Ni基合金复合基带及其放电等离子体制备方法

    公开(公告)号:CN1844431A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200610080878.6

    申请日:2006-05-19

    Abstract: 一种Ni基合金复合基带及其放电等离子体制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明所提供的Ni基合金复合基带,表层和芯层为W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金。其制备方法为将W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金铸锭或粉末(代号B铸锭和A铸锭或A粉末)按照B-A-B铸锭的顺序置于模具中,采用放电等离子体烧结技术,在真空下850-1000℃边加压边烧结20-60min,得到复合锭。冷轧复合锭,道次变形量为5-20%,总的变形量大于95%,得到厚度为60-200μm的基带;该基带在Ar/H2气氛或真空下1000-1300℃下退火0.5-2h;或在700℃下退火30-60min,再升温至1100℃退火30-60min,即得到Ni基合金复合基带。该基带表层和芯层不易开裂,机械强度高、磁性低并具有强的双轴立方织构。

    一种涂层超导高W含量Ni-W合金基带的制备方法

    公开(公告)号:CN101249607A

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200810103493.6

    申请日:2008-04-07

    Abstract: 一种涂层超导高W含量Ni-W合金基带的制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明拟解决现有Ni-W基带机械强度和磁性不能满足YBCO涂层导体进一步广泛应用的问题。本发明方法包括以下步骤:①高能球磨混和Ni和W粉;②粉末冶金冷等静压法制备高W含量(7~9.5at.%)Ni-W合金坯锭;③用高光洁度的轧辊对坯锭进行温轧,采用2~5%道次变形量;④酸洗,除去表面氧化物;⑤对轧制基带进行再结晶退火得到Ni-W合金基带。本发明所制备的基带具有高立方织构、高机械强度、低磁性或无磁性、表面光洁度高,可以满足外延生长过渡层和超导层的涂层导体基带,易工业化生产等优点。

    一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101219896B

    公开(公告)日:2011-01-05

    申请号:CN200810056823.0

    申请日:2008-01-25

    Abstract: 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法,属于高温涂层超导材料制备技术领域。本发明所提供的Ce1-xZrxO2(0.1≤x≤0.5)薄膜通过以下方法获得:首先,将有机Ce盐和有机Zr盐按照阳离子摩尔比1-x∶x,其中0.1≤x≤0.5,溶解到正丙酸和甲醇或乙酰丙酮的溶液中得到前驱溶液;然后将前驱液用旋涂或者浸涂的方法沉积到NiW合金基带或单晶基板上,在通有保护气的条件下,于950~1200℃烧结15~120分钟,获得Ce1-xZrxO2薄膜。本发明的厚度可以达到30~250nm,膜表面致密平整,没有微观裂纹和孔洞,具有较高的织构,制备工艺简单,成本低廉。

    Ni基合金复合基带的熔炼制备方法

    公开(公告)号:CN100374595C

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200610080876.7

    申请日:2006-05-19

    Abstract: 一种Ni基合金复合基带及其熔炼制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明所提供的Ni基合金复合基带,表层和芯层为W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金。其制备方法为将W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金铸锭(代号B铸锭和A铸锭)按照B-连接层-A-连接层-B的顺序冷压成一体,在Ar/H2气氛中750-900℃下烧结3-8h得到复合锭,B和A的厚度比为1∶1到1∶4,总厚度是6-18mm;冷轧复合锭,道次变形量为5-20%,总的变形量大于95%,得到厚度为60-200μm的基带;该基带在Ar/H2气氛或真空条件下1000-1300℃下退火0.5-2h;或者在700℃下退火30-60min,再升温至1100℃退火30-60min,即可得到Ni基合金复合基带。该基带表层和芯层不易开裂,机械强度高、磁性低并具有强的双轴立方织构。

    一种涂层超导高W含量Ni-W合金基带的制备方法

    公开(公告)号:CN100571970C

    公开(公告)日:2009-12-23

    申请号:CN200810103493.6

    申请日:2008-04-07

    Abstract: 一种涂层超导高W含量Ni-W合金基带的制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明拟解决现有Ni-W基带机械强度和磁性不能满足YBCO涂层导体进一步广泛应用的问题。本发明方法包括以下步骤:①高能球磨混和Ni和W粉;②粉末冶金冷等静压法制备高W含量(7~9.5at.%)Ni-W合金坯锭;③用高光洁度的轧辊对坯锭进行温轧,采用2~5%道次变形量;④酸洗,除去表面氧化物;⑤对轧制基带进行再结晶退火得到Ni-W合金基带。本发明所制备的基带具有高立方织构、高机械强度、低磁性或无磁性、表面光洁度高,可以满足外延生长过渡层和超导层的涂层导体基带,易工业化生产等优点。

    一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101219896A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200810056823.0

    申请日:2008-01-25

    Abstract: 一种Zr掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法,属于高温涂层超导材料制备技术领域。本发明所提供的Ce1-xZrxO2(0.1≤x≤0.5)薄膜通过以下方法获得:首先,将有机Ce盐和有机Zr盐按照阳离子摩尔比1-x∶x,其中0.1≤x≤0.5,溶解到正丙酸和甲醇或乙酰丙酮的溶液中得到前驱溶液;然后将前驱液用旋涂或者浸涂的方法沉积到NiW合金基带或单晶基板上,在通有保护气的条件下,于950~1200℃烧结15~120分钟,获得Ce1-xZrxO2薄膜。本发明的厚度可以达到30~250nm,膜表面致密平整,没有微观裂纹和孔洞,具有较高的织构,制备工艺简单,成本低廉。

    Ni基合金复合基带的放电等离子体制备方法

    公开(公告)号:CN100374597C

    公开(公告)日:2008-03-12

    申请号:CN200610080878.6

    申请日:2006-05-19

    Abstract: 一种Ni基合金复合基带及其放电等离子体制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明所提供的Ni基合金复合基带,表层和芯层为W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金。其制备方法为将W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金铸锭或粉末(代号B铸锭和A铸锭或A粉末)按照B-A-B铸锭的顺序置于模具中,采用放电等离子体烧结技术,在真空下850-1000℃边加压边烧结20-60min,得到复合锭。冷轧复合锭,道次变形量为5-20%,总的变形量大于95%,得到厚度为60-200μm的基带;该基带在Ar/H2气氛或真空下1000-1300℃下退火0.5-2h;或在700℃下退火30-60min,再升温至1100℃退火30-60min,即得到Ni基合金复合基带。该基带表层和芯层不易开裂,机械强度高、磁性低并具有强的双轴立方织构。

    Ni基合金复合基带及其熔炼制备方法

    公开(公告)号:CN1844429A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200610080876.7

    申请日:2006-05-19

    Abstract: 一种Ni基合金复合基带及其熔炼制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明所提供的Ni基合金复合基带,表层和芯层为W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金。其制备方法为将W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金铸锭(代号B铸锭和A铸锭)按照B-连接层-A-连接层-B的顺序冷压成一体,在Ar/H2气氛中750-900℃下烧结3-8h得到复合锭,B和A的厚度比为1∶1到1∶4,总厚度是6-18mm;冷轧复合锭,道次变形量为5-20%,总的变形量大于95%,得到厚度为60-200μm的基带;该基带在Ar/H2气氛或真空条件下1000-1300℃下退火0.5-2h;或者在700℃下退火30-60min,再升温至1100℃退火30-60min,即可得到Ni基合金复合基带。该基带表层和芯层不易开裂,机械强度高、磁性低并具有强的双轴立方织构。

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