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公开(公告)号：CN109643659B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201780051514.1
申请日：2017-08-22
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及图像显示装置，在通过印刷法制造的有机薄膜晶体管中，成品率良好，特别消除了栅电极与电容器电极的短路不良，能够得到充分的电容器电极面积。有机薄膜晶体管在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、至少2层以上的绝缘层、以及位于绝缘层上的源电极、漏电极及含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在第一绝缘层上形成有栅电极，以覆盖栅电极的方式形成有第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN107408510B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201680016302.5
申请日：2016-03-15
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供在利用印刷法等湿式成膜法形成各层的有机半导体薄膜晶体管中显示良好特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包含：绝缘性的基板；形成在绝缘性的基板上的栅电极；形成在基板及栅电极上的栅绝缘层；在栅绝缘层上相互分开地形成的源电极及漏电极；在栅绝缘层上连接于源电极及漏电极而形成的半导体层；形成在半导体层上的半导体保护层；形成在源电极、漏电极及半导体保护层上且含有氟化合物的层间绝缘膜；以及形成在层间绝缘膜上的上部电极。
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公开(公告)号：CN107408510A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680016302.5
申请日：2016-03-15
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/136 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L27/1259 , H01L27/3258 , H01L27/3274 , H01L29/41733 , H01L29/6675 , H01L29/786 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供在利用印刷法等湿式成膜法形成各层的有机半导体薄膜晶体管中显示良好特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包含：绝缘性的基板；形成在绝缘性的基板上的栅电极；形成在基板及栅电极上的栅绝缘层；在栅绝缘层上相互分开地形成的源电极及漏电极；在栅绝缘层上连接于源电极及漏电极而形成的半导体层；形成在半导体层上的半导体保护层；形成在源电极、漏电极及半导体保护层上且含有氟化合物的层间绝缘膜；以及形成在层间绝缘膜上的上部电极。
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公开(公告)号：CN105580120A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480053246.3
申请日：2014-09-11
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/107 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L27/1248 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L51/0004 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/005 , H01L51/0055 , H01L51/0094 , H01L51/0096 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法、层间绝缘膜中缺陷少的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列至少具备绝缘基板(10)、栅电极(11)、栅极绝缘膜(12)、源电极(13B)、漏电极(14)、半导体层(15)、覆盖半导体层(15)的保护层(16)、像素电极(18)、以及形成在漏电极(14)与像素电极(18)之间的层间绝缘膜(17)。层间绝缘膜(17)是有机膜或有机与无机的混合膜，层间绝缘膜(17)在形成有漏电极(14)的位置的一部分具有通孔(40)以使像素电极(18)连接于漏电极(14)，漏电极(14)具有位于通孔(40)内且在电极材料上形成有开口的开口部，在通孔(40)内的漏电极(14)上存在硫醇基或二硫化物基。
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公开(公告)号：CN102576507A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080042815.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/32 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/3248 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及有源矩阵基板以及图像显示装置，该有源矩阵基板由于漏电极和像素电极容易连接且半导体电路和滤色器容易对位，所以成品率高、且开口率高。本发明的有源矩阵基板，其特征在于，是以薄膜晶体管(101)构成像素、排列多个该像素而形成的有源矩阵基板，所述薄膜晶体管(101)在基板(1)上具有栅极电极(2)、栅极电极(2)上的栅极绝缘层(4)、栅极绝缘层(4)上的半导体活性层(5)、与半导体活性层(5)连接的源电极(7)和漏电极(8)、与漏电极(8)连接的像素电极(10)、和用于将源电极(7)和像素电极(10)绝缘的层间绝缘层(9)；以将半导体活性层(5)分为二个露出区域的方式在半导体活性层上形成保护膜(6)，在该两个露出区域的一方源电极(7)与半导体活性层(5)连接，在另一方漏电极(8)与半导体活性层(5)连接，漏电极(8)在保护膜(6)上与像素电极(10)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115917759A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202180041186.3
