-
公开(公告)号：CN116404041A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211090728.9
申请日：2022-09-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及AlGaN/GaN垂直型超结/半超结绝缘半导体场效应管及制作方法；解决现有的AlGaN/GaN垂直型器件存在较低耐压和较高导通损耗的问题；超结场效应管包括衬底、漏极、在衬底上表面形成两个P型柱区，两个P型柱区之间形成N型漂移区，在P型柱区和N型漂移区上部形成P型阻挡层，在P型阻挡层上形成GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上形成源区，源区内设置源极，对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部刻蚀形成介质沟槽，在介质沟槽内设置三氧化二铝薄氧化层和SIPOS场板，位于两个SIPOS场板之间的二氧化硅和多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极；位于栅极上表面的钝化层；两个源极共接，本发明还提出半超结场效应管以及超结、半超结场效应管的制作方法。
-
公开(公告)号：CN116190438A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211100004.8
申请日：2022-09-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法；是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时，会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响，从而影响到导通电流的问题；包括GaN材料的衬底；依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层，在AlGaN势垒层上表面形成的源区，源区内设置源极；在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层，在N型漂移区上部形成P型阻挡层；通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽，介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层，在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板；在SIPOS场板上方淀积多晶硅，设置在多晶硅上方的栅极和钝化层，两个源极共接。
-
公开(公告)号：CN119008701A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411115909.1
申请日：2024-08-14
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , G01N27/414 , G01N27/00 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种基于环漏区双金属栅隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，该生物传感器包括三个PIN结构，三个PIN结构包括一个共用的漏区，漏区的顶部和水平两侧依次均设有沟道和源区；位于漏区顶部的沟道的水平两侧均设有L型纳米生物分子探测腔和栅介质层，纳米生物分子探测腔的水平部分覆盖在位于漏区水平两侧的沟道上，栅介质层覆盖在纳米生物分子探测腔的垂直部分上；纳米生物分子探测腔水平部分的顶部依次覆盖有水平相邻堆叠的第一金属栅和第二金属栅，第一金属栅位于第二金属栅和栅介质层之间；漏区的底部覆盖有漏极，位于漏区上方的源区的顶部覆盖有源极；本发明的生物传感器具有较高的灵敏度，且制备工艺简单。
-
公开(公告)号：CN118943186A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410738963.5
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于圆柱型平行双环栅场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，生物传感器包括圆柱型结构的沟道，沟道的两侧分别设置有源区和漏区，源区和漏区的外端分别覆盖有源电极和漏电极；沟道靠近源区和漏区的两侧段分别环设有第一低K栅介质层和第二低K栅介质层；第一低K栅介质层和第二低K栅介质层上分别覆盖有第一高K栅介质层和第二高K栅介质层，第一高K栅介质层和第二高K栅介质层上分别覆盖有第一栅金属层和第二栅金属层；与现有技术中的MOSFET器件相比，本发明制备的生物传感器，具有灵敏度高和栅控能力高的特点，且制备工艺简单，工艺成本较低。
-
公开(公告)号：CN118825072A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410822935.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/417 , H01L29/10 , G01N27/414
