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公开(公告)号：CN101260233B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810104253.8
申请日：2008-04-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种汽车进气歧管专用尼龙料及其加工方法涉及一种汽车进气歧管专用尼龙料。现有二元体系尼龙料加工流动性差，表面和内壁粗糙。本发明的尼龙料由尼龙30～70wt％、短纤维5～35wt％、热致液晶聚酰胺5～35wt％和加工助剂0.1～5wt％组成。其中，尼龙为脂肪族聚酰胺；短纤维为玻璃纤维GF或碳纤维CF；热致液晶聚酰胺为熔融范围在180～300℃的主链型芳香聚酰胺；加工助剂为润滑剂、热稳定剂、成核剂、抗氧剂或着色剂中的一种或多种。本发明将尼龙料的各组分充分混合均匀后，通过双螺杆挤出机挤出后造粒，烘干得到汽车进气歧管专用尼龙料。本发明具有表面光滑、加工流动性和热稳定性好、机械性能高、震动噪声小等优点。
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公开(公告)号：CN102180703B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110052460.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种二元材料(Zr，Ce)O2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料技术领域。制备方法：将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按锆与铈摩尔比为1-x∶x溶解到正丙酸中，得到前驱液；将前驱液涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；在保护气体下，将前驱膜于950～1200℃烧结10～500分钟，得到不连续的、高度在5～60nm、直径在20～150nm、颗粒密度在10～100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。在上述涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。本发明引入的纳米点的形态，数目及分布可简单、有效控制。
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公开(公告)号：CN101624286B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910088527.3
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L39/24 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种La掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xLaxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.3；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐，以乙酰丙酮镧为镧源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得La掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce1-xLaxO2过渡层薄膜晶格常数精确可调，且能够实现多种过渡层功能的一体化，减少现有的复杂过渡层结构等优点。
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公开(公告)号：CN101597162B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910088528.8
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。
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公开(公告)号：CN101260233A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810104253.8
申请日：2008-04-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种汽车进气歧管专用尼龙料及其加工方法涉及一种汽车进气歧管专用尼龙料。现有二元体系尼龙料加工流动性差，表面和内壁粗糙。本发明的尼龙料由尼龙30～70wt％、短纤维5～35wt％、热致液晶聚酰胺5～35wt％和加工助剂0.1～5wt％组成。其中，尼龙为脂肪族聚酰胺；短纤维为玻璃纤维GF或碳纤维CF；热致液晶聚酰胺为熔融范围在180～300℃的主链型芳香聚酰胺；加工助剂为润滑剂、热稳定剂、成核剂、抗氧剂或着色剂中的一种或多种。本发明将尼龙料的各组分充分混合均匀后，通过双螺杆挤出机挤出后造粒，烘干得到汽车进气歧管专用尼龙料。本发明具有表面光滑、加工流动性和热稳定性好、机械性能高、震动噪声小等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101597162A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910088528.8
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1－xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。
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公开(公告)号：CN101249607A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810103493.6
申请日：2008-04-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种涂层超导高W含量Ni－W合金基带的制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明拟解决现有Ni－W基带机械强度和磁性不能满足YBCO涂层导体进一步广泛应用的问题。本发明方法包括以下步骤：①高能球磨混和Ni和W粉；②粉末冶金冷等静压法制备高W含量(7～9.5at.％)Ni－W合金坯锭；③用高光洁度的轧辊对坯锭进行温轧，采用2～5％道次变形量；④酸洗，除去表面氧化物；⑤对轧制基带进行再结晶退火得到Ni－W合金基带。本发明所制备的基带具有高立方织构、高机械强度、低磁性或无磁性、表面光洁度高，可以满足外延生长过渡层和超导层的涂层导体基带，易工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN101624286A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910088527.3
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种La掺杂CeO 2 过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO 2 过渡层薄膜由Ce 1-x La x O 2 复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.3；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐，以乙酰丙酮镧为镧源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得La掺杂CeO 2 过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce 1-x La x O 2 过渡层薄膜晶格常数精确可调，且能够实现多种过渡层功能的一体化，减少现有的复杂过渡层结构等优点。
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公开(公告)号：CN102173452B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110052214.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料制备技术领域。将乙酰丙酮锆溶解到正丙酸中，得到前驱液；2)涂敷前驱液：将步骤1)制备的前驱液采用旋涂的方式涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；3)高温烧结：在通保护气体的条件下，将前驱膜于1000～1300℃烧结100～1000分钟，得到不连续的，高度在5～50nm，直径在30～200nm，颗粒密度在10～80个/μm的ZrO2纳米点。在上述基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，使得YBCO在这些岛状颗粒附近形核时由于晶格上的匹配差从而产生一些缺陷，以此作为钉扎中心来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。
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公开(公告)号：CN102180703A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110052460.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种二元材料(Zr，Ce)O2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料技术领域。制备方法：将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按锆与铈摩尔比为1-x∶x溶解到正丙酸中，得到前驱液；将前驱液涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；在保护气体下，将前驱膜于950～1200℃烧结10～500分钟，得到不连续的、高度在5～60nm、直径在20～150nm、颗粒密度在10～100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。在上述涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。本发明引入的纳米点的形态，数目及分布可简单、有效控制。
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