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公开(公告)号：CN105097768A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410337959.4
申请日：2014-07-16
申请人： 力晶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/02
CPC分类号： H01L28/75 , H01L23/5223 , H01L23/53295 , H01L28/86 , H01L28/90 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一种电容器结构及其制造方法。电容器结构包括至少一个电容器单元。电容器单元包括介电层、内部金属层及外部金属层。内部金属层设置于介电层中。外部金属层设置于介电层中，且包围内部金属层。外部金属层包括第一金属层、二个第二金属层及第三金属层。第一金属层设置于内部金属层下方。第二金属层设置于内部金属层的两侧，且第二金属层的下表面位于内部金属层的下表面以下。第三金属层设置于内部金属层上方，且连接于第二金属层。
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公开(公告)号：CN104835909A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201410099409.3
申请日：2014-03-18
申请人： 力晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1253 , H01L45/146
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器，包括第一电极、介电层、至少一第一纳米结构及第二电极。介电层设置于第一电极上。第一纳米结构设置于第一电极与介电层之间，且第一纳米结构包括多个第一群聚型金属纳米粒子及多个第一包覆型金属纳米粒子。第一群聚型金属纳米粒子设置于第一电极上。第一包覆型金属纳米粒子包覆第一群聚型金属纳米粒子，其中第一群聚型金属纳米粒子的扩散系数大于第一包覆型金属纳米粒子的扩散系数。第二电极设置于介电层上。
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公开(公告)号：CN103715216A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201210396732.8
申请日：2012-10-18
申请人： 力晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L29/6609 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1691
摘要： 本发明公开一种电阻式存储器单元及其制作方法。电阻式存储器单元，包含有至少一位线，沿着第一方向延伸；至少一字线，设于一基底上，且沿着一第二方向延伸，与该位线交叉；一硬掩模层，位于该字线上，使该字线与该位线电性隔离；一第一记忆胞，设于该字线的一侧壁上；以及一第二记忆胞，设于该字线的另一侧壁上。
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公开(公告)号：CN104934430A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410150290.8
申请日：2014-04-15
申请人： 力晶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/423
摘要： 本发明公开一种NOR型闪存存储器及其制造方法，其包括设置在基底上的存储单元。存储单元，包括：堆叠栅极结构、辅助栅极、辅助栅极介电层、淡掺杂区、漏极区。堆叠栅极结构设置在基底上。辅助栅极设置在堆叠栅极结构的第一侧的基底上。辅助栅极介电层设置在辅助栅极与基底之间。淡掺杂区设置在辅助栅极下方的基底中，其中通过在辅助栅极施加一电压而在辅助栅极下方的基底中形成反转层以作为源极区。漏极区，设置在堆叠栅极结构的第二侧的基底中，第一侧与第二侧相对。
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公开(公告)号：CN104934430B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201410150290.8
申请日：2014-04-15
申请人： 力晶科技股份有限公司
IPC分类号： H01L27/11524 , H01L29/423
摘要： 本发明公开一种NOR型闪存存储器及其制造方法，其包括设置在基底上的存储单元。存储单元，包括：堆叠栅极结构、辅助栅极、辅助栅极介电层、淡掺杂区、漏极区。堆叠栅极结构设置在基底上。辅助栅极设置在堆叠栅极结构的第一侧的基底上。辅助栅极介电层设置在辅助栅极与基底之间。淡掺杂区设置在辅助栅极下方的基底中，其中通过在辅助栅极施加一电压而在辅助栅极下方的基底中形成反转层以作为源极区。漏极区，设置在堆叠栅极结构的第二侧的基底中，第一侧与第二侧相对。
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公开(公告)号：CN104835909B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410099409.3
申请日：2014-03-18
申请人： 力晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1253 , H01L45/146
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器，包括第一电极、介电层、至少一第一纳米结构及第二电极。介电层设置于第一电极上。第一纳米结构设置于第一电极与介电层之间，且第一纳米结构包括多个第一群聚型金属纳米粒子及多个第一包覆型金属纳米粒子。第一群聚型金属纳米粒子设置于第一电极上。第一包覆型金属纳米粒子包覆第一群聚型金属纳米粒子，其中第一群聚型金属纳米粒子的扩散系数大于第一包覆型金属纳米粒子的扩散系数。第二电极设置于介电层上。
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公开(公告)号：CN103715216B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210396732.8
申请日：2012-10-18
申请人： 力晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L29/6609 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1691
摘要： 本发明公开一种电阻式存储器单元及其制作方法。电阻式存储器单元，包含有至少一位线，沿着第一方向延伸；至少一字线，设于一基底上，且沿着一第二方向延伸，与该位线交叉；一硬掩模层，位于该字线上，使该字线与该位线电性隔离；一第一记忆胞，设于该字线的一侧壁上；以及一第二记忆胞，设于该字线的另一侧壁上。
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