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公开(公告)号：CN112758886B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202011625676.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00 , B81B1/00 , G01C19/72
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸光学陀螺楔形腔及其制备方法和应用，其制备方法包括：依次在Si晶元表面构建SiO2氧化层和掩膜层；采用接触式紫外曝光的方式对所述掩膜层进行光刻曝光处理，清除掩膜层中的多余部分；对所述SiO2氧化层进行BOE腐蚀，在掩膜层内侧形成SiO2楔形腔，随后清除附着在所述SiO2楔形腔表面的掩膜层；采用XeF2气体对所述Si晶元表面进行刻蚀处理，在所述SiO2楔形腔内侧形成Si楔形腔。本发明解决了Si基材料中难以加工成型大尺寸的楔形腔的问题，可在Si基晶圆上实现特定倾角且表面平坦的楔形结构并获得超高品质因素的光学谐振，具有工艺简单、表面平整度高和易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN115598749A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211277635.7
申请日：2022-10-18
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)(CN)
Abstract: 本发明涉及一种基于非厄米微环谐振腔阵列的拓扑平带调控方法及系统，其方法包括：将多个微环谐振腔阵列周期性排列为一维菱形结构；调控微环谐振腔阵列中的增益环和损耗环的位置及相对增益大小，实现拓扑相变，构建拓扑平庸和拓扑非平庸的晶胞结构；将点光源放置于多个微环谐振腔阵列的中心位置，激发体带模式，实现非厄米AB cage效应；将点光源分别放置于多个微环谐振腔阵列的边缘位置，以实现能量增益型的拓扑边界态或由干涉引起的拓扑平庸局域态。本发明提供的微环谐振腔阵列构型具有灵活、可调控特性，丰富了平带产生拓扑态的手段。
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公开(公告)号：CN114296167A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111495207.7
申请日：2021-12-09
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明公开了一种衍射光学芯片，具有一个实现强度匀化的入射面和一个实现相位匀化的出射面，所述的入射面和出射面外径均为25.4mm且对称设置，是由熔融石英（JGS1）作为基底材料采用激光直写灰度掩膜技术进行的连续面型的制作形成厚度40mm的微纳双面单体结构或微纳四面双体结构，所述的微纳四面双体结构还包含两个间距为38mm的无结构平面。本发明实施例结构简单、设计巧妙、实施方便、具有突出的实质性特点和显著进步，适合大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN114200162A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111428053.X
申请日：2021-11-29
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
Abstract: 本发明公开了一种微光学加速度计，由上层的光收发模块，中间层的异构集成腔光力加速度敏感芯片以及下层的保护封盖封装在陶瓷基底上得到，还有间隔键合层，光收发模块由带有金属引线的氮化铝陶瓷基板以及激光器芯片和探测器芯片组成，异构集成腔光力加速度敏感芯片由多个光子晶体波导、MEMS敏感结构、光力传感结构以及谐振光栅耦合器组成，保护封盖为二氧化硅盖板，陶瓷基底带有金属焊盘；本发明集成了多级差分探测结构，抑制了激光器，探测器，MEMS机械振子敏感结构，拉链腔式腔光力传感等多种共模噪声，比现有的光学式加速度计具备更低的本底噪声，从而能够实现更高精度的加速度测量。
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公开(公告)号：CN112817008A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011594179.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
IPC: G01S17/894
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，特别涉及一种双波段单光子三维探测系统，包括：激光发射组、双光楔扫描组、卡式望远组、偏振片、第一分光镜、宽视场532nm波段单光子接收组、第二分光镜、窄视场532nm单光子接收组及控制器。本发明提供的双波段单光子三维探测系统，所采用的双光楔扫描组可将所述激光束入射在扫描对象上，以及获取扫描对象反射的回波光信号并入射在卡式望远组上，采用激光收发共孔径方案，可以采用一个扫描系统就可以实现激光发射和接收同步扫描，使系统结构的更加紧凑、可靠性高。此外，本发明提供的双波段单光子三维探测系统，系统具有532nm波段和1064nm波段的探测能力，可以同时实现水下探测和陆地探测，能够实现高精度三维重构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112758886A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011625676.