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公开(公告)号：CN115472506A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110775018.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/44 , H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种双栅极器件的制备方法及双栅极器件，该方法包括：制备底栅极；在底栅极上制备底栅介质层；将单层或多层低维材料覆盖至底栅介质层；在低维材料上制备顶栅介质层；在顶栅介质层上制备顶栅极；将电子束负胶覆盖在顶栅介质层及顶栅极和低维材料上并对其图形化和刻蚀；将电子束正胶覆盖在衬底上并对其图形化和刻蚀，暴露低维材料同时形成电极掩膜；刻蚀掉暴露出的低维材料；对电子束负胶覆盖的剩余部分低维材料镀膜，得到与低维材料两端侧面接触的端接触电极，制备出端接触双栅极器件。通过上述方案能缩减器件尺寸，深入研究多层低维材料在双栅极器件中的工作机理，增强栅极对导电沟道的控制力，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN115472712A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110775019.3
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/113
Abstract: 本发明提供了一种端接触的方法、光电晶体管的制备方法及光电晶体管，该端接触的方法包括：将低维材料覆盖至目标衬底；将电子束负胶覆盖在低维材料上；对电子束负胶进行图形化和刻蚀，暴露出欲去除部分的低维材料；利用设定气体等离子体刻蚀掉暴露出的低维材料；通过设定镀膜方式对刻蚀掉的低维材料后的电子束负胶覆盖的剩余部分的低维材料镀膜，形成低维材料与金属端接触结构。通过上述方案，能够在常温下，实现低维材料和金属的端接触；端接触结构可有效减小器件的尺寸；应用于多层低维材料，可有效避免因静电屏蔽导致的下层材料无法与下层材料接触的现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118426838A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410366660.5
申请日：2024-03-28
Applicant: 北京邮电大学 , 极芯通讯技术(安吉)有限公司
Abstract: 本申请公开了一种处理器流水线机制的仿真运行方法及装置，方法应用于仿真器的流水线控制模块，包括：接管指令在仿真器中的执行函数，并加入到流水线指令队列，对流水线指令队列中所有的待执行指令，逐一进行以下操作：从流水线指令队列取出一条待执行指令作为当前待执行指令；创建当前待执行指令的协程变量；基于协程变量控制当前待执行指令跳转至当前待执行指令的执行函数；当前待执行指令根据流水线设计，在仿真器的执行函数有多个执行阶段，在当前待执行指令当前执行阶段结束时，控制当前待执行指令跳转回流水线控制模块，直至流水线指令队列中所有指令的当前执行阶段都执行完毕。本申请提供的方法和装置，提高了仿真器对处理器的仿真精确度。
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公开(公告)号：CN113766661B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202111005823.X
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04W72/1263 , H04W72/541 , H04B17/345 , H04B17/391
Abstract: 本发明提供一种用于无线网络环境的干扰控制方法及系统，该方法包括：根据无线网络中每条链路的网络资源通信参数，以最大化无线网络的发射速率为优化目标，构建目标优化模型；对所述目标优化模型进行求解，得到最优资源分配组合；根据所述最优资源分配组合，对所述无线网络进行干扰控制。本发明通过将网络通信资源按需统一协调调度，针对不同业务的通信网络需求为优化目标，在满足业务需求的条件下，实现网络通信资源的优化调度和配置，从而有效降低无线网络场景中的干扰现象，改善无线网络的服务质量。
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公开(公告)号：CN115472506B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110775018.9
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种双栅极器件的制备方法及双栅极器件，该方法包括：制备底栅极；在底栅极上制备底栅介质层；将单层或多层低维材料覆盖至底栅介质层；在低维材料上制备顶栅介质层；在顶栅介质层上制备顶栅极；将电子束负胶覆盖在顶栅介质层及顶栅极和低维材料上并对其图形化和刻蚀；将电子束正胶覆盖在衬底上并对其图形化和刻蚀，暴露低维材料同时形成电极掩膜；刻蚀掉暴露出的低维材料；对电子束负胶覆盖的剩余部分低维材料镀膜，得到与低维材料两端侧面接触的端接触电极，制备出端接触双栅极器件。通过上述方案能缩减器件尺寸，深入研究多层低维材料在双栅极器件中的工作机理，增强栅极对导电沟道的控制力，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN115472712B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110775019.3
申请日：2021-07-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/113
Abstract: 本发明提供了一种端接触的方法、光电晶体管的制备方法及光电晶体管，该端接触的方法包括：将低维材料覆盖至目标衬底；将电子束负胶覆盖在低维材料上；对电子束负胶进行图形化和刻蚀，暴露出欲去除部分的低维材料；利用设定气体等离子体刻蚀掉暴露出的低维材料；通过设定镀膜方式对刻蚀掉的低维材料后的电子束负胶覆盖的剩余部分的低维材料镀膜，形成低维材料与金属端接触结构。通过上述方案，能够在常温下，实现低维材料和金属的端接触；端接触结构可有效减小器件的尺寸；应用于多层低维材料，可有效避免因静电屏蔽导致的下层材料无法与下层材料接触的现象。
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公开(公告)号：CN113766661A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111005823.X
申请日：2021-08-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H04W72/12 , H04W72/08 , H04B17/345 , H04B17/391
Abstract: 本发明提供一种用于无线网络环境的干扰控制方法及系统，该方法包括：根据无线网络中每条链路的网络资源通信参数，以最大化无线网络的发射速率为优化目标，构建目标优化模型；对所述目标优化模型进行求解，得到最优资源分配组合；根据所述最优资源分配组合，对所述无线网络进行干扰控制。本发明通过将网络通信资源按需统一协调调度，针对不同业务的通信网络需求为优化目标，在满足业务需求的条件下，实现网络通信资源的优化调度和配置，从而有效降低无线网络场景中的干扰现象，改善无线网络的服务质量。
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