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公开(公告)号：CN105102514B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201480013932.8
申请日：2014-02-24
Applicant: 兆科学公司
CPC classification number: B32B38/10 , B32B3/26 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/205 , B32B27/281 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/302 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2264/0235 , B32B2264/025 , B32B2264/0257 , B32B2264/0264 , B32B2264/0292 , B32B2264/105 , B32B2270/00 , B32B2307/202 , B32B2307/714 , B32B2310/0843 , B32B2413/00 , C08J7/04 , H05K3/323 , Y10T428/249978 , Y10T428/24998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935 , Y10T428/31938 , Y10T428/31942
Abstract: 一种用于制造植入各向异性导电膜的器件或组件的载体带。该载体带包括具有牺牲性的图像增强层的基底。通过激光烧蚀经过图像增强层，在载体内形成微孔。在去除图像增强层之后，多个导电粒子被分配在载体带表面上通过激光烧蚀形成的微孔阵列内部，并转移到粘合剂层上。该图像增强层使得能形成具有细间距和的微孔和具有高长径比的间距和分区。
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公开(公告)号：CN104582946A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380045329.3
申请日：2013-11-13
Applicant: 兆科学公司
IPC: B32B5/16
CPC classification number: H05K3/323 , C08K7/04 , C08K7/16 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C09J7/20 , C09J9/02 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , Y10T428/24 , B32B5/16 , B32B7/10 , B32B2264/00
Abstract: 一种各向异性导电膜(ACF)，它包括：(a)具有基本上均匀厚度的粘合剂层；和(b)单独地粘附到粘合剂层上的多个导电颗粒，其中该导电颗粒包括在粘合剂层内在第一深度处部分包埋的颗粒位置的第一非-随机阵列，和在第二深度处部分包埋的导电颗粒的第二固定的非-随机阵列或分散体，或者充分包埋在粘合剂层内的导电颗粒的分散体，其中第一和第二深度完全不同。ACF可作为片材，连续膜或作为卷材形式供应，和该多层形态可存在于整个产品的长度当中或者存在于选择区域内。
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公开(公告)号：CN104582946B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201380045329.3
申请日：2013-11-13
Applicant: 兆科学公司
IPC: B32B5/16
CPC classification number: H05K3/323 , C08K7/04 , C08K7/16 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C09J7/20 , C09J9/02 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , Y10T428/24
Abstract: 一种各向异性导电膜(ACF)，它包括：(a)具有基本上均匀厚度的粘合剂层；和(b)单独地粘附到粘合剂层上的多个导电颗粒，其中该导电颗粒包括在粘合剂层内在第一深度处部分包埋的颗粒位置的第一非‑随机阵列，和在第二深度处部分包埋的导电颗粒的第二固定的非‑随机阵列或分散体，或者充分包埋在粘合剂层内的导电颗粒的分散体，其中第一和第二深度完全不同。ACF可作为片材，连续膜或作为卷材形式供应，和该多层形态可存在于整个产品的长度当中或者存在于选择区域内。
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公开(公告)号：CN105102514A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480013932.8
申请日：2014-02-24
Applicant: 兆科学公司
CPC classification number: B32B38/10 , B32B3/26 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/205 , B32B27/281 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/302 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2264/0235 , B32B2264/025 , B32B2264/0257 , B32B2264/0264 , B32B2264/0292 , B32B2264/105 , B32B2270/00 , B32B2307/202 , B32B2307/714 , B32B2310/0843 , B32B2413/00 , C08J7/04 , H05K3/323 , Y10T428/249978 , Y10T428/24998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31663 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935 , Y10T428/31938 , Y10T428/31942
Abstract: 一种用于制造植入各向异性导电膜的器件或组件的载体带。该载体带包括具有牺牲性的增强对比层的基底。通过激光烧蚀经过增强对比层，在载体内形成微孔。在去除增强对比层之后，多个导电粒子被分配在载体带表面上通过激光烧蚀形成的微孔阵列内部，并转移到粘合剂层上。该增强对比层使得能形成具有细间距和的微孔和具有高长径比的间距和分区。
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