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公开(公告)号：CN113488538A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110600728.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法，该场效应管包括场效应管本体，其中，所述场效应管本体采用二氧化钒材料形成且其中掺杂有氢离子；栅极，所述栅极设于所述场效应管本体的上端面；源极以及漏极，所述源极设于所述场效应管本体的第一侧面，所述漏极设于所述场效应管本体的第二侧面，其中，所述第二侧面与所述第一侧面相对。本发明中的场效应管具有开关比更高、开关速度更快、功耗更低的优势，利于推动半导体器件的发展。
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公开(公告)号：CN113488538B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202110600728.8
申请日：2021-05-31
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种场效应管及其制造方法以及场效应管的工作方法，该场效应管包括场效应管本体，其中，所述场效应管本体采用二氧化钒材料形成且其中掺杂有氢离子；栅极，所述栅极设于所述场效应管本体的上端面；源极以及漏极，所述源极设于所述场效应管本体的第一侧面，所述漏极设于所述场效应管本体的第二侧面，其中，所述第二侧面与所述第一侧面相对。本发明中的场效应管具有开关比更高、开关速度更快、功耗更低的优势，利于推动半导体器件的发展。
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公开(公告)号：CN113308669A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110453139.1
申请日：2021-04-26
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明涉及一种稀磁半导体制备技术领域，具体涉及一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)称取适量的锌源和锰源粉末，球磨混合均匀；2)将混合粉末掺入有机粘合剂并调和均匀，压制成圆饼状复合物；3)将圆饼状复合物在400‑1100℃的条件下进行煅烧6‑8小时，冷却至室温得到Zn1‑xMnxO靶材；4)清洗衬底；5)上衬底；6)调控直流磁控溅射装置，对衬底进行磁控溅射靶材进行镀膜，镀膜结束后，冷却至室温，得到Zn1‑xMnxO稀磁半导体薄膜。本发明首次使用石墨烯片作为衬底材料，制备了Zn1‑xMnxO稀磁半导体薄膜；采用直流磁控溅射技术，使靶材材料和衬底更加均匀，Zn1‑xMnxO复合膜更加稳定；且其铁磁性和光致发光性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116446045A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310275388.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种单晶薄膜铁电性的调控方法以及具有铁电性的单晶薄膜，该调控方法包括以下步骤：获取单晶薄膜在衬底上的最佳生长条件，所述生长条件包括温度和氧压；在最佳生长条件下，生长出不同厚度的单晶薄膜；根据不同厚度的单晶薄膜与衬底之间的应力大小不同，通过应力调控出薄膜的铁电性。该调控方法不掺杂任何元素，利用衬底对薄膜的应力作用，调控出具有铁电性的单晶薄膜，调控难度低，可满足工业大面积且低成本的生产铁电材料。
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公开(公告)号：CN112993157A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110155752.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO2的硅片、玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯这些作为基底。本发明的忆阻器均一性优化方法通过清洗、烘干、UVO亲水化处理、钙钛矿微米棒制备、EBL预制水平结构电极、蒸镀及干法转移钙钛矿微米棒得到最终器件；本发明的优化方法利用晶体表面的金属离子迁移活化能较低，为离子迁移提供了最优选的路径，从而在维度上限域CF的形成，提高了器件的稳定性和均一性。
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公开(公告)号：CN116471919A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310275376.2
申请日：2023-03-16
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明公开了一种多铁性复合薄膜以及其制备方法和应用，所述的多铁性复合薄膜包括衬底；生长在所述衬底表面的LSMO/STO超晶格结构；生长在所述LSMO/STO超晶格结构远离所述衬底表面的LSMO薄膜层；其中，所述LSMO/STO超晶格结构由周期性生长的镧锶锰氧LSMO薄膜层和钛酸锶STO膜层所构成。通过本发明的制备方法制得的多铁性复合薄膜具有室温多铁性，可以构造出更多的多铁性材料，为未来低功耗器件应用提供基础。
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公开(公告)号：CN113308669B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202110453139.1
申请日：2021-04-26
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
Abstract: 本发明涉及一种稀磁半导体制备技术领域，具体涉及一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)称取适量的锌源和锰源粉末，球磨混合均匀；2)将混合粉末掺入有机粘合剂并调和均匀，压制成圆饼状复合物；3)将圆饼状复合物在400‑1100℃的条件下进行煅烧6‑8小时，冷却至室温得到Zn1‑xMnxO靶材；4)清洗衬底；5)上衬底；6)调控直流磁控溅射装置，对衬底进行磁控溅射靶材进行镀膜，镀膜结束后，冷却至室温，得到Zn1‑xMnxO稀磁半导体薄膜。本发明首次使用石墨烯片作为衬底材料，制备了Zn1‑xMnxO稀磁半导体薄膜；采用直流磁控溅射技术，使靶材材料和衬底更加均匀，Zn1‑xMnxO复合膜更加稳定；且其铁磁性和光致发光性能优异。
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公开(公告)号：CN112993157B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110155752.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明的一种水平结构的忆阻器及均一性优化方法，包括双端水平电极、介电材料、基底；其中，双端水平电极具有对称性，采用金属作电极，以钙钛矿微米棒材料作为介电材料，以表面有SiO2的硅片、玻璃片、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯这些作为基底。本发明的忆阻器均一性优化方法通过清洗、烘干、UVO亲水化处理、钙钛矿微米棒制备、EBL预制水平结构电极、蒸镀及干法转移钙钛矿微米棒得到最终器件；本发明的优化方法利用晶体表面的金属离子迁移活化能较低，为离子迁移提供了最优选的路径，从而在维度上限域CF的形成，提高了器件的稳定性和均一性。
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