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公开(公告)号：CN100433230C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610088815.5
申请日：2006-07-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
CPC classification number: C01G41/006 , B22F2998/10 , C01P2004/03 , C01P2006/12 , B22F9/22 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 一种压制型含钪扩散阴极的制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。目前，压制型含钪扩散阴极一直没有解决各种活性物质分布均匀性的问题，且采用微米级的海绵体结构，导致其发射性能一直逊于浸渍型阴极。本发明所提供的压制型含钪扩散阴极制备方法，将Sc(NO3)3、Ba(NO3)2、Ca(NO3)2、Al(NO3)3和偏钨酸铵分别溶于水中后混合，并加入柠檬酸溶液，经水浴处理后，形成溶胶，将其烘干形成凝胶后进行分解，得到粉末；将粉末还原后压制成试样，随后于氢气气氛下一次烧结成阴极材料。本发明的工艺可重复性强，便于规模生产，制备的阴极材料中各种元素分布均匀，在800℃b具有非常优异的发射性能。
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公开(公告)号：CN1402291A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131345.8
申请日：2002-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1－10％，铼占0－5％，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1－10％的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入0－5％的铼，在氢气气氛中，500－650℃下还原0.5－1.5小时，800－1000℃下还原保温1－3小时，得到掺杂氧化钪的钨粉；将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体；浸渍铝酸盐，超声波清洗和退火后，制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀，提高了耐高温、抗离子轰击能力，而且本发明的制备方法工艺重复性好。
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公开(公告)号：CN103715032A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310745112.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种覆钪酸盐-钨膜的浸渍型钡钨阴极及其制备方法，属于阴极材料技术领域。覆钪酸盐-钨膜的主要成分为Ba3Sc409和金属W，其中Ba3Sc409占膜总质量的5%-20%。在钨海绵体中浸渍发射材料后，利用Ba3Sc4O9和金属W靶材，在阴极表面用脉冲激光沉积的方法制备Ba3Sc4O9-金属W膜。用本发明的阴极含钪酸盐-钨膜制备的阴极，可使阴极的发射电流密度明显升高，提高了阴极的热发射能力。
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公开(公告)号：CN101075515B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710118067.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。
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公开(公告)号：CN110303165A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910585566.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法，属于难熔金属阴极技术领域。阴极基体是氧化钪掺杂的铼与钨形成的多相合金粉通过粉末冶金的方法制备而成的多孔体，之后向基体中浸渍活性盐并对阴极表面后处理形成具有电子发射能力的阴极。该方法所制备的阴极具有发射电流密度大，可重复性好等特点，适用于对电流密度要求较高的电真空器件以及电子束源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101764006A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010033827.4
申请日：2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种浸渍型钪钨扩散式阴极材料的制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。本发明步骤：1)将偏钨酸铵、硝酸钪分别溶于水形成溶液；然后，将硝酸钪溶液加入偏钨酸铵溶液中混合，混合溶液的浓度为20-40g/L；采用喷雾干燥制备阴极材料前驱粉末，进料速度400ml/h、鼓风速率0.4m3/min-0.6m3/min；进口温度150℃，出口温度稳定在95℃；2)将喷雾干燥法制备的前驱粉末，在500-550℃，大气气氛下分解2小时获得复合氧化物粉末。3)氢气气氛下进行还原；还原分两步进行，首先在500-600℃保温1-2小时，再将温度升至800-950℃保温1-2小时，获得前驱掺杂钨粉。这种方法简化了前驱粉末制备工艺和避免制备过程中引入杂质元素，可重复性强，工艺简单，便于规模生产，制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。
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公开(公告)号：CN1304152C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510053831.6
申请日：2005-03-14
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22F9/26
Abstract: 本发明属于稀土难熔金属阴极材料领域。特征在于，Sc2O3占最终粉体的质量为1%—20%，其余为钨；包括以下步骤：1)以硝酸钪和偏钨酸铵为原料分别溶于水中，混合后加入柠檬酸和乙二醇溶液；将混合溶液于60—90℃水浴加热干燥，同时搅拌至溶液形成溶胶，然后于80—150℃烘干形成凝胶；2)将此凝胶在500—550℃、大气气氛下，进行加热分解，时间为2—4小时；3)将分解后的粉末在氢气气氛下进行还原，分为两步进行还原处理，第一步为500℃—600℃，保温时间0.5～1小时，第二步还原温度为850—1000℃，保温时间为1～2小时。制备的粉体具有氧化钪掺杂均匀的特点，而且粉体颗粒大小均匀。制备的含钪扩散阴极基材既可用于浸渍型含钪扩散阴极，也可用于压制型，提高了发射均匀性和寿命。
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公开(公告)号：CN1909143A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610088815.5
申请日：2006-07-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
CPC classification number: C01G41/006 , B22F2998/10 , C01P2004/03 , C01P2006/12 , B22F9/22 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 一种压制型含钪扩散阴极的制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。目前，压制型含钪扩散阴极一直没有解决各种活性物质分布均匀性的问题，且采用微米级的海绵体结构，导致其发射性能一直逊于浸渍型阴极。本发明所提供的压制型含钪扩散阴极制备方法，将Sc(NO3)3、Ba(NO3)2、Ca(NO3)2、Al(NO3)3和偏钨酸铵分别溶于水中后混合，并加入柠檬酸溶液，经水浴处理后，形成溶胶，将其烘干形成凝胶后进行分解，得到粉末；将粉末还原后压制成试样，随后于氢气气氛下一次烧结成阴极材料。本发明的工艺可重复性强，便于规模生产，制备的阴极材料中各种元素分布均匀，在800℃下具有非常优异的发射性能。
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公开(公告)号：CN1176480C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02131345.8
申请日：2002-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1-10%，铼占1-5%，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1-10%的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入1-5%的铼，在氢气气氛中，500-650℃下还原0.5-1.5小时，800-1000℃下还原保温1-3小时，得到掺杂氧化钪的钨粉；将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体；浸渍铝酸盐，超声波清洗和退火后，制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀，提高了耐高温、抗离子轰击能力，而且本发明的制备方法工艺重复性好。
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公开(公告)号：CN110303165B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201910585566.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种浸渍型氧化钪掺杂铼钨多相混合基扩散阴极及制备方法，属于难熔金属阴极技术领域。阴极基体是氧化钪掺杂的铼与钨形成的多相合金粉通过粉末冶金的方法制备而成的多孔体，之后向基体中浸渍活性盐并对阴极表面后处理形成具有电子发射能力的阴极。该方法所制备的阴极具有发射电流密度大，可重复性好等特点，适用于对电流密度要求较高的电真空器件以及电子束源。
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