Abstract: 一种具有十字形沟道和双源极双漏极的肖特基势垒场效应晶体管生物传感器，包括十字形沟道，十字形沟道外侧四个拐角处交叉设有两个源极和两个漏极，十字形沟道的四臂表面均连接有栅极介质层和生物分子探测腔的一面，栅极介质层和生物分子探测腔另一面连接栅极；通过采用双源极和双漏极，源极和漏极内嵌在沟道的四个拐角处，且源极和漏极交叉放置，相比于在源极和漏极在沟道两端的传统结构，本发明增大了源极和沟道的接触面积，即增大了肖特基接触的面积，增大了肖特基隧穿的发生概率，因此增大了漏极电流；在生物分子检测方面具有更高的灵敏度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118688281A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410738966.9
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01N27/414
Abstract: 一种基于插指型的垂直隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括倒T状的沟道层，沟道层垂直区域顶端设置有源极，源极与沟道层接触处为插指结构，沟道层的水平区域两端均设置有漏极，沟道层的垂直区域两侧及水平区域顶面均布设有栅极介质层，栅极介质层上布设有第一栅极，第一栅极的顶端设置有第二栅极，第二栅极与沟道层及源极形成生物分子探测腔；制备方法：刻蚀沟道层形成倒T状，在其水平区域两端进行离子注入，经过多次淀积刻蚀，得到顶端为手指状的垂直区域，并嵌入锑化镓，将氧化铪沉积，第一、二栅极的金属材料沉积到氧化铪上，进行抛光，对氧化铪进行干法刻蚀，得到最终的结构；具有功耗小、识别时间短及灵敏度高的特点。
-
公开(公告)号：CN109787621B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201711117819.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种亚采样数字锁相环。本发明提供的亚采样数字锁相环，包括：频率锁定电路、亚采样相位锁定电路和数控振荡器，其中，频率锁定电路和亚采样相位锁定电路分别与数控振荡器连接；频率锁定电路用于生成第一数字控制信号，对数控振荡器进行频率锁定；亚采样相位锁定电路用于生成第二数字控制信号，对数控振荡器进行相位锁定；数控振荡器用于根据第一数字控制信号和第二数字控制信号生成频率和相位可控的输出信号。本发明降低了锁相环的噪声，提高了输出信号的频谱纯度。
-
公开(公告)号：CN104111688A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410200294.2
申请日：2014-05-13
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/569
Abstract: 本发明提供一种具有温度监测功能的BiCMOS无运放带隙电压基准源。所述BiCMOS无运放带隙电压基准源，包括：基准产生模块(10)、与基准产生模块(10)连接的偏置产生模块(20)、与偏置产生模块(20)连接的温度保护模块(40)、与温度保护模块(40)连接的启动电路(30)、与偏置产生模块(20)、启动电路(30)和温度保护模块(40)均连接的负反馈嵌位电路(50)；其中，基准产生模块生成基准电压；偏置产生模块产生第一偏置电压并辅助基准产生模块进行电压嵌位；温度保护模块通过第一偏置电压输出温度保护信号；启动电路通过温度保护模块生成的启动使能信号，生成干扰电流，使电路进入正常工作状态；负反馈嵌位电路用于稳定基准电压和第一偏置电压。
-
公开(公告)号：CN118748207A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410738946.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种基于正方型平行双环栅场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，生物传感器包括正方型结构的沟道，沟道的两侧分别设置有源区和漏区，源区和漏区的外端分别覆盖有源电极和漏电极；漏区和源区上分别环设有靠近沟道的保护层，沟道上分别环设有两组靠近保护层的栅极，栅极包括分别环设在沟道上靠近保护层的低K栅介质层，低K栅介质层上分别覆盖有高K栅介质层，高K栅介质层上分别覆盖有栅金属层；本发明制备的生物传感器具有灵敏度高和栅控能力高的特点，且制备工艺简单，工艺成本较低。
-
公开(公告)号：CN118641608A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410738962.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC: G01N27/414 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种基于电荷等离子体隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，传感器包括沟道，沟道的水平两侧分别设置有源区和漏区，源区的垂直两侧设置有第一氧化物层，第一氧化物层和源区的外周上覆盖有源区电极；沟道的垂直两侧设置有第二氧化物层，漏区的垂直两侧设置有第三氧化物层；第三氧化物层和漏区的外周上覆盖有漏区电极；第二氧化物层上设置有第一栅电极，位于沟道上方的第一栅电极靠近源区电极上水平部分的一侧设置有第二栅电极，第一氧化物层和第二氧化物层之间分别形成有位于第二栅电极下方的第一生物探测腔和位于源区电极下水平部分上方的第二生物探测腔；本发明的生物传感器具有灵敏度高和开态电流高的特点，且工艺简单。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1176
records
(took 0.094 seconds)
