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公开(公告)号：CN1495822A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03158649.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J2201/30457
Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面。
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公开(公告)号：CN1331180C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03158649.X
申请日：2003-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J2201/30457
Abstract: 根据本发明所述的一种电子发射元件，包括：基板、以及由金刚石制成的并从该基板突出的多个凸起。每个凸起包括柱形部分，所述柱形部分的侧面相对于基板表面倾斜大约90度，而且设置在具有末端部分的柱形部分上。导电层设置在每一柱形部分的上部，而且与导电层电连接的阴极薄膜形成在柱形部分的侧面，而且所述阴极薄膜平行于柱形部分的侧面延伸。
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公开(公告)号：CN100395898C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN03158713.5
申请日：2003-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/34 , Y10T428/30
Abstract: 一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱(微型突起)，这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面(水平截面)为四边形形状，其长边边长为a[nm]，短边边长为ka[nm]，且在短边一侧的一个侧面上形成有一层二氧化硅(SiO2)薄膜。长边的边长a[nm]和短边的边长ka[nm]满足下列公式(1)和(2)的关系表达式：见右下式；nλ＝C1...(2)，其中：C1：每个四棱柱内部生成的光在该四棱柱侧面上反射时，环绕某一特定环路，一圈的距离为[nm]；n：一个任意正整数；以及λ：构成四棱柱的金钢石的发射峰值波长λ[nm]。
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公开(公告)号：CN1503381A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN03158713.5
申请日：2003-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人精细陶瓷中心
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/34 , Y10T428/30
Abstract: 一种金钢石电子发射元件，其设置有一个基片以及许多由金钢石构成且侧面为平面的四棱柱(微型突起)，这些四棱柱等间隔地排列在基片上。顶端面(水平截面)为四边形形状，其长边边长为a[nm]，短边边长为ka[nm]，且在短边一侧的一个侧面上形成有一层二氧化硅(SiO2)薄膜。长边的边长a[nm]和短边的边长ka[nm]满足下列公式(1)和(2)的关系表达式：(2)。C1：每个四棱柱内部生成的光在该四棱柱侧面上反射时，环绕某一特定环路，一圈的距离为[nm]；n：一个任意正整数；以及λ：构成四棱柱的金钢石的发射峰值波长λ[nm]。
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