公开(公告)号：CN105679683A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610024230.0

申请日：2016-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 廖广兰 ,  独莉 ,  史铁林 ,  汤自荣 ,  陈鹏飞 ,  沈俊杰 ,  邵杰

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/603 ,  H01L23/498 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L21/4853 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/81359 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明公开了一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构，该工艺包括：在基片表面依次沉积绝缘层、粘附层和种子层；在种子层上旋涂一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜获得铜凸点；去除光刻胶，并去除暴露的种子层和粘附层；在铜凸点表面及四周旋涂光刻胶，然后暴露铜凸点上表面；利用上述步骤得到两组基片单元，一组基片单元的铜凸点上电镀锡凸点，并去除光刻胶；另一组基片单元的铜凸点上沉积铜纳米棒，并去除光刻胶；通过热压方式将将两组基片单元键合。所述铜锡铜键合结构由上述键合工艺获得。本发明将铜纳米棒应用于铜锡铜键合，能有效降低键合温度并得到紧密的键合面，制备工艺简单可控，成本低，具有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN104637831A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510075419.8

申请日：2015-02-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 廖广兰 ,  独莉 ,  史铁林 ,  谭先华 ,  宿磊 ,  陈鹏飞 ,  沈俊杰 ,  汤自荣

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L24/83

Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次沉积粘附层和种子层；在种子层上制备一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜，得到铜凸点；利用水热法在铜凸点表面生长Cu(OH)2纳米线；去除残余的光刻胶；对Cu(OH)2纳米线进行热分解，得到CuO纳米线；对CuO纳米线进行还原，得到铜纳米线；利用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线，通过热压方式对这两个基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线，直接应用于后续键合，避免了额外的去氧化层步骤，能在较低的温度和压力下得到致密的键合层，且制备工艺简单，无需复杂的设备，成本低，具有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN105679683B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610024230.0

申请日：2016-01-15

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 廖广兰 ,  独莉 ,  史铁林 ,  汤自荣 ,  陈鹏飞 ,  沈俊杰 ,  邵杰

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/603 ,  H01L23/498 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于铜纳米棒的铜锡铜键合工艺及结构，该工艺包括：在基片表面依次沉积绝缘层、粘附层和种子层；在种子层上旋涂一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜获得铜凸点；去除光刻胶，并去除暴露的种子层和粘附层；在铜凸点表面及四周旋涂光刻胶，然后暴露铜凸点上表面；利用上述步骤得到两组基片单元，一组基片单元的铜凸点上电镀锡凸点，并去除光刻胶；另一组基片单元的铜凸点上沉积铜纳米棒，并去除光刻胶；通过热压方式将将两组基片单元键合。所述铜锡铜键合结构由上述键合工艺获得。本发明将铜纳米棒应用于铜锡铜键合，能有效降低键合温度并得到紧密的键合面，制备工艺简单可控，成本低，具有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN104637831B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201510075419.8

申请日：2015-02-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 廖广兰 ,  独莉 ,  史铁林 ,  谭先华 ,  宿磊 ,  陈鹏飞 ,  沈俊杰 ,  汤自荣

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次沉积粘附层和种子层；在种子层上制备一层光刻胶，并在光刻胶上制作圆孔；在圆孔中电镀铜，得到铜凸点；利用水热法在铜凸点表面生长Cu(OH)2纳米线；去除残余的光刻胶；对Cu(OH)2纳米线进行热分解，得到CuO纳米线；对CuO纳米线进行还原，得到铜纳米线；利用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线，通过热压方式对这两个基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线，直接应用于后续键合，避免了额外的去氧化层步骤，能在较低的温度和压力下得到致密的键合层，且制备工艺简单，无需复杂的设备，成本低，具有极大的应用价值。