公开(公告)号：CN106531614A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610867091.8

申请日：2016-09-29

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘三姐 ,  郑新和 ,  侯彩霞 ,  王瑾 ,  何荧峰 ,  李美玲

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/04 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B25/04 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及到半导体工艺和器件领域，具体指一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法。在蓝宝石衬底上MOCVD生长N-极性的GaN模板，在模板上制备进行极性变换的AlN，并对其进行图形制作，最后在该模板和AlN上使用进行GaN厚膜生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。

公开(公告)号：CN106505408B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201610936664.8

申请日：2016-11-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 王瑾 ,  郑新和 ,  刘三姐 ,  侯彩霞 ,  何荧峰 ,  李美玲

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法，属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀，形成P‑GaN有源区脊条，在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层；再沉积一层SiO2；然后剥离光刻胶，使全部被刻蚀露出的表面与SiO2层之间都镀上一层Al薄层；最后，重复以上标准光刻步骤进行N型区域开窗以及镀扩展电极等工艺操作。该方法可以有效修复因刻蚀引入的表面损伤和刻蚀之后表面附着的O元素对于电子和空穴复合的影响，氧化形成的氧化层还能保护P‑GaN部分，有效提高激光器性能与寿命。

公开(公告)号：CN108376704A

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201810116375.2

申请日：2018-02-06

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何荧峰 ,  郑新和 ,  彭铭曾 ,  卫会云 ,  刘三姐 ,  李美玲 ,  宋祎萌 ,  仇鹏 ,  安运来 ,  王瑾

IPC: H01L29/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L29/7606 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66007

Abstract: 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。

公开(公告)号：CN106783551A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710039132.9

申请日：2017-01-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘三姐 ,  郑新和 ,  彭铭曾 ,  侯彩霞 ,  王瑾 ,  何荧峰 ,  李美玲

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02376 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种在N‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的N‑极性GaN作为模板，在所述模板上通过光刻工艺制作图案化的光刻胶作为掩膜层，在所述掩膜层上用T‑ALD方法选择性生长用于极性变换的AlN，T‑ALD方法可使工艺温度低于掩膜层的熔点，保证掩膜层不变形，能制备均匀性好、厚度可以精确控制的AlN薄膜，剥离掩膜层图案化AlN，省去了传统图案化工艺的刻蚀步骤，避免了刻蚀对器件结构的损害，最后在裸露的N‑极性GaN模板和图案化的AlN上使用HVPE方法进行厚膜GaN生长，有望得到厚度达1mm的极性交替的GaN结构，以满足高功率器件对厚膜交替极性GaN的要求。

公开(公告)号：CN106505408A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610936664.8

申请日：2016-11-01

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 王瑾 ,  郑新和 ,  刘三姐 ,  侯彩霞 ,  何荧峰 ,  李美玲

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/34

CPC classification number: H01S5/22 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供一种脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法，属于半导体工艺领域。该方法通过对GaN样品进行刻蚀，形成P-GaN有源区脊条，在不进行去胶步骤的情况下直接使用ALD沉积一层Al薄层；再沉积一层SiO2；然后剥离光刻胶，使全部被刻蚀露出的表面与SiO2层之间都镀上一层Al薄层；最后，重复以上标准光刻步骤进行N型区域开窗以及镀扩展电极等工艺操作。该方法可以有效修复因刻蚀引入的表面损伤和刻蚀之后表面附着的O元素对于电子和空穴复合的影响，氧化形成的氧化层还能保护P-GaN部分，有效提高激光器性能与寿命。

公开(公告)号：CN108376704B

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810116375.2

申请日：2018-02-06

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 何荧峰 ,  郑新和 ,  彭铭曾 ,  卫会云 ,  刘三姐 ,  李美玲 ,  宋祎萌 ,  仇鹏 ,  安运来 ,  王瑾

IPC: H01L29/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/267 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。

公开(公告)号：CN106847668A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710039125.9

申请日：2017-01-19

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 刘三姐 ,  郑新和 ,  彭铭曾 ,  侯彩霞 ,  王瑾 ,  何荧峰 ,  李美玲

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种在Ga‑极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法，属于半导体工艺和器件领域。以在蓝宝石衬底上MOCVD生长的Ga‑极性GaN作为模板，在模板上通过光刻工艺制作图案化的聚乙烯吡咯烷酮膜为掩膜层，在所述掩膜层上用PE‑ALD法选择性生长用于极性变换的Al2O3，PE‑ALD方法可使工艺温度低于掩膜层的熔点，保证掩膜层不变形的同时能制备均匀性好、厚度可精确控制的Al2O3薄膜，剥离掩膜层图案化Al2O3,并通过高温退火对Al2O3进行结晶化处理，最后在裸露的Ga‑极性GaN模板和图案化的Al2O3上使用氢化物气相外延方法进行厚膜GaN生长，有望满足高功率器件需要厚度达1mm的极性交替的GaN要求。