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公开(公告)号：CN1390667A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02122788.8
申请日：2002-06-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
CPC classification number: C23C14/022 , C23C14/0605 , C23C30/005 , Y10T407/27 , Y10T408/78 , Y10T428/24479 , Y10T428/24628 , Y10T428/24942 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及耐磨耗性及耐熔敷性均优良的被覆有非晶性碳膜的工具，其具有由WC基超硬质合金构成的基材以及在该基材上形成的非晶性碳膜，其刀尖形成非晶性碳的被覆工具，其基材含钴量为12％(质量)以下，非晶性碳膜在刀尖的最大厚度为0.05μm以上～0.5μm以下，该非晶性碳膜，是以石墨作原料，实质上在不含氢的气氛下，用物理蒸镀法形成的，提供应用于钻头、立铣刀、铰刀等转削工具、铣刀工具等车削工具中所用的刀尖交换型切削刀头、刀具、手术刀、剪切机等切断工具的非晶性碳被覆工具。
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公开(公告)号：CN1291809C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN02122788.8
申请日：2002-06-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 日新电机株式会社
CPC classification number: C23C14/022 , C23C14/0605 , C23C30/005 , Y10T407/27 , Y10T408/78 , Y10T428/24479 , Y10T428/24628 , Y10T428/24942 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及耐磨耗性及耐熔敷性均优良的被覆有非晶性碳膜的工具，其具有由WC基超硬质合金构成的基材以及在该基材上形成的非晶性碳膜，其刀尖形成非晶性碳的被覆工具，其基材含钴量为12%(质量)以下，非晶性碳膜在刀尖的最大厚度为0.05μm以上～0.5μm以下，该非晶性碳膜，是以石墨作原料，实质上在不含氢的气氛下，用物理蒸镀法形成的，提供应用于钻头、立铣刀、铰刀等转削工具、铣刀工具等车削工具中所用的刀尖交换型切削刀头、刀具、手术刀、剪切机等切断工具的非晶性碳被覆工具。
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公开(公告)号：CN1168118C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN99101731.5
申请日：1999-01-29
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: C30B25/105 , C23C16/24 , C23C16/402 , C23C16/54 , C30B29/06
Abstract: 一种成膜设备，包括用于在基片上形成结晶硅薄膜的形成硅薄膜的真空室；为该真空室而装备的成膜装置，以在所述基片的目标表面上形成结晶硅薄膜的预制膜；以及为该真空室而装备的能量束辐照装置，以便用能量束辐照所述预制膜使之结晶。该成膜设备制得的结晶硅薄膜作为TFT等的半导体薄膜具有良好的质量和良好的生产率。
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公开(公告)号：CN1174116C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN01135772.X
申请日：2001-10-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C16/26
CPC classification number: C23C16/26 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及一种含有碳作为主要成分，形成在软基体材料4上的碳膜C，其特征在于碳膜C被A分裂并且分成许多区域B，被裂缝A围起来的各区域(块)的平均面积为0.15×10-3mm2～20×10-3mm2。
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公开(公告)号：CN1424428A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02160651.X
申请日：2002-11-30
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J2237/022
Abstract: 为防止因磁过滤器的磁场作用而使得膜形成特性的降低，为使得真空电弧蒸镀均匀，本发明中提供多个磁铁，该磁铁包括最靠近管的另一端的等离子体喷射孔的端磁铁以及规定磁铁。最靠近管的另一端的等离子体喷射孔的端磁铁倾斜于等离子体喷射孔的等离子体喷射平面。另外，至少一个规定磁铁倾斜于等离子体喷射平面。此外，至少一个磁场产生线圈是由多个电磁线圈形成的，该电磁线圈相对于管的横截面以不同的角度倾斜。根据由磁过滤器所产生的偏转磁场的设置和控制，有选择地对一个电磁线圈通电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1934679B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580009526.5
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
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公开(公告)号：CN1934679A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200580009526.5
申请日：2005-03-22
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L21/205 , C23C14/14
CPC classification number: C23C16/24 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02601 , H01L21/02631
Abstract: 一种硅粒形成方法，在导入氢气(或者还导入硅烷类气体)的真空室(1)内产生波长288纳米的硅原子发光强度与波长484纳米的氢原子发光强度的比小于等于10.0的等离子体，利用基于该等离子体的化学溅射，在基体上形成粒径小于等于20纳米的硅粒。
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公开(公告)号：CN1205353C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02160651.X
申请日：2002-11-30
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32055 , C23C14/325 , H01J2237/022
Abstract: 为防止因磁过滤器的磁场作用而使得膜形成特性的降低，为使得真空电弧蒸镀均匀，本发明中提供多个磁铁，该磁铁包括最靠近管的另一端的等离子体喷射孔的端磁铁以及规定磁铁。最靠近管的另一端的等离子体喷射孔的端磁铁倾斜于等离子体喷射孔的等离子体喷射平面。另外，至少一个规定磁铁倾斜于等离子体喷射平面。此外，至少一个磁场产生线圈是由多个电磁线圈形成的，该电磁线圈相对于管的横截面以不同的角度倾斜。根据由磁过滤器所产生的偏转磁场的设置和控制，有选择地对一个电磁线圈通电。
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公开(公告)号：CN1354276A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01135772.X
申请日：2001-10-17
Applicant: 日新电机株式会社
IPC: C23C16/26
CPC classification number: C23C16/26 , Y10T428/30
Abstract: 本发明涉及一种含有碳作为主要成分,形成在软基体材料4上的碳膜C,其特征在于碳膜C被A分裂并且分成许多区域B,被裂缝A围起来的各区域(块)的平均面积为0.15×10－3mm2～20×10－3mm2。
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公开(公告)号：CN1261203A
公开(公告)日：2000-07-26
申请号：CN99126970.5
申请日：1999-12-22
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/105 , C30B29/06
Abstract: 本发明揭示一种结晶性硅系列半导体薄膜的制备方法,是在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜,该方法包括在基板(S)附近至少形成包含硅系列气体的膜原料气体的等离子体(P)、并在基板(S)上形成硅主体的薄膜的工序;向基板(S)照射由激励粒子原料气体生成的激励粒子、使硅主体的薄膜的硅结晶化的工序,使膜原料气体和激励粒子原料气体的至少一种气体包含用于形成硅半导体的杂质气体,通过这样在基板(S)上形成结晶性硅系列半导体薄膜。
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