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公开(公告)号：CN113533448A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110685921.6
申请日：2021-06-21
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请揭示了一种气体传感器测试系统、测试方法及上位机，该气体传感器测试系统包括气氛提供结构、密封腔体、电阻采样电路和数据采集卡，气氛提供结构包括多条气路，所述多条气路并联并与所述密封腔体连接，通过控制气路的通断选择性地向所述密封腔体输送测试气体；密封腔体用于放置待检气体测传感器，并通过采样电路对传感器信号进行采集；传感器信号经信号处理后输入至数据采集卡，完成数据采集。本申请在对气体传感器的性能进行测试时，通过气氛提供结构可实现不同待测气体浓度和湿度条件的气体环境配置；通过采样电路提升采样电路输入阻抗，增加了气体传感器的电阻测量量程，提升传感器的电阻检测能力、准确度及精度。
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公开(公告)号：CN116908246A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310674067.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本发明公开了基于新型的有机半导体材料的气体传感器及其制备方法，包括通过缩聚的方式制备n型半导体聚苯并咪唑苯并菲咯啉；将n型半导体聚苯并咪唑苯并菲咯啉与聚乙烯亚氨按照预定比例混合，并将混合物加入到分散剂中超声分散2‑3h得到分散液；制备叉指电极，并将叉指电极附着在基底上得到MEMS芯片；将分散液滴涂至MEMS芯片表面并进行干燥形成气敏单元。本发明气体传感器的敏感材料采用n型半导体聚苯并咪唑苯并菲咯啉和聚乙烯亚氨的复合材料，该传感器可对对二氧化氮进行痕量检测，其室温下灵敏度可比肩高温状态下金属氧化物材料，同时其响应、恢复时间大大缩短，避免了金属氧化物传感器在使用过程中需加热的情况，降低了体系的能量消耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114996375A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210445450.6
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本公开是关于一种基于随机性增强的未知空间探寻方法、装置、电子设备以及存储介质。其中，该方法包括：预设指向终点的第一模式及保持当前运行方向的第二模式，通过终点判定步骤、运行模式判断步骤、路径查重步骤、障碍物检测步骤、方向偏置步骤、运行模式随机切换步骤使机器人具备简单易行的路径生成方式，通过引入路径生成策略的随机性，实现对未知空间的快速探寻。本公开基于随机性增强的空间探寻方法，仅需要较小的信息处理能力即可实现，且只存储有限的路径相关信息，适用于轻量化的嵌入式平台。
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公开(公告)号：CN112415054A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011193402.X
申请日：2020-10-30
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 一种基于墨滴打印的MEMS气体敏感结构及其制备方法，气体敏感结构包括衬底、金属电极层和气敏层，气敏层为在衬底上连接所述各金属电极交叠处的金属电极端部的线状结构，通过将气敏材料溶液化，并通过精密打印喷头在所述正电极和负电极交叠区域以确定的步长滴涂而形成气敏材料薄膜。本发明的方案不依赖于金属电极之间的间距即可实现更小的结构线宽和更优的灵敏度，由于墨滴的量、打印喷墨的位置和喷头移动的步长可精确控制，因此在基于该方法制成重复性好、尺寸精度较高的气敏层，有利于MEMS气体敏感结构的批量化和低成本化制备。
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公开(公告)号：CN111487382A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010469371.X
申请日：2020-05-28
Applicant: 北京机械设备研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明公开了一种气体传感器的检测系统及方法，该检测系统包括检测气源、流量控制器、混气室、气体浓度监测单元、尾气回收单元和数据采集检测单元；所述检测气源、流量控制器和所述混气室通过气路连接；所述气体浓度监测单元，用于监测所述混合气的浓度并根据监测结果分别控制通入的所述测试气体和所述缓冲气体的流量；所述数据采集检测单元，用于采集所述待测传感器的检测数据并根据所述检测数据检测待测气体传感器的性能。本发明通过流量控制器精确调控混入混气室中测试气体与缓冲气体的混合气的配比，在气体浓度监测单元和流量控制器配合下反馈与气路调节实现高精度的混合气浓度控制，并且自动化程度高无需专人值守，提高了传感器检测的精度。
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公开(公告)号：CN115096942A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210504948.5
申请日：2022-05-10
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 本公开是关于一种气敏传感器芯片制备方法、装置、电子设备以及存储介质。其中，该方法包括：将研磨后的金属氧化物粉末第一次烧结处理后，通过丝网印刷机在芯片上涂覆成膜形成印刷区；基于第二预设条件对所述芯片进行烘烤处理，以使所述印刷区定型；将印刷区定型后的芯片基于第三预设条件进行第二次烧结处理，完成芯片的制备。本公开通过芯片进行特定温度二次烧结的工艺，去除材料中在高温高湿条件下吸收结合水的物质，以此提高材料稳定性，进一步提升传感器芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN112505098A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011187079.5
申请日：2020-10-29
Applicant: 北京机械设备研究所
Abstract: 一种MEMS气体敏感结构及其制备工艺方法，MEMS气体敏感结构包括衬底、金属电极层和气敏层，金属电极层通过在衬底上经过溅射‑图形化‑腐蚀工艺而形成，气敏层为在金属电极层上通过物理气相沉积(PVD)与溶液滴涂或旋涂工艺制备，并经过图形化后形成气敏材料薄膜，该气敏材料薄膜由过渡金属氧化物薄层和有机高分子薄膜复合形成。本发明的MEMS气体敏感结构基于过渡金属氧化物和高分子有机物复合后形成的薄膜作为气敏层，可在常温条件下实现对多种气体的敏感，相比于传统的金属氧化物气敏材料，可大幅改善其场景可用性，并可降低系统的复杂度，且气敏结构的制备基于标准MEMS工艺，易于实现标准化和批量化。
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