公开(公告)号：CN105102514B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201480013932.8

申请日：2014-02-24

Applicant: 兆科学公司

Inventor： 梁荣昌 ,  曾经仁 ,  T-C·吴 ,  梁家彦 ,  安之瑶 ,  马安妤 ,  M·K·昂

IPC: C08J7/04 ,  H05K3/32 ,  B32B3/26 ,  B32B3/30

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B3/26 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/205 ,  B32B27/281 ,  B32B27/285 ,  B32B27/286 ,  B32B27/302 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2264/0235 ,  B32B2264/025 ,  B32B2264/0257 ,  B32B2264/0264 ,  B32B2264/0292 ,  B32B2264/105 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/714 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2413/00 ,  C08J7/04 ,  H05K3/323 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/24998 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31786 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938 ,  Y10T428/31942

Abstract: 一种用于制造植入各向异性导电膜的器件或组件的载体带。该载体带包括具有牺牲性的图像增强层的基底。通过激光烧蚀经过图像增强层，在载体内形成微孔。在去除图像增强层之后，多个导电粒子被分配在载体带表面上通过激光烧蚀形成的微孔阵列内部，并转移到粘合剂层上。该图像增强层使得能形成具有细间距和的微孔和具有高长径比的间距和分区。

公开(公告)号：CN105517790A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480049526.7

申请日：2014-08-30

Applicant: 兆科学公司

Inventor： 梁荣昌 ,  孙昱浩 ,  安之瑶

IPC: B32B5/16

CPC classification number: H01B3/447 ,  H01B3/28 ,  H01B3/307 ,  H01B3/442 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29423 ,  H01L2224/29424 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29447 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/2946 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H05K1/0213 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0221 ,  Y10T428/2438 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 将ACF阵列和更特别地非随机颗粒的结构和制造工艺转移到预定构造、形状和尺寸的微腔阵列上。该制造工艺包括在含微腔的预定阵列的基底或载网上流体填充用嵌段共聚物组合物表面处理的导电颗粒。然后用粘合剂膜罩面涂布或层压如此制备的填充导电微腔阵列。

公开(公告)号：CN105102514A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480013932.8

申请日：2014-02-24

Applicant: 兆科学公司

Inventor： 梁荣昌 ,  曾经仁 ,  T-C·吴 ,  梁家彦 ,  安之瑶 ,  马安妤 ,  M·K·昂

IPC: C08J7/04 ,  H05K3/32 ,  B32B3/26 ,  B32B3/30

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B3/26 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/205 ,  B32B27/281 ,  B32B27/285 ,  B32B27/286 ,  B32B27/302 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2264/0235 ,  B32B2264/025 ,  B32B2264/0257 ,  B32B2264/0264 ,  B32B2264/0292 ,  B32B2264/105 ,  B32B2270/00 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/714 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2413/00 ,  C08J7/04 ,  H05K3/323 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/24998 ,  Y10T428/31504 ,  Y10T428/31507 ,  Y10T428/31663 ,  Y10T428/31721 ,  Y10T428/31725 ,  Y10T428/31786 ,  Y10T428/31935 ,  Y10T428/31938 ,  Y10T428/31942

Abstract: 一种用于制造植入各向异性导电膜的器件或组件的载体带。该载体带包括具有牺牲性的增强对比层的基底。通过激光烧蚀经过增强对比层，在载体内形成微孔。在去除增强对比层之后，多个导电粒子被分配在载体带表面上通过激光烧蚀形成的微孔阵列内部，并转移到粘合剂层上。该增强对比层使得能形成具有细间距和的微孔和具有高长径比的间距和分区。