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公开(公告)号:CN119492917A
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202311017202.2
申请日:2023-08-14
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻型气体传感元件的电阻测量系统及方法,属于气体传感元件技术领域,解决了现有技术中被测气体传感元件的电阻大幅变化时的测量精度较低的问题。本发明的电阻测量系统包括:基准电压产生电路和电压反馈式电流源电路,基准电压产生电路用于产生恒定的精密电压;电压反馈式电流源电路包括:外部直流电源、第一运算放大器、第一MOS管、电流反馈电阻和电压放大器,其中,测量待测气体传感元件的电阻时,电压反馈式电流源电路使流经待测气体传感元件的电流为恒定的精密电流。本发明实现了气体传感元件工作在低功耗状态下的电阻测量,确保气体传感元件电阻发生变化时的电阻测量精度。
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公开(公告)号:CN110371920B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN201910631525.8
申请日:2019-07-12
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , G01N21/3504
Abstract: 本申请涉及一种抑制NDIR气体传感器振动敏感性的方法及装置,属于传感器技术领域,该方法包括:在硬质基底上刻蚀微槽将待柔性化的功能单元离散化;在所述微槽内填充柔性材料,形成离散化的所述功能单元之间的柔性物理连接;通过背面的深刻蚀将所述微槽下方多余的硬质基底材料去除,形成由柔性材料连接的柔性结构。实现了NDIR中的各个功能单元的柔性化集成,在不依赖外部隔振系统的条件下提升NDIR气体传感器的振动环境适应性。
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公开(公告)号:CN115096942A
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN202210504948.5
申请日:2022-05-10
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本公开是关于一种气敏传感器芯片制备方法、装置、电子设备以及存储介质。其中,该方法包括:将研磨后的金属氧化物粉末第一次烧结处理后,通过丝网印刷机在芯片上涂覆成膜形成印刷区;基于第二预设条件对所述芯片进行烘烤处理,以使所述印刷区定型;将印刷区定型后的芯片基于第三预设条件进行第二次烧结处理,完成芯片的制备。本公开通过芯片进行特定温度二次烧结的工艺,去除材料中在高温高湿条件下吸收结合水的物质,以此提高材料稳定性,进一步提升传感器芯片的使用寿命。
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公开(公告)号:CN109341727B
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN201811250818.3
申请日:2018-10-25
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01D5/12
Abstract: 本发明涉及一种柔性可拉伸式传感器,属于传感器技术领域,解决了现有柔性可拉伸式传感器易损坏、探测结果不准确、电路设计不合理的问题。本发明公开的柔性可拉伸式传感器包括M×N个探测单元排列形成的M×N阵列;其中,每个所述探测单元包括可拉伸部分和不可拉伸部分;每个探测单元的传感模块设置于不可拉伸部分,通过可拉伸部分设置的导线与相邻探测单元的传感模块连接。使用时,通过可拉伸部分实现宏观的拉伸功能,同时不影响不可拉伸部分的探测功能。通过不可拉伸部分的结构设计,能够避免传感模块被拉伸导致电学性能变差,使得传感器读出数值稳定、可靠。并且,利用阵列化设计,使得整个系统结构尺寸较小,控制电路简单,且成本低廉。
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公开(公告)号:CN108970657B
公开(公告)日:2021-04-13
申请号:CN201810818385.0
申请日:2018-07-24
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种微流体阵列控制器的制备方法,属于微流体控制技术领域,解决了现有技术不易实现大规模微流体阵列控制的问题。本发明公开的制备方法,包括如下步骤:制备微流体控制单元,该微流体控制单元包括微流体通道器件、薄膜晶体管器件、电容;按预设需求选取电源1、电源2;将M×N个所述微流体控制单元排列成M×N阵列,并进行线路连接。本发明制备的M×N阵列只需要M+N+2条引线,且微流体控制电压只需要20V左右。本发明所述制备方法能够实现大规模的微流体阵列控制,并能够大幅度降低大规模微流体阵列控制难度,减少引线数量,为微流体控制芯片的实用化提供了新的技术途径。
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公开(公告)号:CN112505098A
