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公开(公告)号：CN113936981A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111167986.8
申请日：2021-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，涉及微波电真空器件制造技术。在具有铼包覆钨结构的微米级颗粒粉体的基础上添加纳米级锇粉，三元混合粉体经过烧结后，会形成铼锇合金包覆钨颗粒的特殊结构粉体。在阴极基体烧结和阴极浸渍过程中内部钨会向外部扩散，在阴极表面形成稳定的钨铼锇三元合金膜层，由于铼和锇的存在能够提高阴极的电子发射密度。
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公开(公告)号：CN110303165A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910585566.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法，属于难熔金属阴极技术领域。阴极基体是氧化钪掺杂的铼与钨形成的多相合金粉通过粉末冶金的方法制备而成的多孔体，之后向基体中浸渍活性盐并对阴极表面后处理形成具有电子发射能力的阴极。该方法所制备的阴极具有发射电流密度大，可重复性好等特点，适用于对电流密度要求较高的电真空器件以及电子束源。
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公开(公告)号：CN110142415A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910586170.5
申请日：2019-07-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种氧化物掺杂多合金相钨铼合金粉及制备方法，属于难熔金属领域。粉体由Re3W、Re、W、ReW等不同铼钨比例的合金相以及掺杂金属氧化物组成。采用含有铼元素的铵盐、含钨元素的铵盐以及金属元素硝酸盐作为原料进行固相混合，使用水、乙醇作为调和液将混合粉末制成膏状并烘干。在氢气气氛下进行分解还原，采用多步分解还原工艺，第一步为150-450℃，保温0.1-5小时。第二步为550-850℃，保温0.5-5小时，第三步为950-1700℃，保温0.5-5小时，获得多相铼钨合金混合粉末。本方法工艺简单，重复性好，可操作性强，制备样品纯度高，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN106637116B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201611166493.1
申请日：2016-12-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
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公开(公告)号：CN109807326A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910069139.4
申请日：2019-01-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微波烧结制备压制型钡钨阴极的方法，属于难熔金属阴极材料技术领域。将分析纯的偏钨酸铵，硝酸钡，硝酸钙，硝酸铝分别溶于去离子水，经液-液掺杂后利用喷雾干燥结合两段还原方法获得亚微米级活性盐掺杂钨粉末。随后，经过压制、微波烧结工艺获得具有亚微米结构的钡钨阴极。实验结果表明,与常规烧结制备阴极相比，微波烧结的工艺烧结温度低，烧结时间短且烧结功率大大减小。通过微波烧结制备出的阴极显微结构明显改善，阴极发射性能得到一定提高，在1050℃b时支取的脉冲发射电流密度可以达到6.52A/cm2，与常规烧结制备得到的阴极1050℃b支取发射电流密度3.46A/cm2相比，脉冲发射电流密度增长明显。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109637913A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811290717.9
申请日：2018-10-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种钡钨阴极用发射活性盐及其制备，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域。以Ba(NO3)2、Ca(NO3)2·4H20、Al(NO3)3·9H2O和Y(NO3)3·4H2O为原料，以(NH4)2CO3为沉淀剂，通过液相共沉淀法制得盐的前驱粉末，将前驱粉末焙烧得到最终的发射活性物质盐。此钡钨阴极经充分激活后，在1100℃b下，脉冲发射电流密度达到了12A/cm2以上；在1100℃b下，次级发射系数高达4。采用所述方法制备得到的发射活性盐浸渍到钡钨阴极中具有较高的一次电子发射能力以及较大的次级发射系数。有望应用于磁控管等领域。
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公开(公告)号：CN108394922A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810307397.7
申请日：2018-04-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种热阴极用铝酸盐电子发射物质的简易制备方法，属于热阴极电子发射材料的制备技术领域，以Ba(NO3)2、Ca(NO3)2·4H20和Al(NO3)3·9H2O为原料，以EDTA为络合剂，通过溶胶-凝胶法制得盐的前驱粉末，将前驱粉末焙烧得到最终的铝酸盐，阴极经充分激活后在950℃b下，脉冲发射电流密度可以达到100A/cm2以上，发射斜率1.4以上。采用所述方法制备得到的铝酸盐具有制备工艺简单、成分均匀、物相单一、熔点低、发射性能好等优点。有望应用于微波真空电子器件等领域。
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公开(公告)号：CN106637116A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611166493.1
申请日：2016-12-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0089 , C23C14/081
Abstract: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
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公开(公告)号：CN103920870B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410149295.9
申请日：2014-04-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种多孔球形铼钨合金粉体及其制备方法，属于合金粉体技术领域。铼和钨之间的混合是原子级别的混合，铼的质量百分含量25%‐90%，钨的质量百分含量：10‐75%。以高铼酸铵和偏钨酸铵为原料，配成水溶液，然后用喷雾干燥法制备前驱体粉末；在氢气气氛下分解还原，分两步进行处理，第一步为450‐550℃，保温时间为1‐2小时，第二步还原温度为850‐950℃，保温2‐3小时，获得多孔铼钨合金粉末。本方法工艺简单，重复性好，可操作性强，避免了制备过程中杂质元素的引入，制备的样品纯度高，通过控制铼的含量、还原温度和保温时间，可实现多孔球形铼钨合金球的形貌调控。
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公开(公告)号：CN103700557B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310723707.0
申请日：2013-12-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种碳化稀土氧化镥掺杂钼阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中的稀土氧化镥含量为1‐4wt%，其余为钼。制备方法为：将七钼酸铵溶液与硝酸镥和柠檬酸溶液混合，机械搅拌并水浴加热，得到凝胶。凝胶经过烘干、分解、还原得到稀土氧化镥掺杂钼粉。粉体经过压制、烧结、碳化处理获得阴极材料。该阴极热发射性能良好，满足微波炉用磁控管中阴极的使用要求。
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