-
公开(公告)号：CN106486205B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610875912.2
申请日：2016-10-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种SrTiO3与LaAlO3双纳米颗粒掺杂YBCO复合薄膜的制备方法，其步骤如下：将前驱液旋涂于基底上，得到附着于基底表面的前驱膜，前驱膜置于通入干燥氧气的石英管式炉内，于室温下以10℃/min的速率升到150℃；再以1.5～3℃/min的速率升到400℃，并保温10min，当温度高于150℃时将干燥的氧气换成潮湿的氧气，水汽含量为3.1％；然后再以5℃/min的速率升至770～840℃，保温2～3h；其中，在400℃至500℃升温过程中，气氛为干燥的Ar/O2气氛；升至550℃时气氛换为潮湿的Ar/O2；保温的最后30min将湿气换回干燥的Ar/O2气氛；保温完毕后，样品随炉冷却。本发明解决外加磁场下薄膜钉扎性有限、无法继续提高载流能力的问题。
-
公开(公告)号：CN105272203A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510666992.6
申请日：2015-10-14
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种LaAlO3掺杂的复合YBCO薄膜的制备方法属于高温超导材料制备领域。本发明通过以有机镧盐和铝盐为前驱盐，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂的方法将前驱液涂敷到LAO单晶基板上，再经过热处理工艺在单晶表面复合薄膜，本发明所提供的LAO掺杂的复合薄膜，其掺杂相LAO可与YBCO共格界面，引入钉扎缺陷的同时，保证了YBCO结构不被破坏。本发明制无需外加溶剂，体系简单，经济节约，烧结工艺时间较短，形成LAO相同时保证YBCO的外延生长不被阻碍。本发明所制备的复合薄膜5％LAO掺杂样品自场下Je约为纯YBCO薄膜的3倍，外场下77K，1.5T下约为纯YBCO薄膜的6倍。
-
公开(公告)号：CN105198401A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510666983.7
申请日：2015-10-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 一种双错配多元掺杂的复合YBCO薄膜的制备方法属于高温超导材料制备领域。本发明通过以有机盐为前驱盐，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂的方法将前驱液涂敷到LAO单晶基板上，再经过热处理工艺在单晶表面复合薄膜。本发明的两种掺杂相与YBCO的失配分别正失配和负失配，这使得两相掺杂颗粒引入的应变在局部起到钉扎作用，而在整体上则因相互抵消，从而阻止YBCO因为晶格畸变过大而破坏结构，例如阻止高掺杂量下的膜裂行为。本发明所用烧结工艺时间较短，形成BYNO和LAO相的同时不影响YBCO的取向生长。本发明制备的薄膜载流能力为7.5％BYNO和2.5％LAO单独掺杂样品的4倍和1.7倍，更加有效的提高了薄膜的超导能力。
-
公开(公告)号：CN102173452B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110052214.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料制备技术领域。将乙酰丙酮锆溶解到正丙酸中，得到前驱液；2)涂敷前驱液：将步骤1)制备的前驱液采用旋涂的方式涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；3)高温烧结：在通保护气体的条件下，将前驱膜于1000～1300℃烧结100～1000分钟，得到不连续的，高度在5～50nm，直径在30～200nm，颗粒密度在10～80个/μm的ZrO2纳米点。在上述基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，使得YBCO在这些岛状颗粒附近形核时由于晶格上的匹配差从而产生一些缺陷，以此作为钉扎中心来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。
-
公开(公告)号：CN102180703A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110052460.5
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种二元材料(Zr，Ce)O2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料技术领域。制备方法：将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按锆与铈摩尔比为1-x∶x溶解到正丙酸中，得到前驱液；将前驱液涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；在保护气体下，将前驱膜于950～1200℃烧结10～500分钟，得到不连续的、高度在5～60nm、直径在20～150nm、颗粒密度在10～100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。在上述涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。