。本发明还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明,能够以便于操控、低成本、高效率的方式执行通孔电镀过程,并获得填充效果更好的通孔互联结构产品。

    基于双向填充的通孔互联结构制作方法及其产品

    公开(公告)号:CN103258788A

    公开(公告)日:2013-08-21

    申请号:CN201310133768.1

    申请日:2013-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于双向填充的通孔互联结构制作方法,包括:(a)在基片第一表面上加工制得第一盲孔;(b)在第一表面上淀积绝缘层、阻挡层和种子层;(c)在第二表面上套刻加工制得第二盲孔,且其深度止于露出第一盲孔中的绝缘层;(d)在第二表面上淀积绝缘层和阻挡层;(e)在第二表面的阻挡层上平铺贴合干膜并执行曝光显影;(f)以干膜作为掩膜,对绝缘层和阻挡层执行刻蚀处理仅保留下种子层;(g)执行填充操作。本发明中还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明,能够以便于操控、高效率的方式执行填充过程,并获得填充效果好的产品,同时可以突破现有成膜技术的瓶颈,拓宽其应用范围,并尤其适于满足超高深宽比的场合。

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