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公开(公告)号：CN103160681B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310053624.5
申请日：2013-02-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C22B1/00
Abstract: 一种钕铁硼磨料油泥制备钕铁硼合金的预处理方法，属于钕铁硼磨料油泥预处理技术领域。将钕铁硼磨料油泥以蒸馏水为离心剂，置于离心机中离心分离，离心速度为：4000rpm-8000rpm；再采用蒸馏水为洗涤剂对离心分离得到的固体进行清洗2次，然后再以蒸馏水为离心剂进行离心、清洗；最后将离心分离后的固体放入真空干燥箱中干燥，控制温度为：70-100℃，保持箱内大气压强为：0.01MPa~0.1MPa。本发明的主要作用就在于有效去除Na、K等杂质离子，并且保持钕铁硼合金相。
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公开(公告)号：CN103128524B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210592643.0
申请日：2012-12-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23P17/00
Abstract: 一种高立方织构含量、高强度、低磁性Ni-5at.%W合金长带的制造方法，属于高温涂层超导基带制备技术领域。采用真空感应熔炼制备Ni-W合金坯锭，然后经过热锻、制备多芯复合锭、孔型热轧得到直径为10mm的初始坯锭；采用精密四辊轧机在常温下对初始坯锭进行牵引轧制，终轧后基带平均厚度达到0.08～0.10mm；采用动态退火对冷轧完的基带进行再结晶热处理。本发明的方法制备的百米级基带产品初步认定符合进一步制备过渡层和超导层的要求。
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公开(公告)号：CN103755380A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410010106.X
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 一种能够规范界面纳米颗粒的过渡层表面改性方法,属于高温超导材料制备技术领域。本发明通过预先在沉积基板表面刻划一定数目的划痕，使之作为形核中心，从而有效控制颗粒数目；通过调整划痕间隔可以有效限制颗粒尺寸，防止颗粒团聚，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂法将前驱液涂敷到不同角度的单晶基板上，再经过热处理工艺在单晶表面获得形态可控的纳米点。通过调整过渡层单晶基板沉积面的方向，使之在烧结时产生的台阶流作为颗粒的形核中心，从而控制颗粒数目；通过调整台阶的大小调节颗粒的尺寸与分散度。从而为高温超导层提供一种表面形态根据需要可调控的高性能工程表面。
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公开(公告)号：CN103755380B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410010106.X
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 一种能够规范界面纳米颗粒的过渡层表面改性方法,属于高温超导材料制备技术领域。本发明通过预先在沉积基板表面刻划一定数目的划痕，使之作为形核中心，从而有效控制颗粒数目；通过调整划痕间隔可以有效限制颗粒尺寸，防止颗粒团聚，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂法将前驱液涂敷到不同角度的单晶基板上，再经过热处理工艺在单晶表面获得形态可控的纳米点。通过调整过渡层单晶基板沉积面的方向，使之在烧结时产生的台阶流作为颗粒的形核中心，从而控制颗粒数目；通过调整台阶的大小调节颗粒的尺寸与分散度。从而为高温超导层提供一种表面形态根据需要可调控的高性能工程表面。
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公开(公告)号：CN103746071A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410009515.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种自组装LaAlO3纳米线、制备及应用，属于高温超导材料制备技术领域。纳米线之间的取向差基本为0；数目在10-100个/μm2；垂直基板方向的高度为0.2-4nm，平行基板方向的长度为50-1000nm，平行基板方向的宽度在10nm-100nm；分布均匀且无团结。本发明通过将（001）-LaAlO3或（001）-SrTiO3单晶基板偏离标准(001)取向一定角度切割并抛光，然后再经过热处理工艺，即可在基板表面获得自组装的纳米线。本发明工艺及其简单，价格低廉，纳米线的形态可根据偏离角度调控，为沉积超导薄膜提供了一种简单高效的工程表面，有利于市场化的推进。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103922738A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410088329.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , B05D1/38 , B05D7/14
