公开(公告)号：CN110571059A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910797143.2

申请日：2019-08-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 卫会云 ,  仇鹏 ,  郑新和 ,  彭铭曾 ,  王茜茜 ,  刘三姐 ,  何荧峰 ,  宋祎萌

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  H01G9/004

Abstract: 本发明涉及量子点太阳能电池技术领域，具体涉及到一种量子点太阳能电池及其制备方法。所述量子点太阳能电池包括：依次设置的透明导电衬底、导电层、光阳极和对电极层；所述光阳极包括电子传输层、在所述电子传输层表面依次设置的量子点吸光层和氮化物修饰层、以及填充在所述电子传输层的孔隙中的电解液。该量子点太阳能电池采用原子层沉积技术在量子点表面引入宽禁带氮化物半导体层(即氮化物修饰层)，能有效抑制光生载流子的复合，提高电池的效率和稳定性。

公开(公告)号：CN110571059B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201910797143.2

申请日：2019-08-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 卫会云 ,  仇鹏 ,  郑新和 ,  彭铭曾 ,  王茜茜 ,  刘三姐 ,  何荧峰 ,  宋祎萌

IPC: H01G9/20 ,  H01G9/042 ,  H01G9/004

Abstract: 本发明涉及量子点太阳能电池技术领域，具体涉及到一种量子点太阳能电池及其制备方法。所述量子点太阳能电池包括：依次设置的透明导电衬底、导电层、光阳极和对电极层；所述光阳极包括电子传输层、在所述电子传输层表面依次设置的量子点吸光层和氮化物修饰层、以及填充在所述电子传输层的孔隙中的电解液。该量子点太阳能电池采用原子层沉积技术在量子点表面引入宽禁带氮化物半导体层(即氮化物修饰层)，能有效抑制光生载流子的复合，提高电池的效率和稳定性。