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公开(公告)号：CN103011146B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210575850.5
申请日：2012-12-26
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯胶膜及其制备方法和石墨烯的转移方法。本发明采用在基底上生长好的石墨烯薄膜上旋涂聚乙烯醇缩醛胶，制备得到大面积、低缺陷的自支撑的透明石墨烯胶膜，可以进行大面积、定向的转移，操作简单，要求条件宽松，经过拉曼光谱、电学、磁学测量等方法可以证明该方法可以高质量的石墨烯，并可以转移得到大面积低缺陷的石墨烯薄膜，得到标准的石墨烯特征曲线。本发明的方法制备得到的石墨烯胶膜存储和转移都方便快捷，也可以快速测量石墨烯的性能，步骤简单快捷，转移成本低，不仅适用于手动裁剪，也适用于大规模机器自动剪成，同时仍可保证石墨烯薄膜的高质量，可以极大促进石墨烯材料的应用和推广。
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公开(公告)号：CN104576914B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510037533.1
申请日：2015-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法。通过机械手助混合物理化学气相沉积法，无需高真空条件，在2～7Pa真空条件下即可一次性在衬底上原位制得MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结。本发明方法可以连续生长所需的两层MgB2膜和BN势垒层，避免了生长过程中的杂质污染；利用CVD法生长的BN层性能优良，导热性好，适合作为势垒层，提高了势垒层的致密性，增强了约瑟夫森结工作时热量散发的几率和与MgB2的匹配度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576914A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510037533.1
申请日：2015-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法。通过机械手助混合物理化学气相沉积法，无需高真空条件，在2～7Pa真空条件下即可一次性在衬底上原位制得MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结。本发明方法可以连续生长所需的两层MgB2膜和BN势垒层，避免了生长过程中的杂质污染；利用CVD法生长的BN层性能优良，导热性好，适合作为势垒层，提高了势垒层的致密性，增强了约瑟夫森结工作时热量散发的几率和与MgB2的匹配度。
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公开(公告)号：CN103011146A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210575850.5
申请日：2012-12-26
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯胶膜及其制备方法和石墨烯的转移方法。本发明采用在基底上生长好的石墨烯薄膜上旋涂聚乙烯醇缩醛胶，制备得到大面积、低缺陷的自支撑的透明石墨烯胶膜，可以进行大面积、定向的转移，操作简单，要求条件宽松，经过拉曼光谱、电学、磁学测量等方法可以证明该方法可以高质量的石墨烯，并可以转移得到大面积低缺陷的石墨烯薄膜，得到标准的石墨烯特征曲线。本发明的方法制备得到的石墨烯胶膜存储和转移都方便快捷，也可以快速测量石墨烯的性能，步骤简单快捷，转移成本低，不仅适用于手动裁剪，也适用于大规模机器自动剪成，同时仍可保证石墨烯薄膜的高质量，可以极大促进石墨烯材料的应用和推广。
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公开(公告)号：CN102190311B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010124702.2
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Mg(BH4)2前驱体制备MgB2超导材料的方法。以Mg(BH4)2为前驱体，在真空条件下或惰性气氛中加热Mg(BH4)2粉末至400℃～500℃，保持该温度一段时间即可获得MgB2超导材料。该方法设备简单，合成速度快，成本低，产品超导性质优异，可以在低温下制备MgB2粉体、块材和薄膜，避免了传统粉体制备方法所需要的高温和不均匀性，容易实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN102190311A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010124702.2
申请日：2010-03-12
Applicant: 北京大学
IPC: C01B35/04
Abstract: 本发明公开了一种基于Mg(BH4)2前驱体制备MgB2超导材料的方法。以Mg(BH4)2为前驱体，在真空条件下或惰性气氛中加热Mg(BH4)2粉末至400℃～500℃，保持该温度一段时间即可获得MgB2超导材料。该方法设备简单，合成速度快，成本低，产品超导性质优异，可以在低温下制备MgB2粉体、块材和薄膜，避免了传统粉体制备方法所需要的高温和不均匀性，容易实现工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN208266264U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820656285.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/38 , C23C16/455 , C23C14/06 , C23C14/22
Abstract: 本实用新型公开了一种混合物理化学气相沉积装置，用于在曲面衬底上生长MgB2厚膜。其包括反应舱，在反应舱外围设有感应加热线圈，内部设有样品台和样品衬底，其特征在于，所述样品台位于反应舱底部，由圆环部分和位于圆环中心的用于放置固体样品源的孤岛组成，且圆环部分的外缘凸起；所述样品衬底为圆筒形，垂直放置在样品台的圆环部分上；反应舱的顶部设有用于通入反应气体进气口。该装置改变了反应舱内的气流方向，使得在曲面衬底上生长MgB2厚膜的操作更加简单有效。
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