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公开(公告)号：CN114709197B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210232467.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。
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公开(公告)号：CN105761746B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610080515.6
申请日：2016-02-04
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明提出了一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路，包包括与门、单粒子加固触发器、镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链、n选1多路选择器、n位配置单元、反相器、传输门、单粒子瞬态滤波器、二选一选择器、查找表单粒子加固静态随机访问存储器及其配置单元。FPGA的WR和EN信号依次通过与门、单粒子加固触发器，得到选通信号，选通信号通过镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链和n选1多路选择器组成的反馈回路。该电路可以自动测量分布式随机访问存储器所需的写入时间，并允许用户开启或关闭FPGA中单粒子瞬态滤波器时，通过编程n位配置单元的值调整数据写入分布式RAM的宽度，实现SRAM型FPGA单粒子设计加固后的时序匹配。
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公开(公告)号：CN114582862B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210221722.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN105790755A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610109372.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/177
CPC classification number: H03K19/17764 , H03K19/17708
Abstract: 一种单粒子加固的可编程用户寄存器电路，通过对传统锁存器采用双冗余互锁结构的电路实现用户寄存器的单粒子加固设计，在此基础上加入多模可编程控制开关使用户寄存器能够在多种工作模式间切换，采用了多电源多模控制器电路，在数据路径上使用用户逻辑电源，在可编程开关上使用多模开关控制电源能够完全消除双冗余互锁结构的单粒子加固设计和可编程开关产生的时序影响。本发明单粒子加固指标比传统寄存器提高3个数量级，并且可以实现边沿触发器、电平锁存器、同步/异步的置位/复位、数据保持等可编程功能，使用户在使用可编程用户寄存器时具有更高的灵活性、更好的时序性能和极高的抗单粒子加固指标。
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公开(公告)号：CN105761746A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610080515.6
申请日：2016-02-04
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/413
Abstract: 本发明提出了一种单粒子加固FPGA分布式RAM的写入时序匹配电路，包包括与门、单粒子加固触发器、镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链、n选1多路选择器、n位配置单元、反相器、传输门、单粒子瞬态滤波器、二选一选择器、查找表单粒子加固静态随机访问存储器及其配置单元。FPGA的WR和EN信号依次通过与门、单粒子加固触发器，得到选通信号，选通信号通过镜像单粒子加固静态随机访问存储器、n级延时链和n选1多路选择器组成的反馈回路。该电路可以自动测量分布式随机访问存储器所需的写入时间，并允许用户开启或关闭FPGA中单粒子瞬态滤波器时，通过编程n位配置单元的值调整数据写入分布式RAM的宽度，实现SRAM型FPGA单粒子设计加固后的时序匹配。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114582861B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN114709197A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210232467.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaN HEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaN HEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaN/Ga2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。
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公开(公告)号：CN114582861A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221675.3
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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公开(公告)号：CN105717443A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610087813.8
申请日：2016-02-17
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/3181
CPC classification number: G01R31/3181
Abstract: 本发明提供了一种SRAM型FPGA触发器抗单粒子效应性能评估系统及方法，该试验系统包括上位机和测试板；测试板包括控制处理FPGA、配置PROM、刷新芯片、存储PROM、SRAM及被测FPGA；上位机负责流程控制和数据处理；测试板负责处理上位机发送的命令并进行触发器单粒子翻转检测。本发明通过使用FPGA内置CAPTURE模块把触发器数据捕获到配置存储器中并回读比较来完成触发器SEU(Single?Event Upset)静态测试，使用由触发器配置而成的移位寄存器链输入输出数据序列对比来完成触发器SEU(Single?Event Upset)动态测试，系统可以对SRAM型FPGA触发器抗单粒子效应性能进行稳定可靠的评估。
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公开(公告)号：CN114582862A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210221722.4
申请日：2022-03-09
Applicant: 西安电子科技大学 , 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/085 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。
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