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公开(公告)号：CN110635035A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810657177.7
申请日：2018-06-25
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多组分有机体异质结和砷化铟的宽光谱光敏二极管。利用无机半导体的高迁移率，多组分有机体异质结的高光吸收效率，以及无机半导体与有机吸收光谱的互补，本发明具有光响应度更高，光谱响应范围更宽的优点。基于本发本明的宽光谱光敏二极管，其特征是它由砷化铟晶片兼作衬底、多组分有机体异质结层、空穴阻挡层、Sb2O3/Ag/Sb2O3透明导电薄膜、Ti/Au薄膜组成，从下至上，其顺序依次是Ti/Au薄膜，砷化铟晶片，多组分有机体异质结层，空穴阻挡层和Sb2O3/Ag/Sb2O3透明导电薄膜。
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公开(公告)号：CN110533003A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910842942.7
申请日：2019-09-06
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明属于一种数字识别算法及设备，涉及图像数据处理，该算法适用于车牌数字识别。一种穿线法车牌数字识别算法及设备，包括如下步骤：采集车牌图像；将采集到的车牌图像进行灰度及二值化操作操作；实现车牌定位，得到定位数据；通过定位数据在第二帧图像中实现每个数字从上至下划分成为区域1、区域2、区域3及区域4，并分别在4个有效区域设定对比值，并依次对区域1、区域2、区域3及区域4中每一行图像数据中的“1”分别进行计数，取计数值的最大值或最小值作为特征值，与该区域内的对比值进行比较，进而识别出数字。本发明统计四行图像数据，速度较快、精度更高，相比于单一的只选取一行数据有更大的范围，可靠性更高。
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公开(公告)号：CN107403741A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201610329672.6
申请日：2016-05-18
Applicant: 兰州大学
CPC classification number: H01L22/10 , H01L21/67242
Abstract: 本发明公布了一种高真空变温有机半导体器件测量腔，其特征是它由腔体、低温样品台、高温样品台和抽真空系统组成。其中抽真空系统与腔体相连，为其提供高真空度。低温样品台(低于室温)和高温样品台(高于室温)置于腔体之内。低温样品台采用半导体制冷片产生低温，由温度控制器实现-50℃至室温的温度变化。高温样品台的高温(高于室温)由电加热器产生，经温度控制器实现室温至500℃的温度变化。腔体上具有多路气体输入口，它们与微调阀配合，可有效且可控地改变测量腔内的气氛种类和压力，实现不同气氛下对有机半导体器件的测量；腔体配备多电极法兰，用于电信号及电源的输入和输出；腔体配备石英窗作为入射和出射光的窗口及观察窗口。
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公开(公告)号：CN106898695A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510970565.7
申请日：2015-12-21
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种有机混合薄膜宽光谱有机-无机光敏二极管的设计与制备方法。其特征在于它由背面(非抛光面)制备有金属背电极薄膜的掺杂硅(兼做衬底)、有机混合薄膜和透明顶电极薄膜组成，从上至下，其顺序依次是背电极薄膜、掺杂硅、有机混合薄膜和透明顶电极薄膜。有机混合薄膜由两种以上光吸收光谱范围互补的有机光敏材料组成。
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公开(公告)号：CN103972387A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310041489.2
申请日：2013-02-01
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/428 , H01L51/4253 , H01L51/4286
Abstract: 本发明公开了一种混合平面-体异质结光敏有机场效应管的设计与制备方法。混合平面-体异质结光敏有机场效应管包括衬底、栅极、栅介质、有机载流子输运层，有机体异质结光敏层，漏极和源极。有机体异质光敏结层实现产生光生载流子的功能，只要求其具有高的光敏性或光生载流子产生效率，而不要求其具有高的迁移率。有机载流子输运层实现光生载流子的输运功能，只要求其具有高的迁移率，而不要求其具有高的光敏性。这种结构极大地扩大了有机材料的选择范围。一方面提高了光生载流子的产生效率，另一方面提高了有机载流子迁移率。因此本发明能有效提高光敏有机场效应管的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103187521A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110455640.8
申请日：2011-12-31
Applicant: 兰州大学
Inventor： 彭应全
IPC: H01L43/10
Abstract: 本发明提出了一种有机磁敏二极管，属于微电子器件与传感器技术领域，有望在磁场测量和探测方面得到广泛应用。其结构为铟锡氧化物(ITO)/酞菁铜(CuPc)或苝四甲酸二酐(PTCDA)/Al。这种有机磁敏二极管具有磁致电阻效应，其磁致电阻的大小随外加磁场的增强而增大，其中以PTCDA为有机层的器件(PTCDA器件)的磁致电阻为负，而以CuPc为有机层的器件(CuPc器件)的磁致电阻为正。在室温下，外加磁场为100mT时，PTCDA器件和CuPc器件的磁致电阻可分别达到-30％和20％以上。
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公开(公告)号：CN100594254C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200810108517.7
申请日：2008-05-21
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开一种采用物理方法在基底材料上制备薄膜的设备，以及在制备过程中观察膜生长情况的方法。本发明的装置中镀膜室由镀膜室壳体和位于镀膜室壳体下的底板构成，在真空壳体上设置有充气阀和观察窗，在底板上分别设置有电阻加热蒸发器、辐射式坩锅蒸发器、溅射靶以及干涉光源、摄像头，在固定架上设置有用旋转轴驱动的旋转托盘、样片退火加热器和其下底设置的用于固定制膜样片装置；本发明的方法是在膜生长同时观察膜上形成的干涉现象。
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公开(公告)号：CN107026238A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610064522.7
申请日：2016-01-30
Applicant: 兰州大学
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/0032 , H01L51/52 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种以平面异质结为近红外光敏层的有机近红外上转换器件。采用有机平面异质结作为近红外光敏层，采用有机发光二极管(OLED)结构作为发光单元，制备有机近红外上转换器件。有机平面异质结采用给体‑受体或者受体‑给体平面异质结结构，OLED结构采用常规或者倒置OLED结构，设计了结构为“透明阴极/给体‑受体平面异质结光敏层/倒置OLED功能层/阳极”，“透明阴极/倒置OLED功能层/给体‑受体平面异质结光敏层/阳极”，“透明阳极/受体‑给体平面异质结光敏层/常规OLED功能层/阴极”和“透明阳极/常规OLED功能层/受体‑给体平面异质结光敏层/阴极”的四种有机近红外上转换器件。
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公开(公告)号：CN101881806B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010162152.3
申请日：2010-04-04
Applicant: 兰州大学
Abstract: 有机半导体器件的研究已非常广泛，对于其特征曲线的测量，目前大多使用原有针对无机半导体器件设计的仪器。与无机半导体器件相比，有机半导体器件不仅工作电压高，而且由于工作机制更复杂而使参数种类更多。因此使用现有测量仪器，不仅价格昂贵，而且很不方便。本发明涉及一种有机半导体器件的测量仪。有机半导体器件测量仪包括数据采集板组、高输出电压直流放大电路、电流放大电路、放大倍数自动调节电压放大电路和程控限流电路。测量仪不仅适用于有机半导体器件，也适用于传统无机半导体器件的测量。
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