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公开(公告)号：CN1495822A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03158649.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J2201/30457
Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面。
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公开(公告)号：CN1331180C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03158649.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J2201/30457
Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面，而且所述阴极薄膜平行于柱形部分的侧面延伸。
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公开(公告)号：CN100395898C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN03158713.5
申请日：2003-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/34 , Y10T428/30
Abstract: 一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱(微型突起)，这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面(水平截面)为四边形形状，其长边边长为a[nm]，短边边长为ka[nm]，且在短边一侧的一个侧面上形成有一层二氧化硅(SiO2)薄膜。长边的边长a[nm]和短边的边长ka[nm]满足下列公式(1)和(2)的关系表达式：见右下式；nλ＝C1...(2)，其中：C1：每个四棱柱内部生成的光在该四棱柱侧面上反射时，环绕某一特定环路，一圈的距离为[nm]；n：一个任意正整数；以及λ：构成四棱柱的金钢石的发射峰值波长λ[nm]。
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公开(公告)号：CN1503381A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN03158713.5
申请日：2003-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/34 , Y10T428/30
Abstract: 一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱(微型突起)，这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面(水平截面)为四边形形状，其长边边长为a[nm]，短边边长为ka[nm]，且在短边一侧的一个侧面上形成有一层二氧化硅(SiO2)薄膜。长边的边长a[nm]和短边的边长ka[nm]满足下列公式(1)和(2)的关系表达式：(2)。C1：每个四棱柱内部生成的光在该四棱柱侧面上反射时，环绕某一特定环路，一圈的距离为[nm]；n：一个任意正整数；以及λ：构成四棱柱的金钢石的发射峰值波长λ[nm]。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116981802A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202280020425.1
申请日：2022-03-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04
Abstract: 一种单晶金刚石，其中，X射线衍射摇摆曲线的半值宽度为20秒以下，所述X射线衍射摇摆曲线的半值宽度按照以下方式进行测定：在基于双晶法的X射线衍射中，第一晶体使用金刚石晶体，(004)面平行配置，通过CuKα射线进行测定，拉曼分光光谱的拉曼位移为1332cm‑1以上且1333cm‑1以下的峰的半值宽度为2.0cm‑1以下，蚀坑密度为10000个/cm2以下，所述蚀坑密度通过蚀刻实验来测定，氮的原子数基准的含有率为大于0.1ppm且50ppm以下。
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公开(公告)号：CN109715858B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201780056604.X
申请日：2017-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人京都大学
Abstract: 一种碳材料，在通过拉曼散射光谱法测定的光谱中，该碳材料具有出现在1250cm‑1至1400cm‑1的范围内的与金刚石键相关的峰和/或与类金刚石键相关的峰，在1250cm‑1至1400cm‑1的范围内出现的峰中，最大峰的半峰全宽或最大峰和第二大峰的半峰全宽的信号小于100cm‑1。
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公开(公告)号：CN106574393B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201580039728.8
申请日：2015-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/04 , B23B27/14 , B23B27/20 , B24B53/047 , C23C16/27
Abstract: 在单晶金刚石(20)的晶体生长主表面(20m)的X射线形貌照片中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集而存在，各个晶体缺陷点(20dp)是到达所述晶体生长主表面(20m)的晶体缺陷线(20dq)的前端点，所述晶体缺陷线(20dq)表示其中存在晶体缺陷(20d)的线。此外，在所述单晶金刚石(20)中，平行存在多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)。在所述多个晶体缺陷线状聚集区域(20r)中，晶体缺陷点(20dp)的组聚集并在相对于一个任意规定方向成30°以内的角的方向上以线状延伸。由此，提供一种单晶金刚石，所述单晶金刚石适合用于切削工具、抛光工具、光学部件、电子部件、半导体材料等。
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公开(公告)号：CN107109691A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680006136.0
申请日：2016-07-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 住友电工硬质合金株式会社
CPC classification number: C30B29/04 , B21C3/025 , C23C16/27 , C23C16/274 , C30B9/00 , C30B25/105 , C30B25/186 , C30B25/20
Abstract: 在单晶金刚石材料中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石材料具有偏角为20°以下的晶体生长主表面。在单晶金刚石芯片中，非置换型氮原子的浓度可以为200ppm以下，置换型氮原子的浓度可以低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石芯片可以具有偏角为20°以下的主表面。一种穿孔工具，其包含单晶金刚石拉丝模，其中在所述单晶金刚石拉丝模中，非置换型氮原子的浓度为200ppm以下，置换型氮原子的浓度低于所述非置换型氮原子的浓度，并且所述单晶金刚石拉丝模具有由‑5以上且5以下的整数密勒指数表示的低指数面，所述低指数面的垂线相对于拉丝用孔的取向的偏角为20°以下。
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