公开(公告)号：CN101597162A

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200910088528.8

申请日：2009-07-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘敏 ,  索红莉 ,  叶帅 ,  赵跃 ,  马麟 ,  程艳玲 ,  王榕 ,  吕昭 ,  周美玲

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1－xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。

公开(公告)号：CN101597162B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910088528.8

申请日：2009-07-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘敏 ,  索红莉 ,  叶帅 ,  赵跃 ,  马麟 ,  程艳玲 ,  王榕 ,  吕昭 ,  周美玲

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。