公开(公告)号：CN101075515A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710118067.5

申请日：2007-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  王亦曼 ,  李莉莉 ,  王燕春 ,  刘伟 ,  周美玲 ,  左铁镛

IPC: H01J1/20 ,  H01J19/14

Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。

公开(公告)号：CN101075515B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200710118067.5

申请日：2007-06-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 王金淑 ,  王亦曼 ,  李莉莉 ,  王燕春 ,  刘伟 ,  周美玲 ,  左铁镛

IPC: H01J1/20 ,  H01J19/14

Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。