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公开(公告)号：CN118853160A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410861643.9
申请日：2024-06-28
Applicant: 北京科技大学 , 中国铁路郑州局集团有限公司
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，提供一种控制全无机非铅钙钛矿纳晶生长过程的方法及其应用，该全无机非铅钙钛矿纳晶包括化学式为ABX3的ABX3纳晶，A包括Cs+、K+、Rb+中的一种或者两种以上的组合，B包括Sn2+、Ge2+、Eu2+、Mn2+中的一种或者两种以上的组合，X包括Cl‑、I‑、Br‑中的一种或者两种以上的组合；该方法包括：设化学式为AX的AX纳晶或含所述AX纳晶的分散液为第一原料；设含有B的前驱液为第二原料；第一原料和第二原料混合后在第一溶剂的诱导作用下使AX纳晶可控生成所述ABX3纳晶。本发明的方法解决了无机非铅钙钛矿纳晶在直接合成过程中的因生长速率过快使其结构性质不可控的难题。
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公开(公告)号：CN110571059B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910797143.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点太阳能电池技术领域，具体涉及到一种量子点太阳能电池及其制备方法。所述量子点太阳能电池包括：依次设置的透明导电衬底、导电层、光阳极和对电极层；所述光阳极包括电子传输层、在所述电子传输层表面依次设置的量子点吸光层和氮化物修饰层、以及填充在所述电子传输层的孔隙中的电解液。该量子点太阳能电池采用原子层沉积技术在量子点表面引入宽禁带氮化物半导体层(即氮化物修饰层)，能有效抑制光生载流子的复合，提高电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN109786480B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910027266.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法；所述太阳能电池包括：背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中的填充层、上电极和设置在所述上电极一侧的抗反射涂层；所述背电极设置在所述衬底一面上，所述纳米阵列结构设置在所述衬底另一面；所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方，所述抗反射涂层面向所述纳米阵列结构。该纳米阵列结构从阵列周期、直径、高度、纳米阵列顶部结构设计和填充物质等方面进行优化，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118853161A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410862303.8
申请日：2024-06-28
Applicant: 北京科技大学 , 中国铁路郑州局集团有限公司
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，提供一种用于全无机非铅钙钛矿纳晶制备的反应体系及其应用，该反应体系包括化学式为AX的AX纳晶、络合物、第二配体和溶剂，络合物由第一配体、B和X构成，所述第二配体与所述络合物进行质子化反应所得的中间产物释放B和X；AX纳晶中的A在溶剂中可溶出；AX纳晶和ABX3纳晶在溶剂中保持单分散状态；ABX3纳晶在溶剂中不分解。该特定的反应体系，不仅可以实现在较低温度下获得光电性质优异、结晶质量好的高对称性立方(α)相ABX3钙钛矿纳晶，而且其极好的生长可控性，更易于制备具有强量子限域效应的小尺寸ABX3钙钛矿量子点，从而实现宽范围光谱性质调变及其应用领域的拓宽。
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公开(公告)号：CN111640768A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010386632.1
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/11
Abstract: 本发明提供一种垂直双异质结光探测器面阵及其制作方法，该垂直双异质结光探测器面阵包括透明基底，该透明基底上设置有下欧姆接触层，该下欧姆接触层上设置有多个柱形双异质结探测器单元，多个柱形双异质结探测器单元在下欧姆接触层上有序排列，形成柱形双异质结探测器阵列；每一柱形双异质结探测器单元分别包括自下而上设置的下光吸收层、中光吸收层、上光吸收层以及上欧姆接触层；在下欧姆接触层上设置有共电极，每一上欧姆接触层上分别设置有上电极，多个上电极形成上电极阵列。本发明能够实现覆盖红外-可见-紫外波段的超宽谱光探测，可实现大面积、高分辨、实时动态的光探测成像，同时其光响应度高、响应时间快，且具有极低的暗电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108376704B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810116375.2
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/76 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/18
Abstract: 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。
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公开(公告)号：CN116656363B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310455890.4
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及新材料技术领域，提供一种量子点表面配体处理的方法及其应用，该方法包括：将温度为室温～100℃的粒子束流作用于所述配体使其分子链上的化学键断裂。本发明通过粒子束流轰击上述配体可使某些特定化学键发生断裂，使量子点表面配体的分子链缩短或者对配体进行改性，该过程不需要高温来实现，从而在实现配体中化学键“温和”可控的选择性断裂方面有着明显的优势，更好地保护量子点本身不受到损害，保证量子点的光电性质不会受到影响，同时还可以选择性调控量子点薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN111640768B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010386632.1
申请日：2020-05-09
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/11
Abstract: 本发明提供一种垂直双异质结光探测器面阵及其制作方法，该垂直双异质结光探测器面阵包括透明基底，该透明基底上设置有下欧姆接触层，该下欧姆接触层上设置有多个柱形双异质结探测器单元，多个柱形双异质结探测器单元在下欧姆接触层上有序排列，形成柱形双异质结探测器阵列；每一柱形双异质结探测器单元分别包括自下而上设置的下光吸收层、中光吸收层、上光吸收层以及上欧姆接触层；在下欧姆接触层上设置有共电极，每一上欧姆接触层上分别设置有上电极，多个上电极形成上电极阵列。本发明能够实现覆盖红外‑可见‑紫外波段的超宽谱光探测，可实现大面积、高分辨、实时动态的光探测成像，同时其光响应度高、响应时间快，且具有极低的暗电流。
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公开(公告)号：CN109742241B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910120549.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种以ALD沉积GaN作为电子传输层的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法；所述钙钛矿薄膜太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属对电极。本发明申请采用原子层沉积(ALD)技术在透明导电衬底上沉积氮化镓薄膜来替代目前常用的金属氧化物作为电子传输层。GaN薄膜具有与钙钛矿吸光层匹配的能带位置和较高的电子迁移率；同时GaN薄膜较低的沉积温度有望推进柔性钙钛矿薄膜太阳能电池的发展。
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公开(公告)号：CN110571059A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910797143.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点太阳能电池技术领域，具体涉及到一种量子点太阳能电池及其制备方法。所述量子点太阳能电池包括：依次设置的透明导电衬底、导电层、光阳极和对电极层；所述光阳极包括电子传输层、在所述电子传输层表面依次设置的量子点吸光层和氮化物修饰层、以及填充在所述电子传输层的孔隙中的电解液。该量子点太阳能电池采用原子层沉积技术在量子点表面引入宽禁带氮化物半导体层(即氮化物修饰层)，能有效抑制光生载流子的复合，提高电池的效率和稳定性。
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