公开(公告)号：CN116169016A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310055507.6

申请日：2023-01-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 邱洪宇 ,  郑新和 ,  卫会云 ,  仇鹏 ,  刘恒 ,  杨晋 ,  田丰 ,  朱晓丽 ,  胡玉玉

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/20 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种使用PEALD生长薄膜时减小对衬底的损伤方法，属于无机材料领域。首先对所选衬底进行清洗以去除表面污染和氧化物；之后将清洗过的衬底立刻放入PEALD反应腔内，待温度达到沉积温度后，至少保持20分钟让温度达到稳定；最后，在外延需要等离子体的氮化物薄膜之前，先外延一层不采用等离子体源的氧化物薄膜，形成保护层，该保护层一方面可以有效的避免等离子体对衬底的损伤，使腔室压强维持稳定，有利于改善外延薄膜和衬底之间的界面质量；另一方面，对于器件来说，氧化物通常作为High k材料用于栅介质层，可有效减小泄漏电流，使器件性能得到进一步提升。