本发明引入的纳米点的形态，数目及分布可简单、有效控制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102173452A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110052214.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料制备技术领域。将乙酰丙酮锆溶解到正丙酸中，得到前驱液；2)涂敷前驱液：将步骤1)制备的前驱液采用旋涂的方式涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；3)高温烧结：在通保护气体的条件下，将前驱膜于1000～1300℃烧结100～1000分钟，得到不连续的，高度在5～50nm，直径在30～200nm，颗粒密度在10～80个/μm的ZrO2纳米点。在上述基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，使得YBCO在这些岛状颗粒附近形核时由于晶格上的匹配差从而产生一些缺陷，以此作为钉扎中心来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。
-
公开(公告)号：CN102154577A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110071379.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明公开了一种无磁性织构NiV合金基带的制备方法，属于高温超导涂层导体金属基带技术领域。本发明拟解决现有Ni-W合金基带磁性能和立方织构不能同时满足YBCO涂层导体进一步广泛应用的问题。合金基带的组分及其原子百分含量为Ni(88～91at.％)，V(9～12at.％)。其制备方法，采用粉末冶金方法，包括以下步骤：(1)初始粉末的混合与模具填充；(2)初始合金坯锭的制备；(3)初始坯锭的形变轧制；(4)冷轧基带的再结晶热处理。本发明的合金基带具有无磁性，高立方织构等特点。
-
公开(公告)号：CN105198401B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510666983.7
申请日：2015-10-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01B12/06 , C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 一种双错配多元掺杂的复合YBCO薄膜的制备方法属于高温超导材料制备领域。本发明通过以有机盐为前驱盐，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂的方法将前驱液涂敷到LAO单晶基板上，再经过热处理工艺在单晶表面复合薄膜。本发明的两种掺杂相与YBCO的失配分别正失配和负失配，这使得两相掺杂颗粒引入的应变在局部起到钉扎作用，而在整体上则因相互抵消，从而阻止YBCO因为晶格畸变过大而破坏结构，例如阻止高掺杂量下的膜裂行为。本发明所用烧结工艺时间较短，形成BYNO和LAO相的同时不影响YBCO的取向生长。本发明制备的薄膜载流能力为7.5％BYNO和2.5％LAO单独掺杂样品的4倍和1.7倍，更加有效的提高了薄膜的超导能力。
-
公开(公告)号：CN106486205A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610875912.2
申请日：2016-10-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种SrTiO3与LaAlO3双纳米颗粒掺杂YBCO复合薄膜的制备方法，其步骤如下：将前驱液旋涂于基底上，得到附着于基底表面的前驱膜，前驱膜置于通入干燥氧气的石英管式炉内，于室温下以10℃/min的速率升到150℃；再以1.5～3℃/min的速率升到400℃，并保温10min，当温度高于150℃时将干燥的氧气换成潮湿的氧气，水汽含量为3.1％；然后再以5℃/min的速率升至770～840℃，保温2～3h；其中，在400℃至500℃升温过程中，气氛为干燥的Ar/O2气氛；升至550℃时气氛换为潮湿的Ar/O2；保温的最后30min将湿气换回干燥的Ar/O2气氛；保温完毕后，样品随炉冷却。本发明解决外加磁场下薄膜钉扎性有限、无法继续提高载流能力的问题。
-
公开(公告)号：CN103922738A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410088329.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , B05D1/38 , B05D7/14
Abstract: 一种La2Zr2O7过渡层梯度薄膜结构、制备及应用，属于高温超导涂层材料技术领域。本发明所提供的La2Zr2O7过渡层薄膜，下层为离子半径较小的Ti4+掺杂形成的La2Zr2-xTixO7薄膜，其中0.2≤x≤1.8，上层是离子半径较大的Y3+掺杂形成的La2Zr2-yYyO7薄膜，其中0.2≤y≤1.8，通过不同掺杂量实现与基板Ni、超导层YBCO的100%匹配，实现了晶格常数梯度变化的过渡层结构。且过渡层为同一本体材料，性能更稳定。La2Zr2-xTixO7、La2Zr2-yYyO7薄膜晶格常数精确可调，且能实现多种过渡层功能的一体化，减小了现有过渡层结构的复杂性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.024 seconds)