Abstract: 一种La2Zr2O7过渡层梯度薄膜结构、制备及应用，属于高温超导涂层材料技术领域。本发明所提供的La2Zr2O7过渡层薄膜，下层为离子半径较小的Ti4+掺杂形成的La2Zr2-xTixO7薄膜，其中0.2≤x≤1.8，上层是离子半径较大的Y3+掺杂形成的La2Zr2-yYyO7薄膜，其中0.2≤y≤1.8，通过不同掺杂量实现与基板Ni、超导层YBCO的100%匹配，实现了晶格常数梯度变化的过渡层结构。且过渡层为同一本体材料，性能更稳定。La2Zr2-xTixO7、La2Zr2-yYyO7薄膜晶格常数精确可调，且能实现多种过渡层功能的一体化，减小了现有过渡层结构的复杂性。
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公开(公告)号：CN103128524A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210592643.0
申请日：2012-12-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23P17/00
Abstract: 一种高立方织构含量、高强度、低磁性Ni-5at.%W合金长带的制造方法，属于高温涂层超导基带制备技术领域。采用真空感应熔炼制备Ni-W合金坯锭，然后经过热锻、制备多芯复合锭、孔型热轧得到直径为10mm的初始坯锭；采用精密四辊轧机在常温下对初始坯锭进行牵引轧制，终轧后基带平均厚度达到0.08～0.10mm；采用动态退火对冷轧完的基带进行再结晶热处理。本发明的方法制备的百米级基带产品初步认定符合进一步制备过渡层和超导层的要求。
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公开(公告)号：CN103746071B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201410009515.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种自组装LaAlO3纳米线、制备及应用，属于高温超导材料制备技术领域。纳米线之间的取向差基本为0；数目在10‑100个/μm2；垂直基板方向的高度为0.2‑4nm，平行基板方向的长度为50‑1000nm，平行基板方向的宽度在10nm‑100nm；分布均匀且无团结。本发明通过将（001）‑LaAlO3或（001）‑SrTiO3单晶基板偏离标准(001)取向一定角度切割并抛光，然后再经过热处理工艺，即可在基板表面获得自组装的纳米线。本发明工艺及其简单，价格低廉，纳米线的形态可根据偏离角度调控，为沉积超导薄膜提供了一种简单高效的工程表面，有利于市场化的推进。
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公开(公告)号：CN103922738B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410088329.8
申请日：2014-03-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622 , B05D1/38 , B05D7/14
Abstract: 一种La2Zr2O7过渡层梯度薄膜结构、制备及应用，属于高温超导涂层材料技术领域。本发明所提供的La2Zr2O7过渡层薄膜，下层为离子半径较小的Ti4+掺杂形成的La2Zr2-xTixO7薄膜，其中0.2≤x≤1.8，上层是离子半径较大的Y3+掺杂形成的La2Zr2-yYyO7薄膜，其中0.2≤y≤1.8，通过不同掺杂量实现与基板Ni、超导层YBCO的100%匹配，实现了晶格常数梯度变化的过渡层结构。且过渡层为同一本体材料，性能更稳定。La2Zr2-xTixO7、La2Zr2-yYyO7薄膜晶格常数精确可调，且能实现多种过渡层功能的一体化，减小了现有过渡层结构的复杂性。
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公开(公告)号：CN103274681A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310105548.8
申请日：2013-03-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/624
Abstract: 一种Nb掺杂的YxYb1‐xBCO超导薄膜及制备方法，属于YBCO超导薄膜改性技术领域。是在YxYb1‐xBCO薄膜中掺杂有Nb，本发明通过如下步骤制备Nb掺杂的YxYb1‐xBCO薄膜：1）YBCO前驱溶液的配制；2）Yb前驱溶液的配制；3）YxYb1‐xBCO前驱液的配制；4）Nb前驱液的配制；5）Nb掺杂的YxYb1‐xBCO前驱液的配制；6）凝胶薄膜的涂敷；7）低温烧结；8）高温烧结。本发明所提供的方法简单易行，可以任意控制掺杂物配比，且原料廉价易得，不需要真空设备，成本低廉，所制得的薄膜具有较高的相纯度，较高的临界转变温度和较好的表面。
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