公开(公告)号：CN107403741A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201610329672.6

申请日：2016-05-18

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  许昆 ,  吕文理

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/10 ,  H01L21/67242

Abstract: 本发明公布了一种高真空变温有机半导体器件测量腔，其特征是它由腔体、低温样品台、高温样品台和抽真空系统组成。其中抽真空系统与腔体相连，为其提供高真空度。低温样品台(低于室温)和高温样品台(高于室温)置于腔体之内。低温样品台采用半导体制冷片产生低温，由温度控制器实现-50℃至室温的温度变化。高温样品台的高温(高于室温)由电加热器产生，经温度控制器实现室温至500℃的温度变化。腔体上具有多路气体输入口，它们与微调阀配合，可有效且可控地改变测量腔内的气氛种类和压力，实现不同气氛下对有机半导体器件的测量；腔体配备多电极法兰，用于电信号及电源的输入和输出；腔体配备石英窗作为入射和出射光的窗口及观察窗口。

公开(公告)号：CN205790073U

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201620452810.5

申请日：2016-05-18

Applicant: 兰州大学

Inventor： 彭应全 ,  许昆 ,  吕文理

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/48 ,  H01L51/56

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型公布了一种高真空变温有机半导体器件测量腔，其特征是它由腔体、低温样品台、高温样品台和抽真空系统组成。其中抽真空系统与腔体相连，为其提供高真空度。提供低于室温测量环境的低温样品台和高于室温测量环境的高温样品台置于腔体之内。低温样品台采用半导体制冷片产生低温，由温度控制器实现-50℃至室温的温度变化。高温样品台的高温由电加热器产生，经温度控制器实现室温至500℃的温度变化。腔体上具有多路气体输入口，与微调阀配合，可有效且可控地改变测量腔内的气氛种类和压力，实现不同气氛下对有机半导体器件的测量；腔体配备多电极法兰，用于电源的输入和电信号的输入和输出；腔体配备石英窗作为入射和出射光的窗口及观察窗口。