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公开(公告)号：CN113140641B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110405178.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0203 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法，能够在室温和大气环境下能稳定工作。本发明的柔性二维材料光探测器阵列，其中的二维材料NbSe2通常存在三棱柱结构(2H相)或八面体结构(1T相)，2H相为半金属，1T相为莫特绝缘体，生长的大面积或体材料通常是2H相，2H相的半金属薄膜因其光电导特性适合作为光电器件的光敏层材料，且相比于体材料具有较低的暗电流，对波长为532nm到808nm光谱范围内的光照具有响应。
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公开(公告)号：CN115385065B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202210992374.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京理工大学
IPC: B65G47/74
Abstract: 本发明实施例公开了一种同轴可切换样品托的传样装置和超高真空传样系统，传样装置包括旋转抵触抓取部和端盖部，且旋转抵触抓取部与端盖部之间通过弹性复位元件组连接，其中，旋转抵触抓取部至少包括自内而外顺次套接且同轴设置的中轴组件、至少一组内套筒组件和外套筒组件；且，至少内套筒组件和外套筒组件中远离端盖部的一端各自形成有与样品托配合的配接口；至少内套筒组件和外套筒组件沿周向方向可自转地设置。实现了在不更换传样装置的前提下，能够针对性适配不同的样品托且能够在操作过程中进行自适应/自动切换，大大降低换件时间和真空环境的构建时间，提高整体的操作效率，降低在更换样品托的前提下的操作成本的效果。
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公开(公告)号：CN116836033A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310721885.3
申请日：2023-06-16
Applicant: 北京理工大学
IPC: C07C1/26 , C07C15/14 , C07C51/353 , C07C63/333 , B01J23/46 , B01J33/00 , C07C13/547 , C07B37/04 , C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/12 , C23C14/24 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/58
Abstract: 本发明公开了一种改进的乌尔曼偶联方法，通过在乌尔曼偶联作用层表面形成保护层，将芳香族卤代物前驱体吸附在形成有保护层的乌尔曼偶联作用层上，热处理发生乌尔曼偶联反应得到具有C‑C共价键的低维纳米结构。该方法通过在乌尔曼偶联作用层表面设置保护层，能避免乌尔曼偶联作用层表面被毒化导致失去反应活性，同时减少生成有机金属配体等副产物，提高了反应产率和产量。
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公开(公告)号：CN116403911A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310269326.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种制备二维纳米材料同质结和异质结的方法,首先利用分子束外延技术在超润滑基底上生长高质量的单层岛状二维材料，其次利用扫描隧道显微镜的针尖操纵技术,并采用平面拼接和层间堆叠这两种方式中的任意一种方式对二维材料进行处理，以在纳米尺度上实现对同质结和异质结的可控制备。本发明流程简单，能改良现有的同质结和异质结制备方法，获得高质量、无污染、界面原子结构精准可控、层间转角精确可调的二维材料同质结和异质结样品，适于推广应用。
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公开(公告)号：CN113140641A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110405178.4
申请日：2021-04-15
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0203 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/28 , C23C14/35
Abstract: 本发明提供了一种柔性二维材料光探测器阵列及其制作方法，能够在室温和大气环境下能稳定工作。本发明的柔性二维材料光探测器阵列，其中的二维材料NbSe2通常存在三棱柱结构(2H相)或八面体结构(1T相)，2H相为半金属，1T相为莫特绝缘体，生长的大面积或体材料通常是2H相，2H相的半金属薄膜因其光电导特性适合作为光电器件的光敏层材料，且相比于体材料具有较低的暗电流，对波长为532nm到808nm光谱范围内的光照具有响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118239846A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410330027.0
申请日：2024-03-21
Applicant: 北京理工大学
IPC: C07C209/60 , C07C211/54 , C07D493/06 , C01B32/154 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/46 , C23C14/12
Abstract: 本申请实施例提出一种分子二聚体的制备方法，包括：步骤S1：在金属材料表面上生成单原子层，形成纳米网络；和步骤S2：将目标分子吸附在所述纳米网络上，并利用设计的分子间电子转移机制，以形成所述分子二聚体。本发明实施例提供的一种分子二聚体的制备方法能够简易且高效地实现分子二聚体的制备。本申请实施例还提供一种分子二聚体。
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公开(公告)号：CN115385065A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210992374.0
申请日：2022-08-18
Applicant: 北京理工大学
IPC: B65G47/74
Abstract: 本发明实施例公开了一种同轴可切换样品托的传样装置和超高真空传样系统，传样装置包括旋转抵触抓取部和端盖部，且旋转抵触抓取部与端盖部之间通过弹性复位元件组连接，其中，旋转抵触抓取部至少包括自内而外顺次套接且同轴设置的中轴组件、至少一组内套筒组件和外套筒组件；且，至少内套筒组件和外套筒组件中远离端盖部的一端各自形成有与样品托配合的配接口；至少内套筒组件和外套筒组件沿周向方向可自转地设置。实现了在不更换传样装置的前提下，能够针对性适配不同的样品托且能够在操作过程中进行自适应/自动切换，大大降低换件时间和真空环境的构建时间，提高整体的操作效率，降低在更换样品托的前提下的操作成本的效果。
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公开(公告)号：CN112002804A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010910693.3
申请日：2020-09-02
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请公开了一种高k栅介质材料及其制备方法和应用，所述高k栅介质材料包括硅衬底，衬底表面沉积有栅介质层；栅介质层中含有金属钕和铪。本申请通过在氧气氛围下共溅射钕和铪材料，实现一种高质量掺杂高k栅介质材料的制备。钕元素氧化物具有电荷陷阱少，氧空位密度低，缺陷密度低的有点，但是吸湿性严重；铪元素氧化物具有抗吸湿性，但相对缺陷较多，氧空位密度高，电荷陷阱多，通过以钕为主要占比，铪为次占比的掺杂，得到了一种高质量的钕-铪氧氮化物栅介质材料，并在并五苯有机晶体管上取得了优异性能，拓展了高k栅介质材料的开发与应用前景。
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公开(公告)号：CN119121414A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411179203.1
申请日：2024-08-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本申请实施例提出一种二维材料异质结的制备方法，包括步骤S1：获取所述二维材料；和步骤S2：利用扫描隧道显微镜的探针，对所述二维材料的异质结进行操纵。本发明实施例提供的一种二维材料的制备方法能够精确地对二维材料的异质结进行操纵，并且不会不可逆地破坏二维材料的结构。本申请实施例还提供一种二维材料。
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公开(公告)号：CN117529118A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210895149.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了大规模位置可控的碳纳米管的制备方法，以及基于碳纳米管场效应晶体管的三维集成电路及其制备方法。具体为：选定所需特性的碳纳米均匀分散到溶液中；使用特殊的容器，将碳纳米管转移到特殊设计的模具上；再利用干冰保护与固定碳纳米管，之后转移到晶圆上；多次转移后形成晶圆上大规模、位置可控的碳纳米管沟道；最后进行集成电路的制备。上述过程中，在一层碳纳米管集成电路制备完成后，还可在其上制备绝缘隔离层，再制备多层叠加的三维集成电路。本发明解决了制备基于碳纳米管场效应晶体管的大规模集成电路的核心难题，既为后摩尔时代的集成电路开辟了道路，也开创了沟道材料代工的集成电路的新的产业链与商业模式。
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