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公开(公告)号：CN208266264U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820656285.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/38 , C23C16/455 , C23C14/06 , C23C14/22
Abstract: 本实用新型公开了一种混合物理化学气相沉积装置，用于在曲面衬底上生长MgB2厚膜。其包括反应舱，在反应舱外围设有感应加热线圈，内部设有样品台和样品衬底，其特征在于，所述样品台位于反应舱底部，由圆环部分和位于圆环中心的用于放置固体样品源的孤岛组成，且圆环部分的外缘凸起；所述样品衬底为圆筒形，垂直放置在样品台的圆环部分上；反应舱的顶部设有用于通入反应气体进气口。该装置改变了反应舱内的气流方向，使得在曲面衬底上生长MgB2厚膜的操作更加简单有效。
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