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公开(公告)号：CN106041069A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610366220.5
申请日：2016-05-27
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01J9/04 , B22F3/105 , B22F9/026 , B22F9/22 , B22F9/30 , B22F2003/1054 , B22F2998/10 , C22B34/36 , H01J1/28 , H01J19/22 , H01J35/06 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2999/00 , B22F2202/11
Abstract: 一种基于微波烧结的压制型含钪扩散阴极制备方法，属于稀土难溶金属阴极材料技术领域。将各种硝酸盐和偏钨酸氨溶于等离子水，制成均匀混合溶液，利用喷雾干燥得到颗粒均匀的前驱体粉末；然后前驱体粉末经过分解、二次还原得到元素均匀分布的掺杂钨粉；最后利用微波烧结的方法经过一次烧结制备阴极。最终实现阴极烧结一次成型，烧结收缩比显著降低，大幅减少烧结时间，结构均一，重复性好，并且在950℃具有优良发射性能。
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公开(公告)号：CN106206215B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610697857.2
申请日：2016-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种二元复合La2O3、Ta2O5掺杂钼阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中活性物质La2O3、Ta2O5成分的添加总量为3‑5wt％，其中Ta2O5的添加量为0.05‑0.5％；其余为Mo。将硝酸镧溶液、七钼酸铵溶液、柠檬酸溶液混合后添加氧化钽粉末，水浴加热，机械搅拌，烘干，最终形成干凝胶。干凝胶分解得到La2O3、Ta2O5掺杂MoO3粉末。氧化物混合粉末经过二次还原工艺获得的La2O3、Ta2O5掺杂钼粉。对粉体进行压制、烧结、碳化、激活、老练处理，获得具有良好发射性能的阴极材料。该材料热电子发射性能优异，满足微波炉磁控管中阴极的使用要求。
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公开(公告)号：CN106098501B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201610534671.5
申请日：2016-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Ag‑Mg‑Al合金次级发射阴极材料及其制备方法，属于电子发射阴极技术领域。以金属银充当基体，以Mg、Al金属元素充当活性物质，通过感应熔炼、冷轧、退火和磨抛光工艺制备得到Ag‑Mg‑Al合金薄片；之后将合金薄片在0.5～50.0Pa低压氧气气氛下进行热活化处理，得到厚度为80‑120nm的MgO‑Al2O3复合薄膜层。本发明的新型Ag‑Mg‑Al合金阴极具有次级发射系数大、耐电子轰击、性能稳定、制备工艺流程简单等优点，有望应用于光电倍增管、铯原子钟等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106041069B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610366220.5
申请日：2016-05-27
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01J9/04 , B22F3/105 , B22F9/026 , B22F9/22 , B22F9/30 , B22F2003/1054 , B22F2998/10 , C22B34/36 , H01J1/28 , H01J19/22 , H01J35/06 , B22F3/02
Abstract: 一种基于微波烧结的压制型含钪扩散阴极制备方法，属于稀土难溶金属阴极材料技术领域。将各种硝酸盐和偏钨酸氨溶于等离子水，制成均匀混合溶液，利用喷雾干燥得到颗粒均匀的前驱体粉末；然后前驱体粉末经过分解、二次还原得到元素均匀分布的掺杂钨粉；最后利用微波烧结的方法经过一次烧结制备阴极。最终实现阴极烧结一次成型，烧结收缩比显著降低，大幅减少烧结时间，结构均一，重复性好，并且在950℃具有优良发射性能。
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公开(公告)号：CN106206215A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610697857.2
申请日：2016-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种二元复合La2O3、Ta2O5掺杂钼阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中活性物质La2O3、Ta2O5成分的添加总量为3-5wt％，其中Ta2O5的添加量为0.05-0.5％；其余为Mo。将硝酸镧溶液、七钼酸铵溶液、柠檬酸溶液混合后添加氧化钽粉末，水浴加热，机械搅拌，烘干，最终形成干凝胶。干凝胶分解得到La2O3、Ta2O5掺杂MoO3粉末。氧化物混合粉末经过二次还原工艺获得的La2O3、Ta2O5掺杂钼粉。对粉体进行压制、烧结、碳化、激活、老练处理，获得具有良好发射性能的阴极材料。该材料热电子发射性能优异，满足微波炉磁控管中阴极的使用要求。
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公开(公告)号：CN106098501A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610534671.5
申请日：2016-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Ag‑Mg‑Al合金次级发射阴极材料及其制备方法，属于电子发射阴极技术领域。以金属银充当基体，以Mg、Al金属元素充当活性物质，通过感应熔炼、冷轧、退火和磨抛光工艺制备得到Ag‑Mg‑Al合金薄片；之后将合金薄片在0.5～50.0Pa低压氧气气氛下进行热活化处理，得到厚度为80‑120nm的MgO‑Al2O3复合薄膜层。本发明的新型Ag‑Mg‑Al合金阴极具有次级发射系数大、耐电子轰击、性能稳定、制备工艺流程简单等优点，有望应用于光电倍增管、铯原子钟等领域。
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公开(公告)号：CN106637116B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201611166493.1
申请日：2016-12-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
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公开(公告)号：CN106637116A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611166493.1
申请日：2016-12-16
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0089 , C23C14/081
Abstract: 本发明公开一种二次电子发射薄膜的简易制备方法，属于二次电子发射阴极材料的制备技术领域。以纯金属银/铝/钛作为基体，纯金属镁充当溅射源物质，以纯氩为工作气体，纯氧为反应气体，在对基体采用电阻加热的条件下，通过直流反应磁控溅射法，在银/铝/钛基体上制备得到MgO薄膜，次级发射系数δ高达4.88。采用所述方法制备MgO薄膜阴极具有制备工艺简单、膜厚可控、成分均匀、结晶性好、次级发射系数高、发射性能稳定且耐电子轰击等优点。有望应用于光电倍增管、铯原子钟、磁控管等领域。
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