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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100452407C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480001880.9
申请日：2004-01-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Abstract: 一种SOI晶片，其将分别由硅单晶所形成的基底晶片和结合晶片，经由氧化膜贴合之后，通过使前述结合晶片薄膜化而形成有硅有源层的SOI晶片，前述基底晶片，由切克劳斯基法所生长的硅单晶，该晶片的全体面为OSF区域的外侧的N区域、且未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域的硅晶片；或是该晶片的全体面为OSF区域的外侧、未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域、且包含存在起因于晶格间硅的位错群的I区域的硅晶片所构成。借此，可以提供一种SOI晶片，即使层间绝缘氧化膜的厚度，例如形成100nm以下程度的极薄的情况下，高绝缘性也被维持，在装置制造过程中，电性可靠度高。
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公开(公告)号：CN101040068A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580035146.9
申请日：2005-08-18
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Inventor： 樱田昌弘
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1032
Abstract: 一种单结晶制造装置，是通过切克劳斯基法来培养硅单结晶的单结晶制造装置，其特征为：至少在要进行前述单结晶的培养的室(chamber)内，具备气体整流筒，其被配置成可以围绕硅单结晶，用以调整被导入该室内的气流；在该气体整流筒的内侧，设置含有气泡的石英材料。由此，可以提供一种单结晶制造装置，当培养CZ硅单结晶的时候，能够将单结晶面内直径方向的F/G控制成一定而成为规定的值，而能够有效率地制造出在面内具有均匀且是所希望的缺陷区域的硅单结晶，进而防止Fe与Cu的杂质污染，而可以制造出高质量的硅单结晶。
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公开(公告)号：CN100452408C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200480005886.3
申请日：2004-03-12
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Inventor： 樱田昌弘
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , H01L21/76243 , H01L21/76254
Abstract: 一种SOI晶片及其制造方法，至少在支承基板上，通过绝缘膜形成硅有源层或直接形成硅有源层的SOI晶片，其特征为：至少上述硅有源层，是利用柴氏长晶法所生成的N区域及/或无缺陷I区域的P(磷)掺杂硅单晶，且以2×1012atoms/cc以上的浓度含有Al(铝)。借此构成，可简单且廉价地提供一种SOI晶片，该SOI晶片即使形成极薄的硅有源层时，也不会因氢氟酸洗净等产生微小凹坑，而具有优异的电性特性，或即使形成极薄的层间绝缘膜时，也可维持高绝缘性，且装置制作步骤的电性可靠性高。
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公开(公告)号：CN1757115A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200480005886.3
申请日：2004-03-12
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Inventor： 樱田昌弘
CPC classification number: C30B29/06 , C30B15/203 , H01L21/76243 , H01L21/76254
Abstract: 一种SOI晶片及其制造方法，至少在支承基板上，通过绝缘膜形成硅活性层或直接形成硅活性层的SOI晶片，其特征为：至少上述硅活性层，是利用柴氏长晶法所生成的N区域及/或无缺陷I区域的P(磷)掺杂硅单晶，且Al(铝)浓度的含量为2×1012atoms/cc以上。借此构成，可简单且廉价地提供一种SOI晶片，该SOI晶片即使形成极薄的硅活性层时，也不会因氢氟酸洗净等产生微小凹坑，而具有优异的电性特性，或即使形成极薄的层间绝缘膜时，也可维持高绝缘性，且装置制作步骤的电性可靠性高。
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公开(公告)号：CN1723563A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200480001880.9
申请日：2004-01-22
Applicant: 信越半导体股份有限公司
Abstract: 一种SOI晶片，其将分别由硅单晶所形成的基底晶片和结合晶片，经由氧化膜贴合之后，通过使前述结合晶片薄膜化而形成有硅活性层的SOI晶片，前述基底晶片，由切克劳斯基法所生长的硅单晶，该晶片的全体面为OSF区域的外侧的N区域、且未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域的硅晶片；或是该晶片的全体面为OSF区域的外侧、未含有经由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域、且包含存在起因于晶格间硅的位错群的I区域的硅晶片所构成。借此，可以提供一种SOI晶片，即使层间绝缘氧化膜的厚度，例如形成100nm以下程度的极薄的情况下，高绝缘性也被维持，在装置制造过程中，电性可靠度高。
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