公开(公告)号：CN105580120B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201480053246.3

申请日：2014-09-11

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 熊谷稔 ,  池田典昭

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

Abstract: 本发明提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法、层间绝缘膜中缺陷少的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列至少具备绝缘基板(10)、栅电极(11)、栅极绝缘膜(12)、源电极(13B)、漏电极(14)、半导体层(15)、覆盖半导体层(15)的保护层(16)、像素电极(18)、以及形成在漏电极(14)与像素电极(18)之间的层间绝缘膜(17)。层间绝缘膜(17)是有机膜或有机与无机的混合膜，层间绝缘膜(17)在形成有漏电极(14)的位置的一部分具有通孔(40)以使像素电极(18)连接于漏电极(14)，漏电极(14)具有位于通孔(40)内且在电极材料上形成有开口的开口部，在通孔(40)内的漏电极(14)上存在硫醇基或二硫化物基。

公开(公告)号：CN105580120A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053246.3

申请日：2014-09-11

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 熊谷稔 ,  池田典昭

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/107 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0034 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明提供在层间绝缘膜的形成中不使用光刻法、层间绝缘膜中缺陷少的薄膜晶体管阵列。薄膜晶体管阵列至少具备绝缘基板(10)、栅电极(11)、栅极绝缘膜(12)、源电极(13B)、漏电极(14)、半导体层(15)、覆盖半导体层(15)的保护层(16)、像素电极(18)、以及形成在漏电极(14)与像素电极(18)之间的层间绝缘膜(17)。层间绝缘膜(17)是有机膜或有机与无机的混合膜，层间绝缘膜(17)在形成有漏电极(14)的位置的一部分具有通孔(40)以使像素电极(18)连接于漏电极(14)，漏电极(14)具有位于通孔(40)内且在电极材料上形成有开口的开口部，在通孔(40)内的漏电极(14)上存在硫醇基或二硫化物基。