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公开(公告)号：CN110444469B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910797858.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开了一种缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，该芯片顶层具有凸起部位和凹陷部位，该方法包括以下步骤：在芯片顶层涂覆光刻胶；刻蚀所述光刻胶，使被所述凸起部位暴露出来，所述凹陷部位仍然被光刻胶填充；刻蚀所述凸起部位，直至露出顶层金属；再次刻蚀所述凹陷部位所残留的光刻胶；使用化学溶液腐蚀掉所述顶层金属；以及进行化学机械研磨，直至露出芯片下层部位，完成操作；该方法利用光刻胶与芯片顶层金属外氧化层和钝化层很大的刻蚀选择比，来避免干法刻蚀顶层时，不做平坦化导致的落差传递到下层，从而能够成功保护下层电路结构完整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114325303A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN110444469A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910797858.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开了一种缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，该芯片顶层具有凸起部位和凹陷部位，该方法包括以下步骤：在芯片顶层涂覆光刻胶；刻蚀所述光刻胶，使被所述凸起部位暴露出来，所述凹陷部位仍然被光刻胶填充；刻蚀所述凸起部位，直至露出顶层金属；再次刻蚀所述凹陷部位所残留的光刻胶；使用化学溶液腐蚀掉所述顶层金属；以及进行化学机械研磨，直至露出芯片下层部位，完成操作；该方法利用光刻胶与芯片顶层金属外氧化层和钝化层很大的刻蚀选择比，来避免干法刻蚀顶层时，不做平坦化导致的落差传递到下层，从而能够成功保护下层电路结构完整。
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公开(公告)号：CN114325303B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202111405410.0
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明提供一种砷化镓芯片开封方法，属于芯片技术领域。该方法包括如下步骤：S1：打磨砷化镓芯片的目标开封区域至粗糙；S2：将混酸液滴在打磨粗糙的目标开封区域，加热砷化镓芯片使其处于目标温度，自所述目标开封区域发生反应产生棕红色水泡起计时，至反应第一预设时间止，清洗砷化镓芯片；S3：重复执行S2，直至肉眼可见砷化镓芯片表面；S4：将反应时间调整为第二预设时间，重复执行S2，直至所述目标开封区域不再发生反应，清洗砷化镓芯片后完成开封，得到暴露出砷化镓芯片表面电路的芯片。对目标开封区域进行打磨能够去除表面的氧化层及脏污，能够限制反应区域，实现局部开封，利用封装体保护砷化镓衬底，阻止酸液与砷化镓反应。
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公开(公告)号：CN215493332U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202121226222.7
申请日：2021-06-02
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种超声波无损检测设备，属于元器件缺陷检测技术领域。所述无损检测设备包括超声波头、移动装置、夹持装置、底板和样品池；所述超声波头位于所述移动装置上，用于产生并且检测超声波信号；所述移动装置用于带动所述超声波头移动；所述夹持装置用于夹持待测样品；所述底板用于支撑所述待测样品；所述样品池用于容纳所述待测样品、底板和所述夹持装置；所述夹持装置包括固定部件和活动部件，所述固定部件固定于所述底板上，所述活动部件与所述固定部件相连接，以形成中空结构。本实用新型提供的无损检测设备，待测样品扫描图像清晰度高，可以自动显示待测样品缺陷的位置及大小。
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公开(公告)号：CN217009116U
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202221478692.7
申请日：2022-06-14
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种用于观察样品切面的扫描电镜样品台及扫描电镜，包括：具有导电性的基台，所述基台为圆片状结构，具有用于放置样品的上表面；具有导电性的检测部件，设置在所述基台的上表面，所述检测部件具有至少一个与所述基台的上表面垂直的第一平面，所述样品的切面能够贴附于所述第一平面。通过本实用新型提供的扫描电镜样品台，能够方便对芯片样品进行固定，保证样品切面与样品台的有效接触，提高观测效果。
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