公开(公告)号：CN113936981B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202111167986.8

申请日：2021-09-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘伟 ,  胡志凯 ,  杨韵斐 ,  李世磊 ,  王金淑 ,  周帆 ,  高俊研 ,  刘乐奇

IPC: H01J9/04 ,  H01J1/142 ,  H01J1/146

Abstract: 一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，涉及微波电真空器件制造技术。在具有铼包覆钨结构的微米级颗粒粉体的基础上添加纳米级锇粉，三元混合粉体经过烧结后，会形成铼锇合金包覆钨颗粒的特殊结构粉体。在阴极基体烧结和阴极浸渍过程中内部钨会向外部扩散，在阴极表面形成稳定的钨铼锇三元合金膜层，由于铼和锇的存在能够提高阴极的电子发射密度。

公开(公告)号：CN113936981A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111167986.8

申请日：2021-09-29

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘伟 ,  胡志凯 ,  杨韵斐 ,  李世磊 ,  王金淑 ,  周帆 ,  高俊研 ,  刘乐奇

IPC: H01J9/04 ,  H01J1/142 ,  H01J1/146

Abstract: 一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法，涉及微波电真空器件制造技术。在具有铼包覆钨结构的微米级颗粒粉体的基础上添加纳米级锇粉，三元混合粉体经过烧结后，会形成铼锇合金包覆钨颗粒的特殊结构粉体。在阴极基体烧结和阴极浸渍过程中内部钨会向外部扩散，在阴极表面形成稳定的钨铼锇三元合金膜层，由于铼和锇的存在能够提高阴极的电子发射密度。