薄膜制备装置及薄膜生长的观察方法

    公开(公告)号:CN100594254C

    公开(公告)日:2010-03-17

    申请号:CN200810108517.7

    申请日:2008-05-21

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开一种采用物理方法在基底材料上制备薄膜的设备,以及在制备过程中观察膜生长情况的方法。本发明的装置中镀膜室由镀膜室壳体和位于镀膜室壳体下的底板构成,在真空壳体上设置有充气阀和观察窗,在底板上分别设置有电阻加热蒸发器、辐射式坩锅蒸发器、溅射靶以及干涉光源、摄像头,在固定架上设置有用旋转轴驱动的旋转托盘、样片退火加热器和其下底设置的用于固定制膜样片装置;本发明的方法是在膜生长同时观察膜上形成的干涉现象。

    薄膜制备装置及薄膜生长的观察方法

    公开(公告)号:CN101275218A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200810108517.7

    申请日:2008-05-21

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本发明公开一种采用物理方法在基底材料上制备薄膜的设备,以及在制备过程中观察膜生长情况的方法。本发明的装置中镀膜室由镀膜室壳体和位于镀膜室壳体下的底板构成,在真空壳体上设置有充气阀和观察窗,在底板上分别设置有电阻加热蒸发器、辐射式坩埚蒸发器、溅射靶以及干涉光源、摄像头,在固定架上设置有用旋转轴驱动的旋转托盘、样片退火加热器和其下底设置的用于固定制膜样片装置;本发明的方法是在膜生长的同时观察膜上形成的干涉现象。

    薄膜制备装置
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201305624Y

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200820116753.9

    申请日:2008-05-21

    Applicant: 兰州大学

    Abstract: 本实用新型公开一种采用物理方法在基底材料上制备薄膜的设备,以及在制备过程中观察膜生长情况的方法。本实用新型的装置中镀膜室由镀膜室壳体和位于镀膜室壳体下的底板构成,在真空壳体上设置有充气阀和观察窗,在底板上分别设置有电阻加热蒸发器、辐射式坩埚蒸发器、溅射靶以及干涉光源、摄像头,在固定架上设置有用旋转轴驱动的旋转托盘、样片退火加热器和其下底设置的用于固定制膜样片装置。

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