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公开(公告)号：CN109742241B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910120549.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种以ALD沉积GaN作为电子传输层的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法；所述钙钛矿薄膜太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属对电极。本发明申请采用原子层沉积(ALD)技术在透明导电衬底上沉积氮化镓薄膜来替代目前常用的金属氧化物作为电子传输层。GaN薄膜具有与钙钛矿吸光层匹配的能带位置和较高的电子迁移率；同时GaN薄膜较低的沉积温度有望推进柔性钙钛矿薄膜太阳能电池的发展。
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公开(公告)号：CN110571059A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910797143.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点太阳能电池技术领域，具体涉及到一种量子点太阳能电池及其制备方法。所述量子点太阳能电池包括：依次设置的透明导电衬底、导电层、光阳极和对电极层；所述光阳极包括电子传输层、在所述电子传输层表面依次设置的量子点吸光层和氮化物修饰层、以及填充在所述电子传输层的孔隙中的电解液。该量子点太阳能电池采用原子层沉积技术在量子点表面引入宽禁带氮化物半导体层(即氮化物修饰层)，能有效抑制光生载流子的复合，提高电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN109786480A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910027266.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法；所述太阳能电池包括：背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中的填充层、上电极和设置在所述上电极一侧的抗反射涂层；所述背电极设置在所述衬底一面上，所述纳米阵列结构设置在所述衬底另一面；所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方，所述抗反射涂层面向所述纳米阵列结构。该纳米阵列结构从阵列周期、直径、高度、纳米阵列顶部支构面结构设计和填充物质等方面进行优化，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109742241A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910120549.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别是涉及一种以ALD沉积GaN作为电子传输层的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法；所述钙钛矿薄膜太阳能电池包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属对电极。本发明申请采用原子层沉积(ALD)技术在透明导电衬底上沉积氮化镓薄膜来替代目前常用的金属氧化物作为电子传输层。GaN薄膜具有与钙钛矿吸光层匹配的能带位置和较高的电子迁移率；同时GaN薄膜较低的沉积温度有望推进柔性钙钛矿薄膜太阳能电池的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110571059B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910797143.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点太阳能电池技术领域，具体涉及到一种量子点太阳能电池及其制备方法。所述量子点太阳能电池包括：依次设置的透明导电衬底、导电层、光阳极和对电极层；所述光阳极包括电子传输层、在所述电子传输层表面依次设置的量子点吸光层和氮化物修饰层、以及填充在所述电子传输层的孔隙中的电解液。该量子点太阳能电池采用原子层沉积技术在量子点表面引入宽禁带氮化物半导体层(即氮化物修饰层)，能有效抑制光生载流子的复合，提高电池的效率和稳定性。
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公开(公告)号：CN109786480B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910027266.8
申请日：2019-01-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种纳米阵列结构太阳能电池及其制备方法；所述太阳能电池包括：背电极、纳米阵列结构、附有纳米阵列结构和所述背电极的衬底、设置在所述纳米阵列结构表面的吸光层、填充在所述纳米阵列结构空隙中的填充层、上电极和设置在所述上电极一侧的抗反射涂层；所述背电极设置在所述衬底一面上，所述纳米阵列结构设置在所述衬底另一面；所述上电极设置在所述纳米阵列结构上方，所述抗反射涂层面向所述纳米阵列结构。该纳米阵列结构从阵列周期、直径、高度、纳米阵列顶部结构设计和填充物质等方面进行优化，提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108376704B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810116375.2
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/76 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/18
Abstract: 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。
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公开(公告)号：CN116169016A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310055507.6
申请日：2023-01-17
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/51 , H01L29/49 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B29/40
Abstract: 本发明公开了一种使用PEALD生长薄膜时减小对衬底的损伤方法，属于无机材料领域。首先对所选衬底进行清洗以去除表面污染和氧化物；之后将清洗过的衬底立刻放入PEALD反应腔内，待温度达到沉积温度后，至少保持20分钟让温度达到稳定；最后，在外延需要等离子体的氮化物薄膜之前，先外延一层不采用等离子体源的氧化物薄膜，形成保护层，该保护层一方面可以有效的避免等离子体对衬底的损伤，使腔室压强维持稳定，有利于改善外延薄膜和衬底之间的界面质量；另一方面，对于器件来说，氧化物通常作为High k材料用于栅介质层，可有效减小泄漏电流，使器件性能得到进一步提升。
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公开(公告)号：CN108376704A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810116375.2
申请日：2018-02-06
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/76 , H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/18
CPC classification number: H01L29/7606 , H01L29/0684 , H01L29/267 , H01L29/66007
Abstract: 本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法，属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层，并在异质结上通过光刻技术生长电极；用离子刻蚀技术进行器件绝缘化；转移石墨烯至异质结表面作为基区，通过光刻技术形成基区电极；最后使用PEALD在石墨烯上生长GaN薄膜作为第二势垒层，并在表面形成金属集电区。本发明通过使用PEALD在石墨烯上沉积GaN作为第二势垒层，将石墨烯与GaN基宽禁带半导体材料相结合，发挥两种材料体系的优势，有效提升了热电子晶体管的性能，缩小器件尺寸。该方法热预算低，对石墨烯造成的损伤小，有效避免了器件在生产过程中造成的损伤。
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