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公开(公告)号：CN110571059B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910797143.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点太阳能电池技术领域，具体涉及到一种量子点太阳能电池及其制备方法。所述量子点太阳能电池包括：依次设置的透明导电衬底、导电层、光阳极和对电极层；所述光阳极包括电子传输层、在所述电子传输层表面依次设置的量子点吸光层和氮化物修饰层、以及填充在所述电子传输层的孔隙中的电解液。该量子点太阳能电池采用原子层沉积技术在量子点表面引入宽禁带氮化物半导体层(即氮化物修饰层)，能有效抑制光生载流子的复合，提高电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN109786480B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910027266.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法；所述太阳能电池包括：背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中的填充层、上电极和设置在所述上电极一侧的抗反射涂层；所述背电极设置在所述衬底一面上，所述纳米阵列结构设置在所述衬底另一面；所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方，所述抗反射涂层面向所述纳米阵列结构。该纳米阵列结构从阵列周期、直径、高度、纳米阵列顶部结构设计和填充物质等方面进行优化，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106531614A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610867091.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 北京科技大学
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/04 , C30B29/406 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及到半导体工艺和器件领域，具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。在蓝宝石衬底上MOCVD生长N-极性的GaN模板，在模板上制备进行极性变换的AlN，并对其进行图形制作，最后在该模板和AlN上使用进行GaN厚膜生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。
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公开(公告)号：CN111640817B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202010387066.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明提供一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法，该悬空横向双异质结光探测器包括：绝缘基底、支撑结构、第一电极、第二电极和由二维材料制成的二维结构；其中，支撑结构设置在绝缘基底上，第一电极和第二电极设置在支撑结构上；二维结构附着于支撑结构材料之上，按照二维结构与支撑结构的接触情况，分为第一接触区、第二接触区和悬空区；其中，在第一接触区和第二接触区处形成异质结。本发明利用悬空横向双异质结对光的吸收与光电转换特性进行光探测应用，制作方法简单易行，无需在二维材料表面上制作电极；一方面降低了高精度光刻的对准难度和制作成本；另一方面也避免了电极工艺对二维材料表面的污染和损伤，恶化器件的电学接触性能。
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公开(公告)号：CN111640817A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010387066.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明提供一种悬空横向双异质结光探测器及其制作方法，该悬空横向双异质结光探测器包括：绝缘基底、支撑结构、第一电极、第二电极和由二维材料制成的二维结构；其中，支撑结构设置在绝缘基底上，第一电极和第二电极设置在支撑结构上；二维结构附着于支撑结构材料之上，按照二维结构与支撑结构的接触情况，分为第一接触区、第二接触区和悬空区；其中，在第一接触区和第二接触区处形成异质结。本发明利用悬空横向双异质结对光的吸收与光电转换特性进行光探测应用，制作方法简单易行，无需在二维材料表面上制作电极；一方面降低了高精度光刻的对准难度和制作成本；另一方面也避免了电极工艺对二维材料表面的污染和损伤，恶化器件的电学接触性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109742241A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910120549.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种以ALD沉积GaN作为电子传输层的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法；所述钙钛矿薄膜太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属对电极。本发明申请采用原子层沉积(ALD)技术在透明导电衬底上沉积氮化镓薄膜来替代目前常用的金属氧化物作为电子传输层。GaN薄膜具有与钙钛矿吸光层匹配的能带位置和较高的电子迁移率；同时GaN薄膜较低的沉积温度有望推进柔性钙钛矿薄膜太阳能电池的发展。
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公开(公告)号：CN111640768A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010386632.1
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/11
Abstract: 本发明提供一种垂直双异质结光探测器面阵及其制作方法，该垂直双异质结光探测器面阵包括透明基底，该透明基底上设置有下欧姆接触层，该下欧姆接触层上设置有多个柱形双异质结探测器单元，多个柱形双异质结探测器单元在下欧姆接触层上有序排列，形成柱形双异质结探测器阵列；每一柱形双异质结探测器单元分别包括自下而上设置的下光吸收层、中光吸收层、上光吸收层以及上欧姆接触层；在下欧姆接触层上设置有共电极，每一上欧姆接触层上分别设置有上电极，多个上电极形成上电极阵列。本发明能够实现覆盖红外-可见-紫外波段的超宽谱光探测，可实现大面积、高分辨、实时动态的光探测成像，同时其光响应度高、响应时间快，且具有极低的暗电流。
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公开(公告)号：CN108376704B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810116375.2
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/76 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/18
Abstract: 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。
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公开(公告)号：CN111640768B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010386632.1
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/11
Abstract: 本发明提供一种垂直双异质结光探测器面阵及其制作方法，该垂直双异质结光探测器面阵包括透明基底，该透明基底上设置有下欧姆接触层，该下欧姆接触层上设置有多个柱形双异质结探测器单元，多个柱形双异质结探测器单元在下欧姆接触层上有序排列，形成柱形双异质结探测器阵列；每一柱形双异质结探测器单元分别包括自下而上设置的下光吸收层、中光吸收层、上光吸收层以及上欧姆接触层；在下欧姆接触层上设置有共电极，每一上欧姆接触层上分别设置有上电极，多个上电极形成上电极阵列。本发明能够实现覆盖红外‑可见‑紫外波段的超宽谱光探测，可实现大面积、高分辨、实时动态的光探测成像，同时其光响应度高、响应时间快，且具有极低的暗电流。
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公开(公告)号：CN109742241B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910120549.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种以ALD沉积GaN作为电子传输层的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法；所述钙钛矿薄膜太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属对电极。本发明申请采用原子层沉积(ALD)技术在透明导电衬底上沉积氮化镓薄膜来替代目前常用的金属氧化物作为电子传输层。GaN薄膜具有与钙钛矿吸光层匹配的能带位置和较高的电子迁移率；同时GaN薄膜较低的沉积温度有望推进柔性钙钛矿薄膜太阳能电池的发展。
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