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸光学陀螺楔形腔及其制备方法和应用，其制备方法包括：依次在Si晶元表面构建SiO2氧化层和掩膜层；采用接触式紫外曝光的方式对所述掩膜层进行光刻曝光处理，清除掩膜层中的多余部分；对所述SiO2氧化层进行BOE腐蚀，在掩膜层内侧形成SiO2楔形腔，随后清除附着在所述SiO2楔形腔表面的掩膜层；采用XeF2气体对所述Si晶元表面进行刻蚀处理，在所述SiO2楔形腔内侧形成Si楔形腔。本发明解决了Si基材料中难以加工成型大尺寸的楔形腔的问题，可在Si基晶圆上实现特定倾角且表面平坦的楔形结构并获得超高品质因素的光学谐振，具有工艺简单、表面平整度高和易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN112698348A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011438523.6
申请日：2020-12-07
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
Abstract: 一种单光子三维扫描成像系统，包括：激光发射单元，用于发射激光脉冲；回波探测单元，包括位于激光发射单元出射光路上的穿孔反射镜、望远镜设备、以及单光子探测器；所述激光发射单元发射的激光脉冲穿过所述穿孔反射镜中心的圆孔进入所述望远镜设备，所述望远镜设备对所述激光脉冲进行扩束，扩束后的所述激光脉冲向前传输投射至待测目标，在待测目标表面形成目标回波，所述望远镜设备能反向接收所述目标回波并收束后入射至所述穿孔反射镜的反射面，所述单光子探测器接收目标回波光信号并进行光电转换得到第一电信号；以及数据处理单元，连接所述单光子探测器以采集所述第一电信号，并将所述第一电信号处理成时间相关单光子计数直方图，基于所述直方图得到所述待测目标的距离信息。
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公开(公告)号：CN107436286A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710518440.X
申请日：2017-06-29
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
CPC classification number: G01N21/25 , G01N21/55 , G06K9/00771 , G06K9/6267
Abstract: 本发明公开了一种溢油探测系统，包括初始化控制模块，与初始化控制模块连接的一对开/关门模块，与开/关门模块连接的一对极值处理单元，与极值处理单元连接的一对分割单元，同时与初始化控制模块和一对分割单元连接的绝对值单元，与绝对值单元连接的分类模块，用于接收信号后根据初始化控制模块设定的分类信息，在遇到污染物的时候输出预警信号；还公开了一种溢油预警方法，先采集大范围目标场景的光谱图像，再提取可见光波段L1和近红外波段L2的反射谱信号，然后计算光谱对比度平移值，如果超过阈值，则系统认为场景中有溢油污染，并给出光学、声音等预警信号；本发明相对于传统的传统监控成像技术，具有溢油探测精度更高、预警更准确的优势。
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公开(公告)号：CN115548210A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211231587.8
申请日：2022-10-09
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
Abstract: 本发明提供一种微腔磁敏感器件及其制备方法，微腔磁敏感器件的制备方法包括：步骤S10，提供一基底，在基底之上制备第一绝缘层，在第一绝缘层对应基底的中间位置制备一凹槽；步骤S20，在凹槽内沉积一层超磁致伸缩薄膜；步骤S30，在第一绝缘层之上制备覆盖超磁致伸缩薄膜的第二绝缘层；步骤S40，采用套刻工艺，在基底之上制备覆盖有光刻胶的圆盘图形，以覆盖有光刻胶的圆盘图形为阻挡层，刻蚀绝缘层的侧面，以得到包裹有超磁致伸缩薄膜的微腔结构；本发明采用绝缘层完全包裹超磁致伸缩薄膜的方案，可以在不降低微腔结构的品质的前提下，有效的防止酸性溶液对超磁致伸缩薄膜的损坏，具有低成本、刻蚀设备简单、易维护、且不损坏磁性薄膜性能等优点。
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公开(公告)号：CN112764158B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202011630305.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 华中光电技术研究所(中国船舶重工集团公司第七一七研究所)
Abstract: 本发明提供了一种硅基光电子单片式异质集成方法，涉及硅基光子集成技术领域。基于硅基光电子平台将III‑V化合物半导体和硅基光电子器件进行单片式集成，可应用于光电微系统应用领域。本发明针对光电微系统小型化、集成化和多功能化发展趋势对单片集成不同材料体系有源和无源半导体光子器件的迫切需求，提出了一种基于硅基的单片式异质集成方法，利用该方法可以实现基于同一硅片平台上激光器、调制器和探测器等有源光电器件和分束器、耦合器和光学微腔等无源光电器件的异质集成。
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