公开(公告)日:2021-03-16
申请号:CN202011187079.5
申请日:2020-10-29
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 一种MEMS气体敏感结构及其制备工艺方法,MEMS气体敏感结构包括衬底、金属电极层和气敏层,金属电极层通过在衬底上经过溅射‑图形化‑腐蚀工艺而形成,气敏层为在金属电极层上通过物理气相沉积(PVD)与溶液滴涂或旋涂工艺制备,并经过图形化后形成气敏材料薄膜,该气敏材料薄膜由过渡金属氧化物薄层和有机高分子薄膜复合形成。本发明的MEMS气体敏感结构基于过渡金属氧化物和高分子有机物复合后形成的薄膜作为气敏层,可在常温条件下实现对多种气体的敏感,相比于传统的金属氧化物气敏材料,可大幅改善其场景可用性,并可降低系统的复杂度,且气敏结构的制备基于标准MEMS工艺,易于实现标准化和批量化。
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公开(公告)号:CN110371920A
公开(公告)日:2019-10-25
申请号:CN201910631525.8
申请日:2019-07-12
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , G01N21/3504
Abstract: 本申请涉及一种抑制NDIR气体传感器振动敏感性的方法及装置,属于传感器技术领域,该方法包括:在硬质基底上刻蚀微槽将待柔性化的功能单元离散化;在所述微槽内填充柔性材料,形成离散化的所述功能单元之间的柔性物理连接;通过背面的深刻蚀将所述微槽下方多余的硬质基底材料去除,形成由柔性材料连接的柔性结构。实现了NDIR中的各个功能单元的柔性化集成,在不依赖外部隔振系统的条件下提升NDIR气体传感器的振动环境适应性。
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公开(公告)号:CN109341727A
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201811250818.3
申请日:2018-10-25
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01D5/12
Abstract: 本发明涉及一种柔性可拉伸式传感器,属于传感器技术领域,解决了现有柔性可拉伸式传感器易损坏、探测结果不准确、电路设计不合理的问题。本发明公开的柔性可拉伸式传感器包括M×N个探测单元排列形成的M×N阵列;其中,每个所述探测单元包括可拉伸部分和不可拉伸部分;每个探测单元的传感模块设置于不可拉伸部分,通过可拉伸部分设置的导线与相邻探测单元的传感模块连接。使用时,通过可拉伸部分实现宏观的拉伸功能,同时不影响不可拉伸部分的探测功能。通过不可拉伸部分的结构设计,能够避免传感模块被拉伸导致电学性能变差,使得传感器读出数值稳定、可靠。并且,利用阵列化设计,使得整个系统结构尺寸较小,控制电路简单,且成本低廉。
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公开(公告)号:CN108844652A
公开(公告)日:2018-11-20
申请号:CN201810400193.8
申请日:2018-04-28
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01K7/18 , G01N27/333 , G05D23/22
Abstract: 本发明涉及一种MEMS气体传感器芯片、传感器及传感器的制备方法,属于气体检测技术领域,解决了现有技术价格昂贵、响应时间长、环境稳定性差的问题。MEMS气体传感器芯片包括气体敏感单元、温度敏感单元、敏感结构衬底和温度控制单元。MEMS气体传感器,包括MEMS气体传感器芯片和控制电路;控制电路又包括微控制器、N型MOSFET、P型MOSFET、正负电源。微控制器对温度敏感单元采集的实际温度与预设温度进行比较,根据比较结果输出控制信号,控制N型MOSFET和P型MOSFET的通断,进而控制流经温度控制单元的电流方向和大小,改变敏感结构衬底表面的温度。本发明MEMS气体传感器操作简单、通用性强,可同时测量多种气体的浓度,节省了成本,而且响应时间短、环境稳定性好。
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公开(公告)号:CN107421564A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710486702.9
申请日:2017-06-23
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01C25/00
CPC classification number: G01C25/005
Abstract: 本发明涉及一种四位置寻北仪转位误差补偿方法。本发明通过确定四个标准位置;记录到达四个标准位置时惯性传感器的实际测量数据;测量到达四个标准位置的转位误差角θ0,θ1,θ2和θ3;再根据转位误差角θ0,θ1,θ2和θ3来补偿惯性传感器输出的角速度和加速度原始测量数据;最后通过补偿后的惯性传感器数据来进行寻北解算,得到寻北仪基准边与北向夹角φ。本发明可解决四位置寻北仪转位误差的补偿问题,有效提高寻北仪寻北精度。
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