申请日：2021-07-05
Applicant: 凸版印刷株式会社
Inventor： 池田典昭
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/363
Abstract: 本发明的目的在于提供具有良好的元件特性且具有高挠性的薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列以及薄膜晶体管的制造方法。因此，本发明的薄膜晶体管具有绝缘性的基板、栅极电极、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、半导体层、绝缘性的保护层、源极电极、以及漏极电极，第一栅极绝缘层由包含有机材料的绝缘材料形成，第二栅极绝缘层由无机绝缘材料形成，第二栅极绝缘层的膜厚比第一栅极绝缘层的膜厚薄，第二栅极绝缘层仅形成在与半导体层或保护层重叠的范围内。
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公开(公告)号：CN109643659A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780051514.1
申请日：2017-08-22
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/105 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L27/3265 , H01L27/3274 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及图像显示装置，在通过印刷法制造的有机薄膜晶体管中，成品率良好，特别消除了栅电极与电容器电极的短路不良，能够得到充分的电容器电极面积。有机薄膜晶体管在绝缘性的基板上至少具有栅电极、电容器电极、至少2层以上的绝缘层、以及位于绝缘层上的源电极、漏电极及含有有机半导体材料的半导体层，其中，以至少覆盖电容器电极的方式形成有第一绝缘层，在第一绝缘层上形成有栅电极，以覆盖栅电极的方式形成有第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN102576507B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080042815.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/32 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/3248 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及有源矩阵基板以及图像显示装置，该有源矩阵基板由于漏电极和像素电极容易连接且半导体电路和滤色器容易对位，所以成品率高、且开口率高。本发明的有源矩阵基板，其特征在于，是以薄膜晶体管(101)构成像素、排列多个该像素而形成的有源矩阵基板，所述薄膜晶体管(101)在基板(1)上具有栅极电极(2)、栅极电极(2)上的栅极绝缘层(4)、栅极绝缘层(4)上的半导体活性层(5)、与半导体活性层(5)连接的源电极(7)和漏电极(8)、与漏电极(8)连接的像素电极(10)、和用于将源电极(7)和像素电极(10)绝缘的层间绝缘层(9)；以将半导体活性层(5)分为二个露出区域的方式在半导体活性层上形成保护膜(6)，在该两个露出区域的一方源电极(7)与半导体活性层(5)连接，在另一方漏电极(8)与半导体活性层(5)连接，漏电极(8)在保护膜(6)上与像素电极(10)连接。
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公开(公告)号：CN105580120B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201480053246.3
申请日：2014-09-11
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法、层间绝缘膜中缺陷少的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列至少具备绝缘基板(10)、栅电极(11)、栅极绝缘膜(12)、源电极(13B)、漏电极(14)、半导体层(15)、覆盖半导体层(15)的保护层(16)、像素电极(18)、以及形成在漏电极(14)与像素电极(18)之间的层间绝缘膜(17)。层间绝缘膜(17)是有机膜或有机与无机的混合膜，层间绝缘膜(17)在形成有漏电极(14)的位置的一部分具有通孔(40)以使像素电极(18)连接于漏电极(14)，漏电极(14)具有位于通孔(40)内且在电极材料上形成有开口的开口部，在通孔(40)内的漏电极(14)上存在硫醇基或二硫化物基。
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公开(公告)号：CN107078164A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052734.7
申请日：2015-10-27
Applicant: 凸版印刷株式会社
Inventor： 池田典昭
IPC: H01L29/786 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696 , H01L51/0003 , H01L51/105 , H01L51/107
Abstract: 本发明提供在利用印刷法等湿式成膜法形成半导体层的有机半导体薄膜晶体管中显示良好特性的薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管在第1基板上至少具有栅电极、栅极绝缘层、源电极、漏电极、连接于源电极及漏电极的半导体层、以及保护层，源电极及漏电极表面具有凹凸构造。
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